正激mos管波形 如何調(diào)節(jié)RCD參數(shù)使它如波形截圖中繪制部分平滑呢
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@sky_lu
跟變壓器參數(shù)也有關(guān)系!
如果壓成這樣如何? 圖:
這是早期天兵工程師常用的" 被動式Active Clamp" 正激電路, 利用C1 高容值, 將Off time 半正弦壓平, 再利用電感L2 將能量往儲能電容釋放
這電路好處是不用繞RESET 線圈, 壞處是當(dāng)關(guān)機(jī)後在能量釋放時, 週期漸漸打開, 末幾個週期會突然往上衝, 所以關(guān)機(jī)有時會聽到細(xì)微的"吱"一聲
的異音....C1值通常用金屬皮膜104電容, 你若不需要壓太深, 電容不要太大就好....但是記的喔, 單晶MOSFET耐壓還是要800V以上較安全.....
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@juntion
如果壓成這樣如何?圖:[圖片]這是早期天兵工程師常用的"被動式ActiveClamp"正激電路,利用C1高容值,將Offtime半正弦壓平,再利用電感L2將能量往儲能電容釋放這電路好處是不用繞RESET線圈,壞處是當(dāng)關(guān)機(jī)後在能量釋放時,週期漸漸打開,末幾個週期會突然往上衝,所以關(guān)機(jī)有時會聽到細(xì)微的"吱"一聲的異音....C1值通常用金屬皮膜104電容,你若不需要壓太深,電容不要太大就好....但是記的喔,單晶MOSFET耐壓還是要800V以上較安全.....
有源鉗位能不能散搭啊 配合1843之類的
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