威世FA57SA50LC是第三代國際整流器設(shè)計(jì)與快速切換的最佳組合，堅(jiān)固耐用的設(shè)備設(shè)計(jì)，低電阻和成本效益。采用SOT - 227封裝普遍首選的商業(yè)工業(yè)應(yīng)用的功耗水平在約500瓦。

低的SOT - 227熱電阻有助于其在整個(gè)行業(yè)廣泛接受。

該物料已經(jīng)停產(chǎn)，海飛樂目前在封裝FA57SA50LC    SOT-227模塊。   136-3295-7632  朱先生

產(chǎn)品特點(diǎn)完全隔離的封裝易于使用和并行低電阻額定動(dòng)dv/dt完全雪崩額定簡單的驅(qū)動(dòng)要求低門電荷裝置內(nèi)部低電感原裝現(xiàn)貨MOS管FA57SA50LC技術(shù)參數(shù)通道類型 N最大連續(xù)漏極電流 5.7 A最大漏源電壓 500 V最大漏源電阻值 0.08 Ω最大柵源電壓 ±20 V封裝類型 SOT-227安裝類型 螺絲引腳數(shù)目 4通道模式 增強(qiáng)類別 功率 MOSFET最大功率耗散 625 W寬度 25.7mm典型接通延遲時(shí)間 152 ns尺寸 38.3 x 25.7 x 12.3mm每片芯片元件數(shù)目 1長度 38.3mm高度 12.3mm最低工作溫度 -55 °C典型柵極電荷@Vgs 225 nC @ 400 V典型關(guān)斷延遲時(shí)間 108 ns典型輸入電容值@Vds 10000 pF @ 25 V最高工作溫度 +150 °C  這個(gè)器件有兩個(gè)電極，一個(gè)是金屬，另一個(gè)是extrinsic silicon（外在硅），他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric（柵介質(zhì)）。圖示中的器件有一個(gè)輕摻雜P型硅做成的backgate。這個(gè)MOS 電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個(gè)小電場。在器件中，這個(gè)電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負(fù)電位。這個(gè)電場把硅中底層的電子吸引到表面來，它同時(shí)把空穴排斥出表面。這個(gè)電場太弱了，所以載流子濃度的變化非常小，對(duì)器件整體的特性影響也非常小。  當(dāng)MOS電容的GATE相對(duì)于BACKGATE正偏置時(shí)發(fā)生的情況。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強(qiáng)了，有更多的電子從襯底被拉了上來。同時(shí)，空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高，會(huì)出現(xiàn)表面的電子比空穴多的情況。由于過剩的電子，硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion，反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高，越來越多的電子在表面積累，channel變成了強(qiáng)反轉(zhuǎn)。Channel形成時(shí)的電壓被稱為閾值電壓Vt。當(dāng)GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時(shí)，不會(huì)形成channel。當(dāng)電壓差超過閾值電壓時(shí)，channel就出現(xiàn)了。