沒事干,做了個(gè)恒流電子負(fù)載

最近沒事干,做個(gè)恒流的電子負(fù)載,只加了溫度保護(hù),沒有過壓,過流,過功率保護(hù),測試了一下,帶載32V,5A,不加風(fēng)扇,20來分鐘溫度保護(hù),散熱器溫度100度左右,加風(fēng)扇后,就不會(huì)保護(hù).

用料,運(yùn)放 TL081A,

Q 各6顆. (以后加入超60V不加載,保護(hù)MOS)

加大散熱器,可以做到多少W?

100度安全不安全?

怎樣測試這個(gè)恒流電子負(fù)載的性能? 有哪些指標(biāo)?

請(qǐng)大師們給點(diǎn)意見

更新，上個(gè)全線路圖 CC LOAD.pdf

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zz052025

2016-12-29 10:06

期待測試數(shù)據(jù)表現(xiàn)

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limingqing0101

2016-12-29 10:33

@zz052025

期待測試數(shù)據(jù)表現(xiàn)

給點(diǎn)意見唄,要測試哪些指標(biāo)?

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心如刀割

2016-12-29 10:46

@limingqing0101

給點(diǎn)意見唄,要測試哪些指標(biāo)?

除了一些內(nèi)外的保護(hù)功能外還需要測試可靠性、穩(wěn)定性、壓降、動(dòng)態(tài)瞬態(tài)之類的。如果有顯示還要看分辨率

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ymyangyong

2016-12-29 11:23

@limingqing0101

給點(diǎn)意見唄,要測試哪些指標(biāo)?

從精度和成本來說，運(yùn)放不如用OP07或者LM358。100度保護(hù)應(yīng)該可以，MOS不用加絕緣墊片，盡量降低熱阻。

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juntion

2016-12-29 11:33

@心如刀割

除了一些內(nèi)外的保護(hù)功能外還需要測試可靠性、穩(wěn)定性、壓降、動(dòng)態(tài)瞬態(tài)之類的。如果有顯示還要看分辨率

電子負(fù)載大多用電晶體去做, 不會(huì)用MOS 管去做......

因?yàn)殡娋w有線性區(qū), 你電流調(diào)整就是利用線性區(qū)才不會(huì)有波動(dòng), MOS管有Vth特性, 在超過Vth到RDS_ON 區(qū)間很短, 所以你的推動(dòng)會(huì)有on-oFF瞬間周期出現(xiàn)

這樣的方式會(huì)讓所看到的電流為峰值週期所平均的電流, 你Q已經(jīng)6顆才5A加散熱就燙到這程度, 不會(huì)覺得太誇張嗎?

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電源網(wǎng)-fqd

2016-12-29 11:41

已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫嘍
http://www.e-ticket.cn/bbs/classic/

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limingqing0101

2016-12-29 11:48

@ymyangyong

從精度和成本來說，運(yùn)放不如用OP07或者LM358。100度保護(hù)應(yīng)該可以，MOS不用加絕緣墊片，盡量降低熱阻。

MOS下面墊的是陶瓷的,應(yīng)該可以,我主要目的是將散熱器隔離.成本先不用管它,要精度,OP07的會(huì)比TL081精度會(huì)好點(diǎn)嗎? 我選的時(shí)候是因?yàn)門L081是儀表放大器,所以就選他了,以前有用358做過,發(fā)現(xiàn)均流相差較大,在5A拉載的時(shí)候有40MV,的差異,不知是設(shè)計(jì)問題還是什么的,現(xiàn)在用TL081后在10mv 左右的差異

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limingqing0101

2016-12-29 11:52

@心如刀割

除了一些內(nèi)外的保護(hù)功能外還需要測試可靠性、穩(wěn)定性、壓降、動(dòng)態(tài)瞬態(tài)之類的。如果有顯示還要看分辨率

同意你的觀點(diǎn),顯示現(xiàn)在還沒有考慮,主要是看看穩(wěn)定性,動(dòng)態(tài)瞬態(tài), 像這個(gè)瞬態(tài)動(dòng)態(tài)有簡單的測試方法沒有? 我有DC電源,示波器,怎樣可以測試這項(xiàng)功能?

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juntion

2016-12-29 12:06

@limingqing0101

同意你的觀點(diǎn),顯示現(xiàn)在還沒有考慮,主要是看看穩(wěn)定性,動(dòng)態(tài)瞬態(tài),像這個(gè)瞬態(tài)動(dòng)態(tài)有簡單的測試方法沒有?我有DC電源,示波器,怎樣可以測試這項(xiàng)功能?

示波器勾你的R407就知道了, 恆流不可以有波動(dòng), 將輸入電壓(MOS館兩端)

1). 任意切換電壓, 看電流波動(dòng)度, 以及上升電流斜率, 看電流上升每1A 有幾微秒,.....微秒喔不是毫秒......

2). 電壓由0一值轉(zhuǎn)到最大, 看電流可不可以跟的上, 理論上電流應(yīng)該是一直線, 不可以有突然往下掉或往上升..

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limingqing0101

2016-12-29 12:06

@juntion

電子負(fù)載大多用電晶體去做,不會(huì)用MOS管去做......因?yàn)殡娋w有線性區(qū),你電流調(diào)整就是利用線性區(qū)才不會(huì)有波動(dòng),MOS管有Vth特性,在超過Vth到RDS_ON區(qū)間很短,所以你的推動(dòng)會(huì)有on-oFF瞬間周期出現(xiàn)這樣的方式會(huì)讓所看到的電流為峰值週期所平均的電流,你Q已經(jīng)6顆才5A加散熱就燙到這程度,不會(huì)覺得太誇張嗎?

MOS管動(dòng)態(tài)速度應(yīng)該會(huì)比三極管的好點(diǎn),這只是我個(gè)人的想法. 所有就用MOS了,到時(shí)候測試一下拉載開關(guān)電源輸出的紋波看看,因?yàn)榫€性電源輸出比較干凈.

160W在6顆MOS上,每一顆26W,溫度上在100度,因?yàn)樯崞鞅容^小,MOS與MOS的距離比較近,所以會(huì)飆到100,如果用大的散熱器,再拉開MOS間的距離,應(yīng)該會(huì)比目前的效果要好的.

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juntion

2016-12-29 14:15

@limingqing0101

MOS管動(dòng)態(tài)速度應(yīng)該會(huì)比三極管的好點(diǎn),這只是我個(gè)人的想法.所有就用MOS了,到時(shí)候測試一下拉載開關(guān)電源輸出的紋波看看,因?yàn)榫€性電源輸出比較干凈.160W在6顆MOS上,每一顆26W,溫度上在100度,因?yàn)樯崞鞅容^小,MOS與MOS的距離比較近,所以會(huì)飆到100,如果用大的散熱器,再拉開MOS間的距離,應(yīng)該會(huì)比目前的效果要好的.

恆流, 之所以可以恆流是因?yàn)楫?dāng)我電壓改變時(shí), 阻抗要跟著變, 例如以2A為例, 當(dāng)我輸入5V, 2A阻抗2.5R, 當(dāng)我輸入10V, 阻抗要變?yōu)?R

這是電壓與電流線性的關(guān)係式, 當(dāng)我用的是一個(gè)非線性元件, 它只有on-off 兩種狀態(tài), 為了製造出線性效果則必須以 di/dt 方式才可以滿足不同電壓要求

你覺得勒......

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limingqing0101

2016-12-29 14:29

@juntion

示波器勾你的R407就知道了,恆流不可以有波動(dòng),將輸入電壓(MOS館兩端)1).任意切換電壓,看電流波動(dòng)度,以及上升電流斜率,看電流上升每1A有幾微秒,.....微秒喔不是毫秒......2).電壓由0一值轉(zhuǎn)到最大,看電流可不可以跟的上,理論上電流應(yīng)該是一直線,不可以有突然往下掉或往上升..

剛剛測試了一下,從0A到5.5A ON/OFF實(shí)驗(yàn),延時(shí)時(shí)間是130uS, 這速度是慢了還是可以? 波形如圖,毛刺是探頭地夾子引起的.探頭1(黃色)測試的是REF參考電壓,探頭2(藍(lán)色)測試R404電流取樣電阻

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limingqing0101

2016-12-29 14:37

@juntion

恆流,之所以可以恆流是因?yàn)楫?dāng)我電壓改變時(shí),阻抗要跟著變,例如以2A為例,當(dāng)我輸入5V,2A阻抗2.5R,當(dāng)我輸入10V,阻抗要變?yōu)?R這是電壓與電流線性的關(guān)係式,當(dāng)我用的是一個(gè)非線性元件,它只有on-off兩種狀態(tài),為了製造出線性效果則必須以di/dt方式才可以滿足不同電壓要求你覺得勒......

個(gè)人理解: 電子負(fù)載的MOS應(yīng)該不是工作在開關(guān)狀態(tài).等會(huì)我去測試一下MOS的G極波形看看.確認(rèn)一下.

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st.you

LV.10

2016-12-29 17:50

@juntion

普通的運(yùn)放,,沒有負(fù)反饋的話,,就是個(gè)非線性的器件 .

有用非門來做線性放大器的.

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juntion

2016-12-29 18:03

@limingqing0101

剛剛測試了一下,從0A到5.5AON/OFF實(shí)驗(yàn),延時(shí)時(shí)間是130uS,這速度是慢了還是可以? 波形如圖,毛刺是探頭地夾子引起的.探頭1(黃色)測試的是REF參考電壓,探頭2(藍(lán)色)測試R404電流取樣電阻[圖片]

你那電流波形MOSFET已經(jīng)在震.....延遲那麼久是因?yàn)橐_(dá)Vth後Moafet才會(huì)開, 展開看電流上升波形, 每1A時(shí)上升時(shí)間為多少......

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limingqing0101

2016-12-29 18:30

@juntion

你那電流波形MOSFET已經(jīng)在震.....延遲那麼久是因?yàn)橐_(dá)Vth後Moafet才會(huì)開,展開看電流上升波形,每1A時(shí)上升時(shí)間為多少......

應(yīng)該是探頭干擾,下圖是MOS的G極波形,電壓4V左右,從0A直接到5.5A

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zhiyiyunmeng

LV.7

2016-12-31 21:28

我一顆MOS輕松做到200-250瓦

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zhiyiyunmeng

LV.7

2016-12-31 21:28

8顆MOS實(shí)現(xiàn)了1600瓦

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ymyangyong

2017-01-01 19:15

@limingqing0101

MOS下面墊的是陶瓷的,應(yīng)該可以,我主要目的是將散熱器隔離.成本先不用管它,要精度,OP07的會(huì)比TL081精度會(huì)好點(diǎn)嗎?我選的時(shí)候是因?yàn)門L081是儀表放大器,所以就選他了,以前有用358做過,發(fā)現(xiàn)均流相差較大,在5A拉載的時(shí)候有40MV,的差異,不知是設(shè)計(jì)問題還是什么的,現(xiàn)在用TL081后在10mv左右的差異

TL081和358都是通用型運(yùn)放，精度也相差不多，OP07屬于高精度運(yùn)放。用TL081能做到0.1A均流差異，也可以接受。

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limingqing0101

2017-01-03 08:45

@zhiyiyunmeng

8顆MOS實(shí)現(xiàn)了1600瓦

你這是持續(xù)功率嗎?比如老化房用; 這也太極限了,

要保證MOS的溫度不能超極限,所以需要足夠大的散熱器和足量大的風(fēng)扇.

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limingqing0101

2017-01-03 08:50

@juntion

你那電流波形MOSFET已經(jīng)在震.....延遲那麼久是因?yàn)橐_(dá)Vth後Moafet才會(huì)開,展開看電流上升波形,每1A時(shí)上升時(shí)間為多少......

因?yàn)槭怯玫目烧{(diào),這個(gè)我需要做一個(gè)固定的電阻去實(shí)驗(yàn)一下,做4個(gè)檔位,1A,2A,4A,5A,這樣就換的快,到時(shí)候試試

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limingqing0101

2017-01-11 19:50

@juntion

你那電流波形MOSFET已經(jīng)在震.....延遲那麼久是因?yàn)橐_(dá)Vth後Moafet才會(huì)開,展開看電流上升波形,每1A時(shí)上升時(shí)間為多少......

今天測試了一下1A轉(zhuǎn)到2A的波形，因?yàn)殡娏魅与娮杼?，只?A/6*0.1R≈20mV示波器干擾大，后來只用一個(gè)支路，就有100mV,跳轉(zhuǎn)到2A的波形比較難抓，不知是示波器設(shè)置不當(dāng)還是怎樣,有210uS,手機(jī)好像不能發(fā)圖片？

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