InnoSwitch-CE集成了反激式控制器, 650V MOSFET,在電路保護(hù)中的電流限流點(diǎn)有三種不同,對(duì)應(yīng)BPP電容不同的電容值,這個(gè)電容值影響到不同的限流保護(hù)大小,標(biāo)準(zhǔn)電流限流點(diǎn),降低電流限流點(diǎn),升高電流限流點(diǎn),這些限流點(diǎn)必須采用固定的電容值么?電容本身也有精度,是否有影響?這三種限流點(diǎn)有什么區(qū)別,為什么和電容值大小相關(guān)?
這些限流點(diǎn)必須采用固定的電容值么?
回答:是的,需要固定的0.1uF,1uF 或10uF
電容本身也有精度,是否有影響?
回答:不影響,主要是電容的差異在10倍關(guān)系。
這三種限流點(diǎn)有什么區(qū)別,為什么和電容值大小..
回答:三個(gè)限流點(diǎn)主要用做不同峰值功率,如果是開(kāi)放式,可以用限流點(diǎn)大的,如果空間非常小的,溫度高的環(huán)境,用小限流點(diǎn)的。