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R16 C11

R15 C12

就有點(diǎn)怪怪的

其他你圈的部份

是1.RCD SnuBBER

2.GATE DRIVER

3.TL431 回授

1). C12+R15與C11+R16是做EMI防治用, 通常在做傳導(dǎo)時(shí), 中間頻段若下重一點(diǎn)是各並一顆104電容

2). 那是RDC Snubber電路, 只是多了一顆R3, R3是為了限制C3充電電流, 讓D1導(dǎo)通緩和, 不會(huì)因瞬開而產(chǎn)生Peak

     原理是: 當(dāng)MOSFET_OFF時(shí), 變壓器極性反轉(zhuǎn), MOSFET_D端為正, HVCC端為負(fù), D1順向?qū)3充電, 將Off時(shí)尖峰吸      收, 當(dāng)MOSFET_ON時(shí), D1反向不導(dǎo)通, C3藉由R2放電, 直到清空為止....

3). R7為驅(qū)動(dòng)限流電阻, 通常介於100R以下, 放到330R應(yīng)該是要把MOSFET導(dǎo)通速度放緩, 這速度與傳導(dǎo)跟幅射有關(guān)

     R20, D4為加速放電用, 通常R20可以不要, 只用一顆二極體, 但是加了R20是讓放電緩一下, 應(yīng)該也跟EMI有關(guān)

4).這是基本的回授補(bǔ)償, 有些用法只接一顆電容而不接電阻, 接電容主要是做負(fù)回授衰減增益用, 但是太過補(bǔ)償容易引     起震盪, 因此加一顆電阻, 此電阻稱為"阻尼電阻", 加了阻尼電阻在某些頻率區(qū)段會(huì)較平滑............

S8A45S二極管上加一個(gè)RC吸收電路更合理些，個(gè)人觀點(diǎn)不一定正確。

那個(gè)Snubber 的二極體叫做"Snubber Damping Rectifier", 尖峰都被吸光光了, 所以副邊連加都不用加....

謝謝版主的詳細(xì)回答，謝謝！

版主你好，能麻煩你幫我看一下Q2基極電壓是怎么來的嗎？是分壓器3  4端口得到的電流，經(jīng)R12  R17流入到Q2的基極，形成的電壓？？

如果把Q2拿掉, R10,R11,R12分壓, 再依個(gè)C4下地, 與他的應(yīng)用電路是不是一樣? 因?yàn)檫@接腳是VS, 一般如果QR 

Model 會(huì)稱為ZCS...............

VS接腳依據(jù)定義是回授資訊與CC資訊, 意思應(yīng)該是屬於高低壓補(bǔ)償與線電壓補(bǔ)償是由此接腳來的, 所以這一個(gè)端點(diǎn)是

由Aux 方波上下振幅與週期寬度決定其線補(bǔ)償點(diǎn)與高低壓短路OPP點(diǎn), 所以接受的是方波......

線再用一顆PNP電晶體, 由高端要加入電壓, 電晶體是無法操作在交流, 所以先一顆二極體整流提供一個(gè)正電位

然後在電晶體_C極串一顆電阻接到VS接腳, 此時(shí)B極電阻下地, 則電晶體就導(dǎo)通, 相當(dāng)於電晶體串R17與R12並聯(lián)

因?yàn)镈5整流後沒有電容下地, 因此還是一個(gè)方波, 只是這是一個(gè)位準(zhǔn)為正的方波, 不像Aux是交流方波, 所以

C15於B-E端, 是防止方波擾動(dòng), R18串C9是防止B極落地迴路電壓擾動(dòng)..............

而B極使用一顆熱敏電阻與R19,R21串聯(lián), 當(dāng)溫度低時(shí), 阻值高, Ib 小, 所以IC也小, 相當(dāng)於R17並聯(lián)阻抗高,...

當(dāng)熱敏溫度高時(shí), 阻值低, Ib變高, IC變高, 則當(dāng)VS> 3V時(shí), PWM將保護(hù)掉........

好詳細(xì)，通俗易懂，謝謝版主！

版主，你好，我想問一下，那個(gè)開關(guān)MOS管一般選什么型號的？我做仿真的時(shí)候，測MOS管的漏極電壓，得到的結(jié)果和正常的結(jié)果不一樣啊。

你圖面那編號應(yīng)該是ACT的, 至於哪一佳作的方案我不知道, 但是若康舒做的蘋果方案, 用的是Cool Mos

富鼎先進(jìn)(APEC), 12A/650V, 你可以上網(wǎng)查...