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如題，最近在升級一款產(chǎn)品，350--1500Vdc輸入，25V/4W輸出，雙管反激結(jié)構(gòu)，變壓器設(shè)計一直有問題，請哪位大師指教。 IC使用的是ON的FSL117MRIN，350-600VDC輸入時，效率大概66%，但是一旦超過700V，效率會急劇下降，900V輸入已經(jīng)下降到50%左右。 變壓器參數(shù)：EFD25，原邊404T，電感13.264mH，中柱開氣隙0.863mm，副邊42T。請大俠幫看看參數(shù)是否合理。 上管用的是ST的STW3N150，Rds(on)=9Ω左右，輸入電壓越高，效率越低，該管發(fā)熱越厲害，是不是主要是上管的開關(guān)損耗增加？ |
350--1500Vdc輸入，25V/4W輸出，雙管反激結(jié)構(gòu)，變壓器設(shè)計一直有問題，效率低，請哪位大師指教。
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@devinguu
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1、這肯定不是雙管反激
2、變壓器設(shè)計參考此帖“【設(shè)計大賽】高電壓輸入，小功率電源”，必須設(shè)計成DCM工作方式。
3、該電源的損耗主要是3N150的開關(guān)損耗，供電電壓越高開關(guān)損耗越大，必須降低開關(guān)頻率，FSL117MRIN的頻率（67K）太高，類似IC頻率都高，所以不能用。
4、改用OB2269或其他可外部設(shè)定頻率的IC直接驅(qū)動3N150，上面的3N150改用稍低耐壓的管子，如2N90。
5、其他元件參數(shù)作相應(yīng)調(diào)整。
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@世界真奇妙
1、這肯定不是雙管反激2、變壓器設(shè)計參考此帖“【設(shè)計大賽】高電壓輸入，小功率電源”，必須設(shè)計成DCM工作方式。3、該電源的損耗主要是3N150的開關(guān)損耗，供電電壓越高開關(guān)損耗越大，必須降低開關(guān)頻率，F(xiàn)SL117MRIN的頻率（67K）太高，類似IC頻率都高，所以不能用。4、改用OB2269或其他可外部設(shè)定頻率的IC直接驅(qū)動3N150，上面的3N150改用稍低耐壓的管子，如2N90。5、其他元件參數(shù)作相應(yīng)調(diào)整。
1、感謝 世界真奇妙的幫助，我是不是可以這樣驗證是否是上管開關(guān)損耗影響效率，增加變壓器原邊電感量，降低原邊電流，這樣效率應(yīng)該會提升一點？
2、我先看看您的帖子，學(xué)習(xí)一下。
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@devinguu
1、感謝世界真奇妙的幫助，我是不是可以這樣驗證是否是上管開關(guān)損耗影響效率，增加變壓器原邊電感量，降低原邊電流，這樣效率應(yīng)該會提升一點？2、我先看看您的帖子，學(xué)習(xí)一下。
輸入是直流供電，輸入側(cè)不需要電解電容串聯(lián)濾波，可用一只472/Y2安規(guī)瓷片電容，Y2電容的實際耐壓大于AC3000V（1分鐘），所以DC1500V使用絕對安全?；蛴?72/2KV的瓷片也可以，注意，DC2KV的瓷片實測耐壓應(yīng)該是DC4500V（1分鐘）。這是國標(biāo)，如果達(dá)不到，就是假冒偽劣，市場上假冒偽劣常見，真品很少。
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樓主，如果出現(xiàn)滿意回復(fù)，記得設(shè)置最佳回復(fù)~~~
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@devinguu
前面的波形為Q1漏極波形[圖片]
1、好好看看“【設(shè)計大賽】高電壓輸入，小功率電源”的第25帖，詳細(xì)講解了變壓器的設(shè)計要領(lǐng)。實際上，那個變壓器可以直接拿來用。匝數(shù)是：初級/次級/輔助=180T（5毫亨）/40T/28T。必須是三明治繞法。MOSFET原極電阻1.8歐姆。
2、MOSFET原極電阻你用0.33歐姆，起動時變壓器飽和，致MOSFET關(guān)斷時尖峰電壓很高。
3、按第10帖第4條做，3N150放在下面，2N80放在上面，還能提高效率。TVS要用3*400V。
4、2269的6腳加RC（100歐1000P）濾波。
5、下面的MOSFET的柵極和原極之間并一只5.1K電阻。
6、驅(qū)動電阻R72用150歐。
7、R71取值有問題。
或
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@世界真奇妙
1、好好看看“【設(shè)計大賽】高電壓輸入，小功率電源”的第25帖，詳細(xì)講解了變壓器的設(shè)計要領(lǐng)。實際上，那個變壓器可以直接拿來用。匝數(shù)是：初級/次級/輔助=180T（5毫亨）/40T/28T。必須是三明治繞法。MOSFET原極電阻1.8歐姆。2、MOSFET原極電阻你用0.33歐姆，起動時變壓器飽和，致MOSFET關(guān)斷時尖峰電壓很高。3、按第10帖第4條做，3N150放在下面，2N80放在上面，還能提高效率。TVS要用3*400V。4、2269的6腳加RC（100歐1000P）濾波。5、下面的MOSFET的柵極和原極之間并一只5.1K電阻。6、驅(qū)動電阻R72用150歐。7、R71取值有問題。[圖片]或[圖片]
奇妙大師。這個帖子放著好久了一直沒有結(jié)題。后來嘗試著研究了一下高電壓輸入情況下開關(guān)電源的功率損耗情況。
經(jīng)過測試對比發(fā)現(xiàn)，在高電壓輸入情況下，MOSFET的Coss參數(shù)影響非常大，可以說是影響高壓輸入情況下電源效率的主要影響因素。
Pcoss=0.5*fs*Coss*Vds2 ， 很明顯，Pcoss（開關(guān)損耗的一部分）在高壓下的影響是不容小覷的，且輸入電壓越大，Pcoss對效率的影響越為明顯。
針對本帖原有的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，上管MOSFET的應(yīng)選用具有比較小的Coss的MOS。但鑒于高壓mos的Coss都比較接近，可以通過2個稍低耐壓的MOS通過串聯(lián)的方式進(jìn)行減小等效Coss。
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