
功率MOS代二極管整流草案,請大家討論

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看看這兩個圖有無問題?
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/23/1101597640.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

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@abccba
看看這兩個圖有無問題?[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/23/1101597640.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
你的mosfet不會導(dǎo)通
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@zpower
從原理圖上看,首先由于mos管gs耐壓限制,該結(jié)構(gòu)所能承受的反壓有限,否則開通時電容上的電壓會損壞器件;mos開通驅(qū)動原理上屬于電荷保持型驅(qū)動方式,原理上從反向截至過渡到正向開通很容易,但從正向開通到反向關(guān)斷就不那么容易了,反向短路電流很大.
感謝zpower
1、Ns電壓上負(fù)下正時,對應(yīng)初級開關(guān)管導(dǎo)通狀態(tài),整流場管Vds所承受的電壓是Uout + Uin/n,C1電壓是該值扣除D1的正向?qū)妷?只要選擇合適的MOS,DS耐壓應(yīng)該沒問題;
2、有的場管GS有兩個穩(wěn)壓管串聯(lián)保護(hù),如果沒有或內(nèi)部穩(wěn)壓管功耗不夠,可以在外面補加兩個10V管串聯(lián)在GS極之間,這樣是不是可以解決您說的耐壓限制問題?
3、“…從正向開通到反向關(guān)斷就不那么容易了,反向短路電流很大.”這句我不太理解,能否再進(jìn)一步解釋一下?您的意思是不是說DS導(dǎo)通與截止的狀態(tài),會影響G極電容的充放電或Vgs的關(guān)斷電壓?
1、Ns電壓上負(fù)下正時,對應(yīng)初級開關(guān)管導(dǎo)通狀態(tài),整流場管Vds所承受的電壓是Uout + Uin/n,C1電壓是該值扣除D1的正向?qū)妷?只要選擇合適的MOS,DS耐壓應(yīng)該沒問題;
2、有的場管GS有兩個穩(wěn)壓管串聯(lián)保護(hù),如果沒有或內(nèi)部穩(wěn)壓管功耗不夠,可以在外面補加兩個10V管串聯(lián)在GS極之間,這樣是不是可以解決您說的耐壓限制問題?
3、“…從正向開通到反向關(guān)斷就不那么容易了,反向短路電流很大.”這句我不太理解,能否再進(jìn)一步解釋一下?您的意思是不是說DS導(dǎo)通與截止的狀態(tài),會影響G極電容的充放電或Vgs的關(guān)斷電壓?
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@abccba
看看這兩個圖有無問題?[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/23/1101597640.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
我覺得你的這兩個圖應(yīng)該都可以工作,但最好是用在反激電流非連續(xù)方式和低頻率如5到6K,且低壓輸出要不然效率和驅(qū)動就都成問題了.
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@abccba
感謝zpower1、Ns電壓上負(fù)下正時,對應(yīng)初級開關(guān)管導(dǎo)通狀態(tài),整流場管Vds所承受的電壓是Uout+Uin/n,C1電壓是該值扣除D1的正向?qū)妷?只要選擇合適的MOS,DS耐壓應(yīng)該沒問題;2、有的場管GS有兩個穩(wěn)壓管串聯(lián)保護(hù),如果沒有或內(nèi)部穩(wěn)壓管功耗不夠,可以在外面補加兩個10V管串聯(lián)在GS極之間,這樣是不是可以解決您說的耐壓限制問題?3、“…從正向開通到反向關(guān)斷就不那么容易了,反向短路電流很大.”這句我不太理解,能否再進(jìn)一步解釋一下?您的意思是不是說DS導(dǎo)通與截止的狀態(tài),會影響G極電容的充放電或Vgs的關(guān)斷電壓?
如您第一貼所示,反向時KA間需足夠高的電壓才能使三極管開通,而此時mos管柵極還處于電荷保持開通狀態(tài),而通常mos的RDS電阻很小,因此反向截至需要足夠大的短路電流;
如您第5貼所示應(yīng)用于反激的同步整流,左圖原理上是可以的,但實用上由于三極管BE結(jié)耐反壓能力一般只有5V,容易出現(xiàn)損壞;右圖采用自驅(qū),當(dāng)反激變換器工作于完全能量傳遞時,同步整流管驅(qū)動不能維持,可能會出現(xiàn)振蕩.
如您第5貼所示應(yīng)用于反激的同步整流,左圖原理上是可以的,但實用上由于三極管BE結(jié)耐反壓能力一般只有5V,容易出現(xiàn)損壞;右圖采用自驅(qū),當(dāng)反激變換器工作于完全能量傳遞時,同步整流管驅(qū)動不能維持,可能會出現(xiàn)振蕩.
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@zpower
如您第一貼所示,反向時KA間需足夠高的電壓才能使三極管開通,而此時mos管柵極還處于電荷保持開通狀態(tài),而通常mos的RDS電阻很小,因此反向截至需要足夠大的短路電流;如您第5貼所示應(yīng)用于反激的同步整流,左圖原理上是可以的,但實用上由于三極管BE結(jié)耐反壓能力一般只有5V,容易出現(xiàn)損壞;右圖采用自驅(qū),當(dāng)反激變換器工作于完全能量傳遞時,同步整流管驅(qū)動不能維持,可能會出現(xiàn)振蕩.
受教,十分感謝
不好意思,第一貼的圖是錯的,MOS開通以后就再也不能關(guān)斷了,除非能識別m歐姆電阻上的小電流方向,我還真想了,用IVC變壓器或是Hall什么的,只是過于復(fù)雜就沒意思了.
您說的對,三極管EB結(jié)耐壓是個問題.我查了一下三極管手冊,VEB0都在4-7V間,最高8V,還有2V的管子.在三極管的EB結(jié)上并個二極管,如何?
您說的“完全能量傳遞狀態(tài)”是不就是DCM,變壓器磁能釋放完以后,Ns輸出電流降到0A以后發(fā)生振蕩的情況?這是我沒考慮到的,容我再琢磨琢磨,感謝!
不好意思,第一貼的圖是錯的,MOS開通以后就再也不能關(guān)斷了,除非能識別m歐姆電阻上的小電流方向,我還真想了,用IVC變壓器或是Hall什么的,只是過于復(fù)雜就沒意思了.
您說的對,三極管EB結(jié)耐壓是個問題.我查了一下三極管手冊,VEB0都在4-7V間,最高8V,還有2V的管子.在三極管的EB結(jié)上并個二極管,如何?
您說的“完全能量傳遞狀態(tài)”是不就是DCM,變壓器磁能釋放完以后,Ns輸出電流降到0A以后發(fā)生振蕩的情況?這是我沒考慮到的,容我再琢磨琢磨,感謝!
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