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我想用20個功率MOSFET并聯(lián)工作,用作開關(guān),注意事項?建議?

電壓500V,電流達400A,我想用20個IR460并聯(lián),可否?開關(guān)頻率很低.請大家踴躍建議,討論呀!
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xkw1
LV.9
2
2004-12-02 14:36
趕緊滯住,IRFP460換成IRFPS43N50K-86mO的FET,至少可以少并些.
或用600V的IGBT:單管200A的GA200SA60S(2或3并)或半橋470A的GA200HA60S
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oude
LV.5
3
2004-12-02 16:21
@xkw1
趕緊滯住,IRFP460換成IRFPS43N50K-86mO的FET,至少可以少并些.或用600V的IGBT:單管200A的GA200SA60S(2或3并)或半橋470A的GA200HA60S
是阿,為什么不用IGBT呢?
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chc-2004
LV.5
4
2004-12-02 19:38
從理論上說應(yīng)該不成問題,但是實際操作上可能會有些問題.因為實際的管子特性會有些差異.工作過程中導(dǎo)通和截止會有先后,先導(dǎo)通(或后截止)的管子負擔(dān)過重.如果超出這只管子的承受能力就會損壞.往往由于一只管子的損壞帶來一連串的問題,甚至損壞其它元件.
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wjjwyf
LV.2
5
2004-12-02 20:36
@chc-2004
從理論上說應(yīng)該不成問題,但是實際操作上可能會有些問題.因為實際的管子特性會有些差異.工作過程中導(dǎo)通和截止會有先后,先導(dǎo)通(或后截止)的管子負擔(dān)過重.如果超出這只管子的承受能力就會損壞.往往由于一只管子的損壞帶來一連串的問題,甚至損壞其它元件.
我見過用8個并的
20個?
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grtang
LV.7
6
2004-12-02 21:46
由于layout的差異,怎樣控制每個管子的電流相等.
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tiger武
LV.6
7
2004-12-02 21:50
@xkw1
趕緊滯住,IRFP460換成IRFPS43N50K-86mO的FET,至少可以少并些.或用600V的IGBT:單管200A的GA200SA60S(2或3并)或半橋470A的GA200HA60S
對啊,為什么不能用電流定額更大的,這樣可以少用不少管子,你要知道,管子越多,越復(fù)雜,越不可靠!
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tired
LV.6
8
2004-12-02 22:21
開關(guān)頻率很低就不該用mosfet,該用其他的
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xkw1
LV.9
9
2004-12-03 10:27
@wjjwyf
我見過用8個并的20個?
并多不是問題,早期;我有128只IRF460并的,均流系數(shù)可以到1.1,25KHZ工作,但;那是沒辦法的辦法.你看電路多復(fù)雜!還要冗余設(shè)計!
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chc-2004
LV.5
10
2004-12-03 16:33
@grtang
由于layout的差異,怎樣控制每個管子的電流相等.
并聯(lián)的MOS管只要性能不是相差太遠會有自動均流效應(yīng).
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kent0448
LV.1
11
2004-12-03 17:12
大電流的情況下選IGBT功耗更低呀
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myr123654
LV.2
12
2004-12-13 13:37
@chc-2004
從理論上說應(yīng)該不成問題,但是實際操作上可能會有些問題.因為實際的管子特性會有些差異.工作過程中導(dǎo)通和截止會有先后,先導(dǎo)通(或后截止)的管子負擔(dān)過重.如果超出這只管子的承受能力就會損壞.往往由于一只管子的損壞帶來一連串的問題,甚至損壞其它元件.
我同意這位老兄的觀點.此外,20只管子并聯(lián)也太麻煩了,既浪費空間,又不一定能節(jié)省成本,為何不考慮用IGBT或者是模塊呢?
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xlg324
LV.3
13
2004-12-14 09:16
你不會是因為用單管成本比較低才用的把
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