用PWM進(jìn)行直流有刷電機(jī)調(diào)速時(shí)MOSFET發(fā)熱問題!

在上面的電路中,pwm的頻率是:20KHz,用12V的電池供電,驅(qū)動一直流電機(jī),最大電流是:400A.,調(diào)速方法是:Q1常開,Q4進(jìn)行PWM驅(qū)動,更改其占空比達(dá)到更改速度的目的.另外一路同理.

在進(jìn)行調(diào)速時(shí),電路大概在100A左右,散熱片在不到20秒的時(shí)間內(nèi)溫度達(dá)到80度.(這個(gè)場管的最高溫度不能超過150度.),但不用PWM(將Q1和Q4打開保持一個(gè)相同的電平)這時(shí)電流在200以上時(shí)間在2分鐘以上而溫度也未超過60度.(環(huán)境溫度:28度),
請問:這是何原因,及如何解決.謝謝!

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yzzjw

LV.2

2007-05-17 23:04

沒人回應(yīng)呢?自己頂一下,在線等候高手指點(diǎn).

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江湖電源

LV.9

2007-05-18 08:47

@yzzjw

沒人回應(yīng)呢?自己頂一下,在線等候高手指點(diǎn).

請選用低導(dǎo)通內(nèi)阻的MOS管

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yzzjw

LV.2

2007-05-18 11:29

@江湖電源

請選用低導(dǎo)通內(nèi)阻的MOS管

謝謝指點(diǎn).我現(xiàn)在選用的MOSFET是IRLC3713,買來的是晶園,然后劃片后再用邦定機(jī)自己邦定的.從這個(gè)MOSFET的數(shù)據(jù)手冊上看它Vgs=10@3mΩ,再加上邦定線就4mΩ,但,就算是400A的電流其它功率:

Pmosfet = I*I*R = 400*400*(0.004/6)
= 106W
但我這個(gè)散熱器是: 可以做145W的,而且我現(xiàn)在的電流也只是100A,所以就在20S就這么高的溫度是不是有其它問題.謝謝

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lyjy

LV.7

2007-05-18 14:44

@yzzjw

謝謝指點(diǎn).我現(xiàn)在選用的MOSFET是IRLC3713,買來的是晶園,然后劃片后再用邦定機(jī)自己邦定的.從這個(gè)MOSFET的數(shù)據(jù)手冊上看它Vgs=10@3mΩ,再加上邦定線就4mΩ,但,就算是400A的電流其它功率:Pmosfet=I*I*R=400*400*(0.004/6) =106W但我這個(gè)散熱器是:可以做145W的,而且我現(xiàn)在的電流也只是100A,所以就在20S就這么高的溫度是不是有其它問題.謝謝

什么叫晶園?劃片邦定?你是自制mos管子嗎?我很驚訝!

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yzzjw

LV.2

2007-05-18 16:58

@lyjy

什么叫晶園?劃片邦定?你是自制mos管子嗎?我很驚訝!

沒有什么好驚訝的.你現(xiàn)在在市場上買的晶休管都是這樣的過程生產(chǎn)過來的.晶園就是IC廠家做出來的.然后再經(jīng)過劃片然后再將其劃下的晶片貼片一個(gè)母片上,再用邦定機(jī)把線引出來再用固體材料如AB膠把它封起來就成了.我們現(xiàn)在做只是少了廠家給我休的后幾部而已.沒有什么啊.我們自己做價(jià)格要比生產(chǎn)廠家便宜得多啊!如果你有電機(jī)控制方面的東西,請你介紹一下我上面的問題有什么好的辦法來解決呢?

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whj_1984

LV.2

2007-06-01 21:05

你可以降低下橋管的開關(guān)頻率,因?yàn)镸OS都有一個(gè)很大的導(dǎo)通損耗,比如降為2K左右.

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江湖電源

LV.9

2007-06-02 07:16

驅(qū)動也很重要,用示波器觀察G極上的波形是否正常,應(yīng)該是上升沿和下降沿都很徒.

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heavy_metal

LV.1

2007-06-04 11:26

問題解決了嗎?

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yzzjw

LV.2

2007-08-30 08:18

@whj_1984

你可以降低下橋管的開關(guān)頻率,因?yàn)镸OS都有一個(gè)很大的導(dǎo)通損耗,比如降為2K左右.

我現(xiàn)在下橋的開關(guān)頻率是:3K

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yzzjw

LV.2

2007-08-30 08:20

@江湖電源

驅(qū)動也很重要,用示波器觀察G極上的波形是否正常,應(yīng)該是上升沿和下降沿都很徒.

我現(xiàn)在用的drive是Microchip公司的TC4420它的最大輸出電流是:6A,我算了一下,驅(qū)動還可以.上升沿時(shí)間為:210ns,下降沿時(shí)間是:230ns.

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yzzjw

LV.2

2007-08-30 08:21

@heavy_metal

問題解決了嗎?

現(xiàn)在問題還是沒有得到很好的解決.下步不知道如何做．

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number-one

LV.4

2007-08-30 09:02

@yzzjw

現(xiàn)在問題還是沒有得到很好的解決.下步不知道如何做．

降低開關(guān)頻率,加大RCD吸收試下!

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yuly1

LV.4

2007-08-30 10:12

@yzzjw

我現(xiàn)在用的drive是Microchip公司的TC4420它的最大輸出電流是:6A,我算了一下,驅(qū)動還可以.上升沿時(shí)間為:210ns,下降沿時(shí)間是:230ns.

你從兩個(gè)方面找原因:
1開關(guān)損耗--驅(qū)動波形,驅(qū)動電壓輻值與導(dǎo)通壓降有關(guān),MOS的驅(qū)動上升與下降沿越快越好;電感性負(fù)載可更改吸收方式,可在電機(jī)兩端也并吸收(看開通損耗大還是關(guān)斷損耗大);開關(guān)頻率
2導(dǎo)通損耗
其它別無原因,安裝引起的就不討論啦,你的問題應(yīng)是第一種

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number-one

LV.4

2007-08-30 11:26

@yuly1

你從兩個(gè)方面找原因:1開關(guān)損耗--驅(qū)動波形,驅(qū)動電壓輻值與導(dǎo)通壓降有關(guān),MOS的驅(qū)動上升與下降沿越快越好;電感性負(fù)載可更改吸收方式,可在電機(jī)兩端也并吸收(看開通損耗大還是關(guān)斷損耗大);開關(guān)頻率2導(dǎo)通損耗其它別無原因,安裝引起的就不討論啦,你的問題應(yīng)是第一種

同意觀點(diǎn)

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yzzjw

LV.2

2007-10-15 08:56

@number-one

降低開關(guān)頻率,加大RCD吸收試下!

你是對的.應(yīng)該要加上RCD吸收電路,這樣MOSFET在關(guān)斷的時(shí)候沒有過高的電壓沖擊MOSFET,MOSFET也不會容易壞,關(guān)鍵是這個(gè)RCD吸收的值如何計(jì)算?如果R功率太大的話,就很困難了.因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)限制.

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yzzjw

LV.2

2007-10-15 09:00

@yuly1

你從兩個(gè)方面找原因:1開關(guān)損耗--驅(qū)動波形,驅(qū)動電壓輻值與導(dǎo)通壓降有關(guān),MOS的驅(qū)動上升與下降沿越快越好;電感性負(fù)載可更改吸收方式,可在電機(jī)兩端也并吸收(看開通損耗大還是關(guān)斷損耗大);開關(guān)頻率2導(dǎo)通損耗其它別無原因,安裝引起的就不討論啦,你的問題應(yīng)是第一種

多謝指點(diǎn).我現(xiàn)在用的Drive是Microchip的TC4420.這個(gè)驅(qū)動我的MOSFET我計(jì)算過.沒有問題,上升時(shí)間與下降時(shí)間都很快.分別是210ns和300ns左右.pwm的頻率是3k.現(xiàn)在的問題是MOSFET很容易燒毀,我想應(yīng)該是沒有加吸收回路引起的,閣下是否知道如何計(jì)算RCD或RC吸收回的值,多謝謝!

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