我是電力電子這個(gè)領(lǐng)域的新手,也在積極地學(xué)習(xí)中,最近把有關(guān)電容器件的學(xué)習(xí)知識(shí)總結(jié)給大家共享,也同時(shí)希望大家能夠指正,給與我更多地幫助.我的目標(biāo)是一名優(yōu)秀的電源工程師.
一 薄膜電容器
在電子線路中的應(yīng)用
1. 在振蕩電路,定時(shí)電路,延遲電路和濾波器中的應(yīng)用.
在這幾種電路中,要求電容器的電容量具有良好的溫度穩(wěn)定性,保證振蕩頻率,定時(shí)時(shí)間,延遲時(shí)間具有良好的溫度穩(wěn)定性,此時(shí)選用溫度系數(shù)低的聚碳酸酯介質(zhì)電容為首選,其溫度系數(shù)可以接近于零.其次應(yīng)選用的是復(fù)合膜電容器,在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)中以CH表示,如國(guó)產(chǎn)的CH11復(fù)合膜電容器的電容量可以從1nF—0.47uF,在市場(chǎng)上很容易找到,采用黃色樹脂封裝.
如果在溫度幾乎不變的情況下電容器的選擇無特殊的要求,但是一定不能選用第二類陶瓷介質(zhì)(其電容量隨電容器的溫度變化太大).
2. 在積分電路中的應(yīng)用
在積分電路中,積分時(shí)間常數(shù)是由積分電容器和電阻決定的,通常電阻有良好的溫度特性,所以最關(guān)鍵的是要保證電容量的穩(wěn)定,這一點(diǎn)與前面所述電路沒有區(qū)別,與它們不同的是,積分電路具有保持功能,因而要電容器的絕緣電阻越高越好,同時(shí)要保持積分的準(zhǔn)確性,電容器的介質(zhì)吸收要低.所以,通常積分電路的積分電容器應(yīng)選擇介質(zhì)吸收低的,然后考慮的是溫度系數(shù),絕緣電阻.綜合考慮應(yīng)首選介質(zhì)吸收最低的聚苯乙丙烯介質(zhì)電容器.
電容器的選擇和注意事項(xiàng)(1)
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@雪山無痕
有道理,在開關(guān)電源中用到的電容有:陶瓷,MYLAR,金屬,積層,電解等,而開關(guān)電源所設(shè)計(jì)的電路不謂乎以下幾種:吸收回路,輸出反饋回路,過壓/過載/過溫回路/風(fēng)扇控制等,所以不同的電路,需要不同的電容,在吸收回路里我們常用陶瓷電容,其溫度特性要好,輸出反饋回路也會(huì)用到陶瓷電容,斜坡補(bǔ)償需要金屬電容,因其溫度特性更好,延時(shí)電路常用MYLAR電容,輸出濾波當(dāng)然要用電解,輸入對(duì)地間電容要用高壓環(huán)氧樹脂電容.
3. 在采樣-保持電路中的應(yīng)用
在這種電路中的最關(guān)鍵的是電容器的絕緣電阻,應(yīng)以選擇絕緣電阻最高的介質(zhì)為首選.如果頻率較高,還應(yīng)考慮損耗因數(shù),通常在薄膜電容中,損耗因數(shù)均可以滿足要求.
4. 作為耦合電容器
既要將交流或脈沖信號(hào)“無衰減”的耦合到后級(jí),同時(shí)又不能影響后級(jí)的直流工作點(diǎn),因而需要電容器的絕緣電阻要高,通常的聚酯薄膜電容即可滿足要求.
5. 作為MOSFET開關(guān)與IGBT開關(guān)的緩沖電容器
通常的IGBT緩沖電路主要有三種形式
二 陶瓷介質(zhì)電容器
1. I類陶瓷電容器
過去稱高頻陶瓷電容器,是指介質(zhì)損耗小,絕緣電阻高,介電常數(shù)隨溫度呈線性變化的陶瓷介質(zhì)制造的電容器.它特別適用于諧振回路,以及其他要求損耗小和電容量穩(wěn)定的電路,或用于溫度補(bǔ)償.
2. II類陶瓷電容器
過去被稱作低頻陶瓷電容器,這類電容的比電容大,容量隨溫度呈非線性變化,損耗較大,常用在電子設(shè)備中用于旁路,耦合或用于其他對(duì)損耗和電容量穩(wěn)定性要求不高的電路中.
陶瓷電容的基本特性:具有較高甚至非常高的介電常數(shù).I類超穩(wěn)定介質(zhì)用于高頻,但電容量作的不可能很大,通常1206SMD封裝的電容從0.5pF到0.01uF.而II類穩(wěn)定介質(zhì)對(duì)應(yīng)的電容則可做到2.2uF或再高一些.II類的可用級(jí)陶瓷介質(zhì)材料可達(dá)到100uF.
在這種電路中的最關(guān)鍵的是電容器的絕緣電阻,應(yīng)以選擇絕緣電阻最高的介質(zhì)為首選.如果頻率較高,還應(yīng)考慮損耗因數(shù),通常在薄膜電容中,損耗因數(shù)均可以滿足要求.
4. 作為耦合電容器
既要將交流或脈沖信號(hào)“無衰減”的耦合到后級(jí),同時(shí)又不能影響后級(jí)的直流工作點(diǎn),因而需要電容器的絕緣電阻要高,通常的聚酯薄膜電容即可滿足要求.
5. 作為MOSFET開關(guān)與IGBT開關(guān)的緩沖電容器
通常的IGBT緩沖電路主要有三種形式
二 陶瓷介質(zhì)電容器
1. I類陶瓷電容器
過去稱高頻陶瓷電容器,是指介質(zhì)損耗小,絕緣電阻高,介電常數(shù)隨溫度呈線性變化的陶瓷介質(zhì)制造的電容器.它特別適用于諧振回路,以及其他要求損耗小和電容量穩(wěn)定的電路,或用于溫度補(bǔ)償.
2. II類陶瓷電容器
過去被稱作低頻陶瓷電容器,這類電容的比電容大,容量隨溫度呈非線性變化,損耗較大,常用在電子設(shè)備中用于旁路,耦合或用于其他對(duì)損耗和電容量穩(wěn)定性要求不高的電路中.
陶瓷電容的基本特性:具有較高甚至非常高的介電常數(shù).I類超穩(wěn)定介質(zhì)用于高頻,但電容量作的不可能很大,通常1206SMD封裝的電容從0.5pF到0.01uF.而II類穩(wěn)定介質(zhì)對(duì)應(yīng)的電容則可做到2.2uF或再高一些.II類的可用級(jí)陶瓷介質(zhì)材料可達(dá)到100uF.
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@pioneerlxf
3.在采樣-保持電路中的應(yīng)用在這種電路中的最關(guān)鍵的是電容器的絕緣電阻,應(yīng)以選擇絕緣電阻最高的介質(zhì)為首選.如果頻率較高,還應(yīng)考慮損耗因數(shù),通常在薄膜電容中,損耗因數(shù)均可以滿足要求.4.作為耦合電容器既要將交流或脈沖信號(hào)“無衰減”的耦合到后級(jí),同時(shí)又不能影響后級(jí)的直流工作點(diǎn),因而需要電容器的絕緣電阻要高,通常的聚酯薄膜電容即可滿足要求.5.作為MOSFET開關(guān)與IGBT開關(guān)的緩沖電容器通常的IGBT緩沖電路主要有三種形式二陶瓷介質(zhì)電容器1.I類陶瓷電容器過去稱高頻陶瓷電容器,是指介質(zhì)損耗小,絕緣電阻高,介電常數(shù)隨溫度呈線性變化的陶瓷介質(zhì)制造的電容器.它特別適用于諧振回路,以及其他要求損耗小和電容量穩(wěn)定的電路,或用于溫度補(bǔ)償.2.II類陶瓷電容器過去被稱作低頻陶瓷電容器,這類電容的比電容大,容量隨溫度呈非線性變化,損耗較大,常用在電子設(shè)備中用于旁路,耦合或用于其他對(duì)損耗和電容量穩(wěn)定性要求不高的電路中.陶瓷電容的基本特性:具有較高甚至非常高的介電常數(shù).I類超穩(wěn)定介質(zhì)用于高頻,但電容量作的不可能很大,通常1206SMD封裝的電容從0.5pF到0.01uF.而II類穩(wěn)定介質(zhì)對(duì)應(yīng)的電容則可做到2.2uF或再高一些.II類的可用級(jí)陶瓷介質(zhì)材料可達(dá)到100uF.
不錯(cuò),頂起!!!!!
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@pioneerlxf
3.在采樣-保持電路中的應(yīng)用在這種電路中的最關(guān)鍵的是電容器的絕緣電阻,應(yīng)以選擇絕緣電阻最高的介質(zhì)為首選.如果頻率較高,還應(yīng)考慮損耗因數(shù),通常在薄膜電容中,損耗因數(shù)均可以滿足要求.4.作為耦合電容器既要將交流或脈沖信號(hào)“無衰減”的耦合到后級(jí),同時(shí)又不能影響后級(jí)的直流工作點(diǎn),因而需要電容器的絕緣電阻要高,通常的聚酯薄膜電容即可滿足要求.5.作為MOSFET開關(guān)與IGBT開關(guān)的緩沖電容器通常的IGBT緩沖電路主要有三種形式二陶瓷介質(zhì)電容器1.I類陶瓷電容器過去稱高頻陶瓷電容器,是指介質(zhì)損耗小,絕緣電阻高,介電常數(shù)隨溫度呈線性變化的陶瓷介質(zhì)制造的電容器.它特別適用于諧振回路,以及其他要求損耗小和電容量穩(wěn)定的電路,或用于溫度補(bǔ)償.2.II類陶瓷電容器過去被稱作低頻陶瓷電容器,這類電容的比電容大,容量隨溫度呈非線性變化,損耗較大,常用在電子設(shè)備中用于旁路,耦合或用于其他對(duì)損耗和電容量穩(wěn)定性要求不高的電路中.陶瓷電容的基本特性:具有較高甚至非常高的介電常數(shù).I類超穩(wěn)定介質(zhì)用于高頻,但電容量作的不可能很大,通常1206SMD封裝的電容從0.5pF到0.01uF.而II類穩(wěn)定介質(zhì)對(duì)應(yīng)的電容則可做到2.2uF或再高一些.II類的可用級(jí)陶瓷介質(zhì)材料可達(dá)到100uF.
頂
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@雪山無痕
有道理,在開關(guān)電源中用到的電容有:陶瓷,MYLAR,金屬,積層,電解等,而開關(guān)電源所設(shè)計(jì)的電路不謂乎以下幾種:吸收回路,輸出反饋回路,過壓/過載/過溫回路/風(fēng)扇控制等,所以不同的電路,需要不同的電容,在吸收回路里我們常用陶瓷電容,其溫度特性要好,輸出反饋回路也會(huì)用到陶瓷電容,斜坡補(bǔ)償需要金屬電容,因其溫度特性更好,延時(shí)電路常用MYLAR電容,輸出濾波當(dāng)然要用電解,輸入對(duì)地間電容要用高壓環(huán)氧樹脂電容.
請(qǐng)問一下Mylar電容是一種怎樣的電容,它的介質(zhì)是用的什麼材料?
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@pioneerlxf
聚酯薄膜電容,薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極,將其和聚乙酯,聚丙烯,聚笨乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜,從兩端重疊后,卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器.聚乙酯電容(又稱Mylar電容).
作為用家,你說得很不錯(cuò),頂!
但要糾正一下:
薄膜電容的準(zhǔn)確定義是指用薄膜做介質(zhì)的電容.電極有可能是金屬化薄膜上的金屬層,也可能是鋁箔.常見的薄膜有聚丙烯,聚酯等.你說的Mylar電容倒沒錯(cuò),是鋁箔做電機(jī),國(guó)內(nèi)的型號(hào)也叫CL11.但CL21,國(guó)外叫MEF 也是聚酯薄膜電容,結(jié)構(gòu)上是沒有鋁箔的.
但要糾正一下:
薄膜電容的準(zhǔn)確定義是指用薄膜做介質(zhì)的電容.電極有可能是金屬化薄膜上的金屬層,也可能是鋁箔.常見的薄膜有聚丙烯,聚酯等.你說的Mylar電容倒沒錯(cuò),是鋁箔做電機(jī),國(guó)內(nèi)的型號(hào)也叫CL11.但CL21,國(guó)外叫MEF 也是聚酯薄膜電容,結(jié)構(gòu)上是沒有鋁箔的.
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