R31前是接芯片的IO口,芯片IO復(fù)位默認(rèn)輸出高電平!
這個(gè)電路上電和斷電如何保護(hù)
下面的電路上電和斷電如何保護(hù)?
R31前是接芯片的IO口,芯片IO復(fù)位默認(rèn)輸出高電平!
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電路有錯(cuò). Q2 應(yīng)該是8550.
上電時(shí)IO口輸出高,Q3,Q2 飽和導(dǎo)通, 將Q7,Q8的基極拉低,使IGBT處于關(guān)閉. 啟動(dòng)加熱時(shí),IO口輸出低, Q3,Q2截止, IGBT驅(qū)動(dòng)電路正常工作.
該保護(hù)電路作用不大. 在上電時(shí),若5V比18V起來得慢, 即Q7,Q8 已經(jīng)工作,而Q3 由于沒有5V加在基極,無法導(dǎo)通,Q2也處于截止, 此時(shí)若比較器狀態(tài)混亂, U2D輸出高, 仍然可能導(dǎo)致IGBT上電燒毀.
我們的方案很早就淘汰這種上電保護(hù)了,代之以一種更合理,也更簡(jiǎn)單有效的上電保護(hù)電路. 無論電源上電時(shí)序或延遲如何,均能保證在上電瞬間將IGBT驅(qū)動(dòng)極強(qiáng)制拉至地電平.
上電時(shí)IO口輸出高,Q3,Q2 飽和導(dǎo)通, 將Q7,Q8的基極拉低,使IGBT處于關(guān)閉. 啟動(dòng)加熱時(shí),IO口輸出低, Q3,Q2截止, IGBT驅(qū)動(dòng)電路正常工作.
該保護(hù)電路作用不大. 在上電時(shí),若5V比18V起來得慢, 即Q7,Q8 已經(jīng)工作,而Q3 由于沒有5V加在基極,無法導(dǎo)通,Q2也處于截止, 此時(shí)若比較器狀態(tài)混亂, U2D輸出高, 仍然可能導(dǎo)致IGBT上電燒毀.
我們的方案很早就淘汰這種上電保護(hù)了,代之以一種更合理,也更簡(jiǎn)單有效的上電保護(hù)電路. 無論電源上電時(shí)序或延遲如何,均能保證在上電瞬間將IGBT驅(qū)動(dòng)極強(qiáng)制拉至地電平.
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@ns_ih
電路有錯(cuò).Q2應(yīng)該是8550.上電時(shí)IO口輸出高,Q3,Q2飽和導(dǎo)通,將Q7,Q8的基極拉低,使IGBT處于關(guān)閉.啟動(dòng)加熱時(shí),IO口輸出低,Q3,Q2截止,IGBT驅(qū)動(dòng)電路正常工作.該保護(hù)電路作用不大.在上電時(shí),若5V比18V起來得慢,即Q7,Q8已經(jīng)工作,而Q3由于沒有5V加在基極,無法導(dǎo)通,Q2也處于截止,此時(shí)若比較器狀態(tài)混亂,U2D輸出高,仍然可能導(dǎo)致IGBT上電燒毀.我們的方案很早就淘汰這種上電保護(hù)了,代之以一種更合理,也更簡(jiǎn)單有效的上電保護(hù)電路.無論電源上電時(shí)序或延遲如何,均能保證在上電瞬間將IGBT驅(qū)動(dòng)極強(qiáng)制拉至地電平.
ding,路過!!!!!!!!!!!
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