關(guān)注中

第二種,兩個MOS外反向并聯(lián)快恢,理論上減少了一個二極管的通態(tài)壓 降,但不知道反向恢復(fù)問題能否解決?
     SPW47N60C3 體內(nèi)二極管反向恢復(fù)時間580ns,
     mur1560,反向恢復(fù)時間60ns.
*********
mur1560比體內(nèi)二極管反向恢復(fù)時間短,反向恢復(fù)可以改善.

沒看明白不要亂回貼

反向并聯(lián)肯定不行,哪一定是導(dǎo)通的.
共S反向串聯(lián),是有可能的,但控制信號在過零時要關(guān)閉.
你可能要保證在過零點(diǎn)前大于二極管恢復(fù)的時間關(guān)閉

或你要保證給兩個管同時加導(dǎo)通信號,關(guān)斷時就不存在二極管反向恢復(fù)的問題了

我來說兩句:

二極管橋路加一個開關(guān)管的方案確實可行, 其疑惑點(diǎn)是: 4只二極管理論上看不出來需要快恢復(fù),他們在高頻狀態(tài)下由開關(guān)管關(guān)斷電流或?qū)?似乎不承擔(dān)反向電壓,也就不應(yīng)該有(高頻狀態(tài)的)反向恢復(fù)問題,這個問題誰能夠明確分析并確認(rèn)?

兩開關(guān)管反向并聯(lián)確實有人在用(但是樓主給的圖是反向串聯(lián)的),但是一般開關(guān)管反向耐壓較低,也不提倡利用反向耐壓特性(除非用于低電壓輸出的同步整流),更何況好多開關(guān)管內(nèi)部集成了一個反向?qū)ǖ亩O管(造成反向無耐壓),所以使用中一般應(yīng)該在每只開關(guān)管上再串聯(lián)一個二極管承擔(dān)反向電壓,這個二極管除了有個壓降(效率)問題外,還有沒有反向恢復(fù)問題?

兩開關(guān)管(共射)反向串聯(lián)(如圖)被認(rèn)為是較好的方案, 如果每只管內(nèi)部含有一個(同過流、耐壓特性)反向?qū)ǘO管就更加完美, 除綜合管壓降小外,最大的好處是兩只開關(guān)管共射極,僅需要一組驅(qū)動電源,大大簡化了驅(qū)動電路.但是目前這個方案仍然存在下列問題:
由于并不是針對本主題的應(yīng)用,一般開關(guān)管內(nèi)部集成的二極管并不具備和開關(guān)管本身相同的過流、耐壓特性(有的還是穩(wěn)壓二極管),其反向恢復(fù)特性也非常差,實際應(yīng)用時恐怕也有問題.如果誰能夠按此方案并針對其問題做出一種完美雙向開關(guān)器件(IPM)就好了.

兩個MOS反向并聯(lián)肯定不行吧,怎么有人用?不知是如何應(yīng)用?
第一種方案中,高頻情況下,雖然二極管不承受反壓 ,但還是存在反向恢復(fù)問題的吧,二極管從導(dǎo)通到截止,出現(xiàn)一個反向電流,這個反向電流使雙向開關(guān)在本應(yīng)關(guān)斷時,等效為開通.
普通二極管反向恢復(fù)時間要比MOS體二極管的長,因此,整個開關(guān)要承受MOS的反向恢復(fù)(較長).本人認(rèn)為,至少應(yīng)該用兩個快恢.
另外,你說的體內(nèi)二極管的耐壓,耐流能力不能與MOS本身等同,是這樣嗎?
一般MOS的使用手冊上標(biāo)明的體內(nèi)二極管與MOS應(yīng)該是等同的,唯一的問題是反向恢復(fù)問題.
是這樣嗎?

我的兩個管子就是用的同一個控制信號,
可為什么這時就不存在反向恢復(fù)問題了呢?
你的意思是不是只有在開關(guān)換向時,也就是過零點(diǎn)才存在反向恢復(fù)問題?
如果那樣的話我認(rèn)為可以忽略,
我的電源周期是400,開關(guān)周期是100K
我認(rèn)為開關(guān)狀態(tài)下的反向恢復(fù)也不能忽略

雙向開關(guān)的應(yīng)用場合 750811183204106.doc

雙管并聯(lián)人家是這樣用的:

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/55/1061481183255333.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

關(guān)于工況,想進(jìn)一步討論,
第一種情況,關(guān)斷是靠MOS管,關(guān)段斷后二極管上怎么還會有反向電流? 即使MOS管關(guān)斷不徹底,有拖尾,也不能指望靠二極管的反向恢復(fù)特性來改善啊,我希望誰能夠定量回答這個問題.
其他情況,關(guān)鍵點(diǎn)是確定帶體內(nèi)二極管的開關(guān)管(MOS/IGBT)的工況,究竟有沒有反向恢復(fù)問題? 如果有,顯然使用不含體內(nèi)二極管的器件來搭建電路最合適.

不帶體內(nèi)二極管的器件中 ,有適合高速開關(guān)的嗎?
國外的一些專利中提到共D連接的,與并聯(lián)情況相似,兩管需要分開驅(qū)動.
共S連接的少有,看來存在反向恢復(fù)問題
傳一個共S的模塊
750811183263666.pdf

自己頂一下,路過的高手指點(diǎn)一下啊,給透徹地分析一下,期……待……

看了你的應(yīng)用場合,個人認(rèn)為可用兩個可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅,就象UPS中的靜態(tài)開關(guān)一樣.

如果沒有PWM驅(qū)動,雙向可控硅就可以,
如果PWM驅(qū)動,雙向可控硅肯定不行,兩個串了快恢復(fù)的單向可控硅反向并聯(lián)用過,但是有問題(發(fā)熱), 可控硅導(dǎo)通速度一般在2uS左右(好多型號根本不給這個參數(shù)---可控硅都是針對低頻應(yīng)用的),也不知道是不是這個速度跟不上造成的.

對,可控硅太慢了,我的開關(guān)頻率希望在100K甚至更高,
不知現(xiàn)在有沒有快一點(diǎn)的IGBT,用來代替MOS,是不是可以解決這個問題?

最近看到關(guān)于MOS應(yīng)用的帖子比較多,強(qiáng)烈建議各位老師,各位前輩開課,讓我們后來者充充電……

現(xiàn)在有一種器件,叫MCT,不知可行否．它是MOS+SCR.

傳一個MCT  datasheet給你,不知有用否? 1210771183426401.pdf

不懂MOS管特性,不知道D、S有什么區(qū)別.
斗膽建議:選一只不含體二極管的MOS,直接當(dāng)雙向開關(guān)使用.
只當(dāng)GS是繼電器的線圈(有極性),DS是繼電器的無極性接點(diǎn).

如果不能關(guān)斷,意思不大

見datasheet 圖15  能關(guān)斷

有沒有典型應(yīng)用電路?

二極管是由于工藝,體內(nèi)自帶的,
有沒有不含體內(nèi)二極管的MOS管?我沒找到這方面的資料.
如果有的話,給發(fā)個資料,謝謝

謝謝了先,
簡單看了一下,不是十分清楚,好象是個P-Type MOS Controlled Thyristor
不知有沒有N-Type的.
另外,
它的tD(ON)=140 ns;
tR=180ns;
tD(OFF)=640ns;
tF=1.1us
我怎么看特性跟IGBT相似,
應(yīng)用上兩者有什么區(qū)別嗎

是的,IGBT制造上是MOS+transistor  MCT制造上是MOS+SCR.MCT可用于大功率電子開關(guān)．

IGBT是MOS+transistor,MCT是MOS+SCR,我只知道MCT可用于大功率電子開關(guān).其他也不太了解.

我也沒找到無體二極管的MOS,只是印象當(dāng)中好象是有的,也許印象錯誤.不過給你如下建議,不知是否可行:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/55/529751183504706.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/55/529751183504721.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

根據(jù)波形,應(yīng)該可控.

可控是沒問題,我也用saber仿真過,但現(xiàn)在問題是MOS管它本身的二極管不宜流過電流(有些資料上這么說的,早期的產(chǎn)品手冊上好像也有說法)容易毀管子
有種應(yīng)用是在漏極專門順加一個二極管,抵制體內(nèi)二極管流過電流,然后再外反并一個快恢.但是這樣,同第一種方式相比,也沒有優(yōu)勢.
我已經(jīng)用你這種方法搭出來過,單獨(dú)實驗中效果還可以,看不出什么問題,但接入電路后,電流畸變較厲害,驅(qū)動功率大增,正在調(diào)整……

能將電流畸變波形貼上看看嗎?