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肖特基的溫度高!

各位高人,肖特基溫度高和變壓器的溫度高怎么解決
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jimmyjohn
LV.4
2
2007-11-29 16:37
變壓器參數(shù)設(shè)計(jì)不合理,很有可能是你的變壓器飽和了.你可以試試增加變壓器的初級(jí)繞組的電感量,還有,你的占空比做的是多大,頻率又是多少?你沒有給出這些主要參數(shù),沒有人能分析出來你的原因.
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wcylmp
LV.4
3
2007-11-29 17:08
@jimmyjohn
變壓器參數(shù)設(shè)計(jì)不合理,很有可能是你的變壓器飽和了.你可以試試增加變壓器的初級(jí)繞組的電感量,還有,你的占空比做的是多大,頻率又是多少?你沒有給出這些主要參數(shù),沒有人能分析出來你的原因.
輸出24V/5A,PQ32/30,NP:35T  NS:5T 肖特基:MBR20200CT,電感量:275UH測(cè)試過變壓器沒有飽和
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wcylmp
LV.4
4
2007-11-29 17:12
@wcylmp
輸出24V/5A,PQ32/30,NP:35T  NS:5T肖特基:MBR20200CT,電感量:275UH測(cè)試過變壓器沒有飽和
輸入:AC180-265V,DMAX:0.45  f:100khz
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洪七公
LV.9
5
2007-11-29 18:20
@wcylmp
輸出24V/5A,PQ32/30,NP:35T  NS:5T肖特基:MBR20200CT,電感量:275UH測(cè)試過變壓器沒有飽和
20200好象在5A的的功耗差不多4W,如果是做open frame的,建議加強(qiáng)散熱,如果是做全密閉的adaptor可以考慮用同步整流減少3W左右的損耗.

我們有能不用互感器,完全獨(dú)立與初級(jí),不用在SR Mosfet并蕭特基二極管能在DCM/QR/CCM都能工作的同步整流方案.我有客戶做24V/150W全電壓輸入的adaptor就用的我們的SP6013A SR方案,比你這120W輸出電流還大,目的也是為降低溫升.

如有興趣,可參考下面的帖子.

http://bbs.dianyuan.com/topic/175339
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wcylmp
LV.4
6
2007-11-29 18:41
@洪七公
20200好象在5A的的功耗差不多4W,如果是做openframe的,建議加強(qiáng)散熱,如果是做全密閉的adaptor可以考慮用同步整流減少3W左右的損耗.我們有能不用互感器,完全獨(dú)立與初級(jí),不用在SRMosfet并蕭特基二極管能在DCM/QR/CCM都能工作的同步整流方案.我有客戶做24V/150W全電壓輸入的adaptor就用的我們的SP6013ASR方案,比你這120W輸出電流還大,目的也是為降低溫升.如有興趣,可參考下面的帖子.http://bbs.dianyuan.com/topic/175339
價(jià)格多少
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wcylmp
LV.4
7
2007-12-06 11:09
@wcylmp
價(jià)格多少
除了用同步整流外還有什么好的方法,現(xiàn)感量為350UH,仍有點(diǎn)高
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tommyyang
LV.1
8
2007-12-06 12:40
可以試一試性能好一些的肖特基如VF低的.
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wcylmp
LV.4
9
2007-12-06 13:39
@tommyyang
可以試一試性能好一些的肖特基如VF低的.
有沒有規(guī)格書
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hysman
LV.6
10
2007-12-06 21:11
@whchery
關(guān)注
用二個(gè)肖特基:MBR20200CT并聯(lián)工作.
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wcylmp
LV.4
11
2007-12-07 08:00
@hysman
用二個(gè)肖特基:MBR20200CT并聯(lián)工作.
我現(xiàn)在是用的兩個(gè)MBR20200CT并聯(lián)
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洪七公
LV.9
12
2007-12-07 08:46
@wcylmp
我現(xiàn)在是用的兩個(gè)MBR20200CT并聯(lián)
個(gè)人認(rèn)為并聯(lián)2PCS VF降低并不大(當(dāng)然也看并聯(lián)的個(gè)數(shù)來說),效率提高輕微,如果做open-frame的產(chǎn)品,因diode溫度相對(duì)有點(diǎn)降低,溫升慢,因?yàn)榭諝饬鲃?dòng),相對(duì)散系統(tǒng)熱效果就較好,這樣通過diode并聯(lián)的方法對(duì)降低系統(tǒng)溫升有幫助.但如果做全密閉的,系統(tǒng)的散熱效果沒有改變,熱量會(huì)在密閉空間內(nèi)積聚,熱還是散發(fā)不出去,最終還是會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)溫升上升,少量diode并聯(lián)最多是把系統(tǒng)溫升上升時(shí)間延緩而已.特別是塑膠外殼,導(dǎo)熱系數(shù)小,在內(nèi)部即使加大散熱片這些措施但因外殼不能把熱量快速傳遞到系統(tǒng)外估計(jì)收效都不大,如果外殼是導(dǎo)熱系數(shù)大的外殼比如金屬,利用外殼散熱幫助就大了.

所以個(gè)人覺得最有效的方法還是提高效率,用同步整流或用上面推薦的Low VF的二極管,或者就是在現(xiàn)有的基礎(chǔ)上改善初級(jí)的設(shè)計(jì)看能否幫系統(tǒng)效率提高.
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miql
LV.5
13
2007-12-07 13:38
@洪七公
個(gè)人認(rèn)為并聯(lián)2PCSVF降低并不大(當(dāng)然也看并聯(lián)的個(gè)數(shù)來說),效率提高輕微,如果做open-frame的產(chǎn)品,因diode溫度相對(duì)有點(diǎn)降低,溫升慢,因?yàn)榭諝饬鲃?dòng),相對(duì)散系統(tǒng)熱效果就較好,這樣通過diode并聯(lián)的方法對(duì)降低系統(tǒng)溫升有幫助.但如果做全密閉的,系統(tǒng)的散熱效果沒有改變,熱量會(huì)在密閉空間內(nèi)積聚,熱還是散發(fā)不出去,最終還是會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)溫升上升,少量diode并聯(lián)最多是把系統(tǒng)溫升上升時(shí)間延緩而已.特別是塑膠外殼,導(dǎo)熱系數(shù)小,在內(nèi)部即使加大散熱片這些措施但因外殼不能把熱量快速傳遞到系統(tǒng)外估計(jì)收效都不大,如果外殼是導(dǎo)熱系數(shù)大的外殼比如金屬,利用外殼散熱幫助就大了.所以個(gè)人覺得最有效的方法還是提高效率,用同步整流或用上面推薦的LowVF的二極管,或者就是在現(xiàn)有的基礎(chǔ)上改善初級(jí)的設(shè)計(jì)看能否幫系統(tǒng)效率提高.
如果電路沒問題,可以用用導(dǎo)熱陶瓷片,幫你將熱導(dǎo)到散熱片上;一般管子發(fā)熱是散熱不良引起,測(cè)量一下管子與散熱片的溫差,中間墊的絕緣片是什么材料,絕緣片的好壞,很重要;如果溫差大,管子容易發(fā)熱,管子很燙啦,散熱片還沒有發(fā)熱,也是各位高工易忽略的問題.導(dǎo)熱陶瓷片溫差小,可以試試.還者用導(dǎo)熱軟性矽膠片將熱導(dǎo)向外殼,幫助散熱.功率器件都會(huì)發(fā)熱,發(fā)熱過高則炸機(jī),散熱片的材質(zhì)訣定散熱效果,有的散熱片散熱很不理想.
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jqun
LV.6
14
2007-12-07 14:26
@洪七公
個(gè)人認(rèn)為并聯(lián)2PCSVF降低并不大(當(dāng)然也看并聯(lián)的個(gè)數(shù)來說),效率提高輕微,如果做open-frame的產(chǎn)品,因diode溫度相對(duì)有點(diǎn)降低,溫升慢,因?yàn)榭諝饬鲃?dòng),相對(duì)散系統(tǒng)熱效果就較好,這樣通過diode并聯(lián)的方法對(duì)降低系統(tǒng)溫升有幫助.但如果做全密閉的,系統(tǒng)的散熱效果沒有改變,熱量會(huì)在密閉空間內(nèi)積聚,熱還是散發(fā)不出去,最終還是會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)溫升上升,少量diode并聯(lián)最多是把系統(tǒng)溫升上升時(shí)間延緩而已.特別是塑膠外殼,導(dǎo)熱系數(shù)小,在內(nèi)部即使加大散熱片這些措施但因外殼不能把熱量快速傳遞到系統(tǒng)外估計(jì)收效都不大,如果外殼是導(dǎo)熱系數(shù)大的外殼比如金屬,利用外殼散熱幫助就大了.所以個(gè)人覺得最有效的方法還是提高效率,用同步整流或用上面推薦的LowVF的二極管,或者就是在現(xiàn)有的基礎(chǔ)上改善初級(jí)的設(shè)計(jì)看能否幫系統(tǒng)效率提高.
說的不錯(cuò).
另外,還得注意一下SKY的高溫反向漏電.不同廠家的差別比較大.也有影響.
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wcylmp
LV.4
15
2007-12-07 14:29
@jqun
說的不錯(cuò).另外,還得注意一下SKY的高溫反向漏電.不同廠家的差別比較大.也有影響.
現(xiàn)在用的肖特基是ON的MBR20200,有沒有其它的VF低的肖特基?
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肖特基
LV.2
16
2007-12-07 14:53
@洪七公
個(gè)人認(rèn)為并聯(lián)2PCSVF降低并不大(當(dāng)然也看并聯(lián)的個(gè)數(shù)來說),效率提高輕微,如果做open-frame的產(chǎn)品,因diode溫度相對(duì)有點(diǎn)降低,溫升慢,因?yàn)榭諝饬鲃?dòng),相對(duì)散系統(tǒng)熱效果就較好,這樣通過diode并聯(lián)的方法對(duì)降低系統(tǒng)溫升有幫助.但如果做全密閉的,系統(tǒng)的散熱效果沒有改變,熱量會(huì)在密閉空間內(nèi)積聚,熱還是散發(fā)不出去,最終還是會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)溫升上升,少量diode并聯(lián)最多是把系統(tǒng)溫升上升時(shí)間延緩而已.特別是塑膠外殼,導(dǎo)熱系數(shù)小,在內(nèi)部即使加大散熱片這些措施但因外殼不能把熱量快速傳遞到系統(tǒng)外估計(jì)收效都不大,如果外殼是導(dǎo)熱系數(shù)大的外殼比如金屬,利用外殼散熱幫助就大了.所以個(gè)人覺得最有效的方法還是提高效率,用同步整流或用上面推薦的LowVF的二極管,或者就是在現(xiàn)有的基礎(chǔ)上改善初級(jí)的設(shè)計(jì)看能否幫系統(tǒng)效率提高.
低正向的管子大概要訂做才行吧.
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肖特基
LV.2
17
2007-12-07 14:57
@hysman
用二個(gè)肖特基:MBR20200CT并聯(lián)工作.
為什么不是兩個(gè)SR20A0
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2007-12-07 15:05
**此帖已被管理員刪除**
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davinci
LV.4
19
2007-12-07 16:17
@洪七公
個(gè)人認(rèn)為并聯(lián)2PCSVF降低并不大(當(dāng)然也看并聯(lián)的個(gè)數(shù)來說),效率提高輕微,如果做open-frame的產(chǎn)品,因diode溫度相對(duì)有點(diǎn)降低,溫升慢,因?yàn)榭諝饬鲃?dòng),相對(duì)散系統(tǒng)熱效果就較好,這樣通過diode并聯(lián)的方法對(duì)降低系統(tǒng)溫升有幫助.但如果做全密閉的,系統(tǒng)的散熱效果沒有改變,熱量會(huì)在密閉空間內(nèi)積聚,熱還是散發(fā)不出去,最終還是會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)溫升上升,少量diode并聯(lián)最多是把系統(tǒng)溫升上升時(shí)間延緩而已.特別是塑膠外殼,導(dǎo)熱系數(shù)小,在內(nèi)部即使加大散熱片這些措施但因外殼不能把熱量快速傳遞到系統(tǒng)外估計(jì)收效都不大,如果外殼是導(dǎo)熱系數(shù)大的外殼比如金屬,利用外殼散熱幫助就大了.所以個(gè)人覺得最有效的方法還是提高效率,用同步整流或用上面推薦的LowVF的二極管,或者就是在現(xiàn)有的基礎(chǔ)上改善初級(jí)的設(shè)計(jì)看能否幫系統(tǒng)效率提高.
請(qǐng)問一下:我現(xiàn)在手上在做一個(gè)18W的系列機(jī),5V3A規(guī)格的肖特基溫度比較高,在環(huán)境為35度時(shí)都有上升到了125度,但24V0.75A規(guī)格肖特基就不會(huì)那么高,只有98度而已.具體參數(shù)為EF20,工作頻率為130KHz;5V3A肖特基:20A60V;24V0.75A肖特基:3A150V.
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jqun
LV.6
20
2007-12-07 16:52
@davinci
請(qǐng)問一下:我現(xiàn)在手上在做一個(gè)18W的系列機(jī),5V3A規(guī)格的肖特基溫度比較高,在環(huán)境為35度時(shí)都有上升到了125度,但24V0.75A規(guī)格肖特基就不會(huì)那么高,只有98度而已.具體參數(shù)為EF20,工作頻率為130KHz;5V3A肖特基:20A60V;24V0.75A肖特基:3A150V.
肯定是5V/3A的整流管產(chǎn)生的熱量多.具體值可以算一下.
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davinci
LV.4
21
2007-12-07 20:55
@jqun
肯定是5V/3A的整流管產(chǎn)生的熱量多.具體值可以算一下.
之前做的電源幵關(guān)頻率一般都比較低,但這次由於對(duì)體積有所要求,所以只好提高頻率到130K以委屈求成;當(dāng)改變肖特基RC吸收中的電容時(shí),肖特基溫度在電容取值471K/100V既然比101K/100V時(shí)高出20度之大,就是想不通爲(wèi)何這般?還有更大的困惑:此顆電容對(duì)EMI影響又那么大,上次外出摸底時(shí)都還有很大余量,還是比較擔(dān)心啊...
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洪七公
LV.9
22
2007-12-07 21:08
@肖特基
為什么不是兩個(gè)SR20A0
SR20A0 好象耐壓100V吧?LZ估計(jì)用不了.況且Vf并不比MBR20200好多少.其實(shí)就是按上面的訂做一個(gè)VF低點(diǎn)的或新電元的VF估計(jì)也不能降低多少,但5A電流如果是處于熱量超標(biāo)的臨界點(diǎn)也許有用.

Low VF的估計(jì)是Trench 蕭特基二極管,號(hào)稱VF最低的蕭特基二極管,Vishay剛推出不久,VF比傳統(tǒng)的蕭特基二極管有一點(diǎn)改善,但也并非改善非常大,供貨和價(jià)格也未必好(Vishay的普通產(chǎn)品供貨都不好,何況這種特殊玩意).新電元的是什么技術(shù)做的不太清楚,沒看見過spec.
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洪七公
LV.9
23
2007-12-07 21:12
@davinci
請(qǐng)問一下:我現(xiàn)在手上在做一個(gè)18W的系列機(jī),5V3A規(guī)格的肖特基溫度比較高,在環(huán)境為35度時(shí)都有上升到了125度,但24V0.75A規(guī)格肖特基就不會(huì)那么高,只有98度而已.具體參數(shù)為EF20,工作頻率為130KHz;5V3A肖特基:20A60V;24V0.75A肖特基:3A150V.
VF*I*deltaT初步估算一下.
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davinci
LV.4
24
2007-12-07 23:20
@洪七公
VF*I*deltaT初步估算一下.
好的,謝謝!!!
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肖特基
LV.2
25
2007-12-08 09:11
@洪七公
SR20A0好象耐壓100V吧?LZ估計(jì)用不了.況且Vf并不比MBR20200好多少.其實(shí)就是按上面的訂做一個(gè)VF低點(diǎn)的或新電元的VF估計(jì)也不能降低多少,但5A電流如果是處于熱量超標(biāo)的臨界點(diǎn)也許有用.LowVF的估計(jì)是Trench蕭特基二極管,號(hào)稱VF最低的蕭特基二極管,Vishay剛推出不久,VF比傳統(tǒng)的蕭特基二極管有一點(diǎn)改善,但也并非改善非常大,供貨和價(jià)格也未必好(Vishay的普通產(chǎn)品供貨都不好,何況這種特殊玩意).新電元的是什么技術(shù)做的不太清楚,沒看見過spec.
嘿嘿,不好意思,馬虎了
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davinci
LV.4
26
2007-12-08 11:54
@davinci
之前做的電源幵關(guān)頻率一般都比較低,但這次由於對(duì)體積有所要求,所以只好提高頻率到130K以委屈求成;當(dāng)改變肖特基RC吸收中的電容時(shí),肖特基溫度在電容取值471K/100V既然比101K/100V時(shí)高出20度之大,就是想不通爲(wèi)何這般?還有更大的困惑:此顆電容對(duì)EMI影響又那么大,上次外出摸底時(shí)都還有很大余量,還是比較擔(dān)心啊...
請(qǐng)問各位大哥還有沒什麼解決之道,安規(guī)申請(qǐng)已迫在眉睫,謝謝!!!
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310555397
LV.6
27
2007-12-09 22:41
@wcylmp
輸出24V/5A,PQ32/30,NP:35T  NS:5T肖特基:MBR20200CT,電感量:275UH測(cè)試過變壓器沒有飽和
怎么測(cè)試變壓器有沒有飽和?
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whchery
LV.7
28
2009-02-10 19:34
@wcylmp
有沒有規(guī)格書
關(guān)注
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