解決了溫升問題,本想把板子整理好點(diǎn),裝盒.
誰知一上電又炸了....查,開關(guān)管擊穿,3842損壞,限流電阻燒到開路,保險(xiǎn)管燒熔.
原來是重新焊板時(shí)忘記了將變壓器次級(jí)接地端接地.
請(qǐng)教大家: 變壓器次級(jí)線圈開路,為什么會(huì)炸掉那么多東西呢? 具體的損壞次序是什么樣的? 就是說先損壞哪個(gè)元件,然后導(dǎo)致?lián)p壞哪個(gè)元件,然后又導(dǎo)致?lián)p壞哪個(gè)元件........
調(diào)試至今,損壞最多的是保險(xiǎn)管,開關(guān)管和限流取樣電阻. 好象3842的限流沒有動(dòng)作啊?.........
心驚肉跳: 砰的一聲響,開關(guān)電源又炸了....
全部回復(fù)(21)
正序查看
倒序查看
@ruddle
反饋都沒了,限流點(diǎn)不能通過反饋設(shè)置,那么只有以IC內(nèi)部的參考電壓來進(jìn)行限流.currentsenseresistor一般是很小的,所以mosfet先掛了,然后就是脆弱的地方啦,fuse是慢斷的,所以板只黑了,哈哈!
應(yīng)該是的.
次級(jí)沒有輸出,反饋電壓為0,相當(dāng)于反饋環(huán)路開路.
但是,3842內(nèi)部限流比較電壓最高為1V, 而我的限流取樣電阻為0.5歐姆,
那么限流動(dòng)作Ipk=1/0.5=2A, 我的管子是4A的,峰值可達(dá)7A,怎么都不應(yīng)該
燒掉啊??......
很郁悶啊.....燒了無數(shù)個(gè)管子了....請(qǐng)高手指點(diǎn)啊...
次級(jí)沒有輸出,反饋電壓為0,相當(dāng)于反饋環(huán)路開路.
但是,3842內(nèi)部限流比較電壓最高為1V, 而我的限流取樣電阻為0.5歐姆,
那么限流動(dòng)作Ipk=1/0.5=2A, 我的管子是4A的,峰值可達(dá)7A,怎么都不應(yīng)該
燒掉啊??......
很郁悶啊.....燒了無數(shù)個(gè)管子了....請(qǐng)高手指點(diǎn)啊...
0
回復(fù)
@jxmlhy
在線等救助 :(
上面那位哥哥說的也有道理.
我想問一下你的機(jī)器是flyback的嗎?只有次級(jí)沒接地,初級(jí)和副繞組接好的嗎?
如果是,我想分析一下,請(qǐng)大家指教,謝謝!
我認(rèn)為如果沒有反饋,電源不穩(wěn)定的系統(tǒng).
1. 首先IC的VCC充電上到某個(gè)電壓v時(shí),IC開始輸出第一個(gè)mosfet驅(qū)動(dòng)方波,不過這個(gè)方波應(yīng)該很小(因?yàn)檫@時(shí)IC只能靠VIN端充電,VCC上的電容電壓在IC輸出的第一個(gè)方波時(shí)下降到使IC停止工作),mosfet導(dǎo)通,然后關(guān)斷.
2. mosfet關(guān)斷,能量就傳給供電副繞組.然后IC開始工作了(當(dāng)然是不正常的).這時(shí)候IC應(yīng)該可以獲得足夠的能量(如不能獲得,重復(fù)1.)在驅(qū)動(dòng)端輸出一個(gè)足夠?qū)挼姆讲?使sense電阻上的電壓上到1V上限,然后IC輸出低電平.然后,IC里面的clock又會(huì)使這個(gè)電平翻轉(zhuǎn)到高電平.這樣你的機(jī)器就會(huì)“工作“在一種沒有反饋的情況下,一個(gè)輸入繞組,一個(gè)輸出繞組,輸出只給IC供電,功率越來越大,IC吃電流很小,那么只有電壓上升.IC翹翹,mosfet翹翹,然后...,然后fuse斷了.
我想問一下你的機(jī)器是flyback的嗎?只有次級(jí)沒接地,初級(jí)和副繞組接好的嗎?
如果是,我想分析一下,請(qǐng)大家指教,謝謝!
我認(rèn)為如果沒有反饋,電源不穩(wěn)定的系統(tǒng).
1. 首先IC的VCC充電上到某個(gè)電壓v時(shí),IC開始輸出第一個(gè)mosfet驅(qū)動(dòng)方波,不過這個(gè)方波應(yīng)該很小(因?yàn)檫@時(shí)IC只能靠VIN端充電,VCC上的電容電壓在IC輸出的第一個(gè)方波時(shí)下降到使IC停止工作),mosfet導(dǎo)通,然后關(guān)斷.
2. mosfet關(guān)斷,能量就傳給供電副繞組.然后IC開始工作了(當(dāng)然是不正常的).這時(shí)候IC應(yīng)該可以獲得足夠的能量(如不能獲得,重復(fù)1.)在驅(qū)動(dòng)端輸出一個(gè)足夠?qū)挼姆讲?使sense電阻上的電壓上到1V上限,然后IC輸出低電平.然后,IC里面的clock又會(huì)使這個(gè)電平翻轉(zhuǎn)到高電平.這樣你的機(jī)器就會(huì)“工作“在一種沒有反饋的情況下,一個(gè)輸入繞組,一個(gè)輸出繞組,輸出只給IC供電,功率越來越大,IC吃電流很小,那么只有電壓上升.IC翹翹,mosfet翹翹,然后...,然后fuse斷了.
0
回復(fù)
@jxmlhy
應(yīng)該是的.次級(jí)沒有輸出,反饋電壓為0,相當(dāng)于反饋環(huán)路開路.但是,3842內(nèi)部限流比較電壓最高為1V,而我的限流取樣電阻為0.5歐姆,那么限流動(dòng)作Ipk=1/0.5=2A,我的管子是4A的,峰值可達(dá)7A,怎么都不應(yīng)該燒掉啊??......很郁悶啊.....燒了無數(shù)個(gè)管子了....請(qǐng)高手指點(diǎn)啊...
這個(gè)問題,還要考慮余量.過流保護(hù)都是CYCLE BY CYCLE 進(jìn)行的,不會(huì)限死,燒毀應(yīng)該是在第二個(gè)或第三個(gè)周期進(jìn)行的,首先是磁飽和,再燒其他的.驗(yàn)證它應(yīng)該很容易,把過流保護(hù)改一下,外加一個(gè)可控硅.一過流就限死.
0
回復(fù)
@ridgewang
這個(gè)問題,還要考慮余量.過流保護(hù)都是CYCLEBYCYCLE進(jìn)行的,不會(huì)限死,燒毀應(yīng)該是在第二個(gè)或第三個(gè)周期進(jìn)行的,首先是磁飽和,再燒其他的.驗(yàn)證它應(yīng)該很容易,把過流保護(hù)改一下,外加一個(gè)可控硅.一過流就限死.
關(guān)于Cycle by Cycle,一直有點(diǎn)疑問.....請(qǐng)教:
是不是這樣的: 在每個(gè)時(shí)鐘周期,IC首先開通Mosfet,同時(shí)進(jìn)行過流檢測(cè),一旦過流,立即關(guān)短; 等待下一個(gè)周期,重復(fù).....
照此分析,Mosfet應(yīng)該始終工作在設(shè)定電流以下啊.....
是不是這樣的: 在每個(gè)時(shí)鐘周期,IC首先開通Mosfet,同時(shí)進(jìn)行過流檢測(cè),一旦過流,立即關(guān)短; 等待下一個(gè)周期,重復(fù).....
照此分析,Mosfet應(yīng)該始終工作在設(shè)定電流以下啊.....
0
回復(fù)
@ruddle
上面那位哥哥說的也有道理. 我想問一下你的機(jī)器是flyback的嗎?只有次級(jí)沒接地,初級(jí)和副繞組接好的嗎?如果是,我想分析一下,請(qǐng)大家指教,謝謝! 我認(rèn)為如果沒有反饋,電源不穩(wěn)定的系統(tǒng).1.首先IC的VCC充電上到某個(gè)電壓v時(shí),IC開始輸出第一個(gè)mosfet驅(qū)動(dòng)方波,不過這個(gè)方波應(yīng)該很小(因?yàn)檫@時(shí)IC只能靠VIN端充電,VCC上的電容電壓在IC輸出的第一個(gè)方波時(shí)下降到使IC停止工作),mosfet導(dǎo)通,然后關(guān)斷.2.mosfet關(guān)斷,能量就傳給供電副繞組.然后IC開始工作了(當(dāng)然是不正常的).這時(shí)候IC應(yīng)該可以獲得足夠的能量(如不能獲得,重復(fù)1.)在驅(qū)動(dòng)端輸出一個(gè)足夠?qū)挼姆讲?使sense電阻上的電壓上到1V上限,然后IC輸出低電平.然后,IC里面的clock又會(huì)使這個(gè)電平翻轉(zhuǎn)到高電平.這樣你的機(jī)器就會(huì)“工作“在一種沒有反饋的情況下,一個(gè)輸入繞組,一個(gè)輸出繞組,輸出只給IC供電,功率越來越大,IC吃電流很小,那么只有電壓上升.IC翹翹,mosfet翹翹,然后...,然后fuse斷了.
我覺得RUDDLE兄弟分析的比較有理
是電壓沒有受到控制而炸機(jī)
當(dāng)然電壓上升最后導(dǎo)致電流增大就成為不爭(zhēng)的事實(shí)了
是電壓沒有受到控制而炸機(jī)
當(dāng)然電壓上升最后導(dǎo)致電流增大就成為不爭(zhēng)的事實(shí)了
0
回復(fù)
