就我的理解,MOSFET的損壞分電流損壞,電壓損壞兩種
電流損壞
電流損壞就是MOSFET過的電流超過它的額定值ID,
電壓損壞
電壓損壞就是MOSFET的電壓超過它的額定值BVDSS,BVGSS
其實(shí)最關(guān)鍵的就是過功率P=V*I
大家可以參考“安全工作區(qū)”只要在安全工作區(qū)以內(nèi),一般MOSFET都不會(huì)有問題,最好留一定的裕量
值得注意的就是MOSFET很容易受ESD的影響