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電源技術綜合區(qū)
請高手指點 500W電源容易烤管
請高手指點 500W電源容易烤管
基于ML4800的500W雙管正激開關電源,電源前端經(jīng)過PFC升至400V,再經(jīng)過雙管正激,整機效率90%左右
當開關管用SPW20N60C3時,此時電源滿載運行一到兩個小時,輸入功率上升7到8瓦,直至烤管,或者當電源運行時,關機,容易烤管,
當開關管用SPW47N60C3時,此時電源基本運行穩(wěn)定,但有時候還是烤管,
按理說,20N的管子應該足夠啊,
還有我的管子沒有加嵌位電路,不過雙管應該不用啊
下圖是驅(qū)動電路部分
請高手指點一下,萬分感激
全部回復(8)
只看樓主
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現(xiàn)在還沒有回復呢,說說你的想法
jurda
LV.6
2
2008-02-22 10:43
驅(qū)動部分過于復雜.實際效果可能并不理想.
長期工作效率降低,MOSFET升溫,主要是開關損耗過大. 如果不考慮你計算問題. 關注驅(qū)動部分的話.建議如下:
1.如果想找到問題.可以直接使用簡單的驅(qū)動電路.你這邊應該是驅(qū)動變壓器接入.使用簡單的電阻直接連接G便可以.雖然沒有三極管和二極管加速關斷.但是還是應該可以驅(qū)動的好. 4148其實用在這里效果不明顯.壓降大,速度慢.如果真想加速,換成小的肖特基二極管.
2,簡單的實驗的話,直接把22歐姆驅(qū)動電阻減小一半.用10歐姆.看看有沒有改善.一般來說,速度提高一倍.開關損耗明顯減少.
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jurda
LV.6
3
2008-02-22 10:45
R19 R20 可以去掉 R55 不知道用來做什么.
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jsh423
LV.3
4
2008-02-26 08:55
@jurda
驅(qū)動部分過于復雜.實際效果可能并不理想.長期工作效率降低,MOSFET升溫,主要是開關損耗過大.如果不考慮你計算問題.關注驅(qū)動部分的話.建議如下:1.如果想找到問題.可以直接使用簡單的驅(qū)動電路.你這邊應該是驅(qū)動變壓器接入.使用簡單的電阻直接連接G便可以.雖然沒有三極管和二極管加速關斷.但是還是應該可以驅(qū)動的好.4148其實用在這里效果不明顯.壓降大,速度慢.如果真想加速,換成小的肖特基二極管.2,簡單的實驗的話,直接把22歐姆驅(qū)動電阻減小一半.用10歐姆.看看有沒有改善.一般來說,速度提高一倍.開關損耗明顯減少.
非常感謝
1,我試了改成簡單的驅(qū)動電路,但現(xiàn)象還是依舊存在,而卻它的驅(qū)動波形明顯沒有上面那個驅(qū)動波形放心,應該不是驅(qū)動電路的問題
2,在對驅(qū)動電阻減小一半以后,開關損耗是降低了一到兩瓦,但還是沒有根本解決問題
而卻在我這次調(diào)試中,當我將那個220m歐的取樣電阻,換成專用的取樣電阻以后,在我電源驅(qū)動以后,我的負載只能由輕到重的加,當由重負載變?yōu)檩p負載時,MOSFET就會烤,從爾燒掉取樣電阻,乃至芯片,而卻這種現(xiàn)象發(fā)生的劇烈.
也就是說,當我用普通電阻作取樣電阻的時候,好象能減弱這種烤管的趨勢.
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jsh423
LV.3
5
2008-02-26 08:57
@jurda
R19R20可以去掉R55不知道用來做什么.
對,R19 R20 是可以去掉,R55是電流取樣電阻
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jurda
LV.6
6
2008-02-26 09:10
@jsh423
非常感謝1,我試了改成簡單的驅(qū)動電路,但現(xiàn)象還是依舊存在,而卻它的驅(qū)動波形明顯沒有上面那個驅(qū)動波形放心,應該不是驅(qū)動電路的問題2,在對驅(qū)動電阻減小一半以后,開關損耗是降低了一到兩瓦,但還是沒有根本解決問題而卻在我這次調(diào)試中,當我將那個220m歐的取樣電阻,換成專用的取樣電阻以后,在我電源驅(qū)動以后,我的負載只能由輕到重的加,當由重負載變?yōu)檩p負載時,MOSFET就會烤,從爾燒掉取樣電阻,乃至芯片,而卻這種現(xiàn)象發(fā)生的劇烈.也就是說,當我用普通電阻作取樣電阻的時候,好象能減弱這種烤管的趨勢.
請比較下 兩種采樣電阻使用情況下的 采樣信號波形.
你說的專用采樣電阻和普通電阻,是否是 無感繞線電阻和碳膜電阻的區(qū)別.
另外,只能由輕到重,不能由重到輕加載挺奇怪.
還是要看看你采樣電流的信號是什么樣子,才能發(fā)現(xiàn)一些問題.
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jsh423
LV.3
7
2008-02-26 13:57
@jurda
請比較下兩種采樣電阻使用情況下的采樣信號波形.你說的專用采樣電阻和普通電阻,是否是無感繞線電阻和碳膜電阻的區(qū)別.另外,只能由輕到重,不能由重到輕加載挺奇怪.還是要看看你采樣電流的信號是什么樣子,才能發(fā)現(xiàn)一些問題.
對
就是金屬膜電阻和繞線電阻的區(qū)別,
不過本質(zhì)上就是當電源系統(tǒng)減小占空比的時候,出現(xiàn)了問題,出現(xiàn)了是瞬態(tài)高壓,或者是控制環(huán)的問題,使MOSFET管燒掉,然后大電流流過取樣電阻,因為普通電阻的感性特性,電流不會增加的很快,從爾普通電阻不會燒的很厲害,而由于取樣電阻的無感特性,電流升的很厲害,所以爆的很厲害,
也就是說燒管還是問題的根源,而且是系統(tǒng)試圖減小占空比的情況下燒的
我現(xiàn)在正在加吸收回路,看能不能解決問題
另外,我的電流取樣端RC常數(shù)設的有點大,R為1K,C為102,不過取小了,系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)下都不是很穩(wěn)定
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jsh423
LV.3
8
2008-02-29 17:16
@jsh423
對就是金屬膜電阻和繞線電阻的區(qū)別,不過本質(zhì)上就是當電源系統(tǒng)減小占空比的時候,出現(xiàn)了問題,出現(xiàn)了是瞬態(tài)高壓,或者是控制環(huán)的問題,使MOSFET管燒掉,然后大電流流過取樣電阻,因為普通電阻的感性特性,電流不會增加的很快,從爾普通電阻不會燒的很厲害,而由于取樣電阻的無感特性,電流升的很厲害,所以爆的很厲害,也就是說燒管還是問題的根源,而且是系統(tǒng)試圖減小占空比的情況下燒的我現(xiàn)在正在加吸收回路,看能不能解決問題另外,我的電流取樣端RC常數(shù)設的有點大,R為1K,C為102,不過取小了,系統(tǒng)穩(wěn)態(tài)下都不是很穩(wěn)定
問題終于解決了,功率部分采取了下圖的電路
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/62/2073261204276439.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
多加了圈中所示部分,現(xiàn)在取樣電阻爆炸的現(xiàn)象得到了解決
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yzds409
LV.8
9
2008-02-29 17:55
D8\D9 做什么用的?去掉它們試試?
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