你做的產(chǎn)品,不同廠家的MOS可以直接替換嗎

怎么做,發(fā)個(gè)圖出來(lái)看看

哈哈,TOP 系列的就是這么做的,你已經(jīng)想晚了啊

^o^人家比我聰明呀
不過(guò)如果不用top芯片,用其他芯片時(shí)我們可以那么做的呀,對(duì)不對(duì)?

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1108864423.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

高達(dá)700V的峰值壓輸入,又要采樣<5V的電壓,速度要高達(dá)x00KHz級(jí),做到集成里面倒是方便.
用分立元件來(lái)做?恐怕很頭痛.
方案有嗎?

想法很好!可能實(shí)現(xiàn)很困難!

問(wèn)題很多:
1、MOS管資料一般給出的是最大導(dǎo)通電阻Ron.
2、主管關(guān)斷期間幾百伏的高壓與導(dǎo)通時(shí)的幾百mV電壓如何處理.這種處理電路不會(huì)比用1只電流檢測(cè)電阻簡(jiǎn)單吧.
3、對(duì)正激電容諧振復(fù)位電路很難實(shí)現(xiàn)實(shí)際電流檢測(cè).
4、我沒(méi)用過(guò)TOP開(kāi)關(guān),TOP芯片內(nèi)部電流檢測(cè),也許單獨(dú)用了電阻,只不過(guò)集成在內(nèi)部.

目前見(jiàn)到的應(yīng)用:
1)TOP,做了很好的溫度補(bǔ)償,精度是7個(gè)點(diǎn).
2)低壓非隔離DC/DC,未有溫度補(bǔ)償,變化率可達(dá)60%.

我看了一下top的芯片 的確他們是那么做的 并且他們可以在功能腳上還使用外部一個(gè)電阻做進(jìn)一步的完善的

我認(rèn)為在最大導(dǎo)通Ron時(shí),就可以了,另外,你可以選用計(jì)算出檢流電阻稍大一點(diǎn)Ron的mos管對(duì)嗎 IR的mos管Ron一般都比較大,很適合用來(lái)做檢測(cè)電阻的

凌特有的器件就是這樣做的.

好主意,只是那二極管有點(diǎn)貴.

這樣應(yīng)用成本太高了.比用電流互感器還要高.

我去年就用這樣的電流檢測(cè)方法做過(guò)了
是用在BOOST充電上的.
當(dāng)時(shí)是UPS充電部分,就借用UPS全橋逆變的MOS用來(lái)充電. 這樣做效果也不錯(cuò).一般應(yīng)先放大再比較. 當(dāng)時(shí)限制電流在10A以內(nèi)的.

可以探討一下?
QQ:9524069

哈,這點(diǎn)可是開(kāi)關(guān)電源里最“臟”的一點(diǎn)了.

早就有這樣做的了,但是Rds(on)隨溫度的變化太大了,所以不同溫度下的差異太大,需要溫度補(bǔ)償.而且必須檢測(cè)mosfet的溫度,外部做溫度補(bǔ)償不是很好做,不光mosfet可以,連buck電路的電感也可以做電流檢測(cè)的,但也存在同樣電阻隨溫度變化的問(wèn)題.上傳一個(gè)關(guān)于這方面的資料,希望對(duì)你有用.

1108968825.pdf

用在低壓DC/DC就容易做.
用在高壓(AC220V--DC310V)呢?3842做的單端反激電路有700V尖峰電壓.
TOP系列集成內(nèi)部好搞,在集成里面做個(gè)零件容易,加一百個(gè)都不會(huì)增加多少硅片面積.
分立元件恐怕難搞多了.

方案貼出來(lái)給我們大家瞧瞧吧

Q1關(guān)斷時(shí)采樣點(diǎn)電壓可有幾百伏喲.

那有什么辦法呢 下面的同志怎么說(shuō)做過(guò)呢

高壓確實(shí)不好做,為什么TOP好做呢?難道芯片內(nèi)部不需要高壓的檢測(cè)嗎?高壓檢測(cè)成本不低.芯片內(nèi)部應(yīng)該也有絕緣距離的要求的,不知道它也是內(nèi)部有電阻呢還是直接從mosfet上檢測(cè)呢,從它的示意圖是從mosfet上取的,但很多的示意圖都是和實(shí)際有出入的,不知道它是不是真的從mosfet上取電流檢測(cè)信號(hào)的.

能否這樣考慮呢.......在MOSFET上串個(gè)電阻再接個(gè)小開(kāi)關(guān)進(jìn)行取樣.......此開(kāi)關(guān)和主開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)信號(hào)相同,那樣我們就可以得到一個(gè)比較真實(shí)的電壓信號(hào).但此信號(hào)不連續(xù).

示意圖如下.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109068570.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

Q2要很高耐壓
1  Q2無(wú)法關(guān)斷
2  Q2無(wú)法采樣---Q1飽和導(dǎo)通壓降Vds才xxxmV

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看IR的MOS驅(qū)動(dòng)器(IR2125)的應(yīng)用電路中,有一種特殊的MOS管----多了一個(gè)S極---猜想能1/n 比例于主MOS的電流

肯定還要加些輔助電路才能實(shí)現(xiàn)三.如果這麼簡(jiǎn)單就搞定了那早就有人這麼做了.我想這應(yīng)該是個(gè)思路.如果做在芯片內(nèi)部的話確實(shí)要好做得多.

好多內(nèi)置mos的芯片都是這種表示法.
下面是仙童的.

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IR2125只是推動(dòng)電路而已,這是外置的MOSFET管.
很少見(jiàn),就算能買到,估計(jì)選擇范圍也不寬.

就是,這種管子還沒(méi)見(jiàn)過(guò)....它會(huì)不是就是共用G共用D共用襯底的雙MOS而已啊???