要達到同樣的電感量磁芯開氣隙與墊氣隙片有何區(qū)別?
請求高手指點,舉例:比如說需要開0.5mm的氣隙,但是墊氣隙片卻不是0.5mm,為什么?
求助:磁芯開氣隙與墊氣隙片有何區(qū)別?
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假設(shè)氣隙設(shè)計需要2mm,對于中柱磨氣隙,磁力線穿過磁芯中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙就是2mm.而對于邊柱墊氣隙,每個邊柱只墊1mm(此時中柱也會自然出現(xiàn)1mm氣隙),磁力線穿過中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙仍是2mm,所以墊氣隙比磨氣隙要少一半.
墊氣隙效率高,是因為氣隙長度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因為漏磁緊靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
墊氣隙效率高,是因為氣隙長度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因為漏磁緊靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
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@cafetea
假設(shè)氣隙設(shè)計需要2mm,對于中柱磨氣隙,磁力線穿過磁芯中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙就是2mm.而對于邊柱墊氣隙,每個邊柱只墊1mm(此時中柱也會自然出現(xiàn)1mm氣隙),磁力線穿過中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙仍是2mm,所以墊氣隙比磨氣隙要少一半.墊氣隙效率高,是因為氣隙長度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因為漏磁緊靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
cafetea兄:
分析的很透澈!!!
頂...
分析的很透澈!!!
頂...
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@cafetea
假設(shè)氣隙設(shè)計需要2mm,對于中柱磨氣隙,磁力線穿過磁芯中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙就是2mm.而對于邊柱墊氣隙,每個邊柱只墊1mm(此時中柱也會自然出現(xiàn)1mm氣隙),磁力線穿過中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙仍是2mm,所以墊氣隙比磨氣隙要少一半.墊氣隙效率高,是因為氣隙長度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因為漏磁緊靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
確實是這樣,應該給cafetea兄加分
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@cafetea
假設(shè)氣隙設(shè)計需要2mm,對于中柱磨氣隙,磁力線穿過磁芯中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙就是2mm.而對于邊柱墊氣隙,每個邊柱只墊1mm(此時中柱也會自然出現(xiàn)1mm氣隙),磁力線穿過中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙仍是2mm,所以墊氣隙比磨氣隙要少一半.墊氣隙效率高,是因為氣隙長度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因為漏磁緊靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
說的很有道理,贊
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@cafetea
假設(shè)氣隙設(shè)計需要2mm,對于中柱磨氣隙,磁力線穿過磁芯中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙就是2mm.而對于邊柱墊氣隙,每個邊柱只墊1mm(此時中柱也會自然出現(xiàn)1mm氣隙),磁力線穿過中柱再通過邊柱閉合時,串在整個磁路中的氣隙仍是2mm,所以墊氣隙比磨氣隙要少一半.墊氣隙效率高,是因為氣隙長度小,漏磁少,切割周圍的線包損耗較小.但由于邊柱墊氣隙后,漏磁直接釋放到周圍空氣中,對EMI不利.采用中柱磨氣隙,氣隙處的漏磁被線包全部包裹住,類似于天然屏蔽,所以EMI比墊氣隙小,但也正因為漏磁緊靠線包,切割損耗較大,所以效率比墊氣隙略低.
墊氣隙時磁路上有兩個氣隙,每個氣隙上只有約一半的磁動勢(MMF),擴散磁通(fringing flux)峰值較小,氣隙附近的線圈渦流損耗較小.帶來的問題是生產(chǎn)不方便,墊的氣隙可能因墊的材料受氣溫濕度影響而變化,而且氣隙在外面產(chǎn)生的RFI也較大,當然處理的好也是沒問題的.
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