1.IR2104的驅(qū)動(dòng)死區(qū)(造成MOSFET管發(fā)熱)是怎樣產(chǎn)生的?該如何解決?
2.當(dāng)PWM波形占空比為100%時(shí),IR2104驅(qū)動(dòng)高端的自舉電路會(huì)失效,該如何解決?1109223609.doc
IR2104的驅(qū)動(dòng)死區(qū)是怎樣產(chǎn)生的?
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@xkw1
1)C6/C7換成無(wú)極性的CBB或陶瓷電容2)R1/R2該成51歐,在R1/R2上分別并二極管,陽(yáng)極朝FET的柵極.3)T1的D到T2的S和T3的D到T4的S分別并CBB63V104電容(不許該位置).4)建議PWM最高到95%,如果非到100%,可以用輔助電源解決.6)強(qiáng)烈建議換FET成IRF9410/IRF7809/IRF7811等
謝謝 xkw1
1.在R1/R2上分別并二極管后發(fā)熱的問(wèn)題解決了.
2.我的PWM必須要做到100%,請(qǐng)教 xkw1輔助電源是否采用MC34063的片子做,或者是有其它簡(jiǎn)便低成本的方法.
3. 我的驅(qū)動(dòng)電流要做到30A,為什么強(qiáng)烈建議我不使用IRF540,而采用IRF7809等.
我是初次做這種電路,問(wèn)題膚淺請(qǐng)不要見(jiàn)笑
1.在R1/R2上分別并二極管后發(fā)熱的問(wèn)題解決了.
2.我的PWM必須要做到100%,請(qǐng)教 xkw1輔助電源是否采用MC34063的片子做,或者是有其它簡(jiǎn)便低成本的方法.
3. 我的驅(qū)動(dòng)電流要做到30A,為什么強(qiáng)烈建議我不使用IRF540,而采用IRF7809等.
我是初次做這種電路,問(wèn)題膚淺請(qǐng)不要見(jiàn)笑
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@xqy1972
謝謝xkw11.在R1/R2上分別并二極管后發(fā)熱的問(wèn)題解決了.2.我的PWM必須要做到100%,請(qǐng)教xkw1輔助電源是否采用MC34063的片子做,或者是有其它簡(jiǎn)便低成本的方法.3.我的驅(qū)動(dòng)電流要做到30A,為什么強(qiáng)烈建議我不使用IRF540,而采用IRF7809等.我是初次做這種電路,問(wèn)題膚淺請(qǐng)不要見(jiàn)笑
1、在ir2104的vcc端接上10uf的電解電容,vcc于vb端的二極管應(yīng)該是超快恢復(fù)二極管,不要用1n4148,
2、如果你的直流電機(jī)的工作電壓是12v,那么你供給電機(jī)的電壓應(yīng)該是15v以上,那么pwm就沒(méi)有必要做到100%
2、如果你的直流電機(jī)的工作電壓是12v,那么你供給電機(jī)的電壓應(yīng)該是15v以上,那么pwm就沒(méi)有必要做到100%
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@xqy1972
謝謝xkw11.在R1/R2上分別并二極管后發(fā)熱的問(wèn)題解決了.2.我的PWM必須要做到100%,請(qǐng)教xkw1輔助電源是否采用MC34063的片子做,或者是有其它簡(jiǎn)便低成本的方法.3.我的驅(qū)動(dòng)電流要做到30A,為什么強(qiáng)烈建議我不使用IRF540,而采用IRF7809等.我是初次做這種電路,問(wèn)題膚淺請(qǐng)不要見(jiàn)笑
因?yàn)槟愕墓ぷ麟妷褐挥?2V,電池供電時(shí)最高16V.所以最好選30-40V的FET.同樣的管芯大小下,RDSON隨DS耐壓快速下降,既化同樣的錢能買更小損耗的FET.IRF540是100V的!
輔助電源比你想的要簡(jiǎn)單,555驅(qū)動(dòng)能力約150mA,足夠驅(qū)動(dòng)一高頻變壓器.用NE555做振蕩器.用變壓器隔離為VB-VS供電.
輔助電源比你想的要簡(jiǎn)單,555驅(qū)動(dòng)能力約150mA,足夠驅(qū)動(dòng)一高頻變壓器.用NE555做振蕩器.用變壓器隔離為VB-VS供電.
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@xkw1
1)C6/C7換成無(wú)極性的CBB或陶瓷電容2)R1/R2該成51歐,在R1/R2上分別并二極管,陽(yáng)極朝FET的柵極.3)T1的D到T2的S和T3的D到T4的S分別并CBB63V104電容(不許該位置).4)建議PWM最高到95%,如果非到100%,可以用輔助電源解決.6)強(qiáng)烈建議換FET成IRF9410/IRF7809/IRF7811等
我是用IR2104驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī),在4個(gè)芯片的2腳輸入低電平時(shí),Q7,Q8發(fā)熱比較嚴(yán)重,2管子漏源電壓在8V左右,附上電路圖,謝謝高手指點(diǎn)一下是否電路有什么問(wèn)題.1167531606.doc
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@xkw1
1)C6/C7換成無(wú)極性的CBB或陶瓷電容2)R1/R2該成51歐,在R1/R2上分別并二極管,陽(yáng)極朝FET的柵極.3)T1的D到T2的S和T3的D到T4的S分別并CBB63V104電容(不許該位置).4)建議PWM最高到95%,如果非到100%,可以用輔助電源解決.6)強(qiáng)烈建議換FET成IRF9410/IRF7809/IRF7811等
xkw1您好,我在測(cè)試時(shí),發(fā)現(xiàn)以下?tīng)顩r:
1) 若不連接電機(jī),IN為高電平,SD為PWM,測(cè)量出HO波形一直為高,LO一直為低.從原理上分析HO應(yīng)該和SD波形一樣,LO一直為低才對(duì).
2) 連接電機(jī)后,HO、LO波形正常,但組成全橋的另一片IR2104的HO波形應(yīng)該為低時(shí)卻又為高了,不知道為什么 ?
3) 當(dāng)PWM為50%以下時(shí),根本帶不動(dòng)電機(jī),從電機(jī)左右量波形發(fā)現(xiàn)電機(jī)電壓一會(huì)為正電壓,一會(huì)為負(fù)電壓,且正負(fù)電壓抵消導(dǎo)致電機(jī)無(wú)法運(yùn)轉(zhuǎn).當(dāng)PWM大于50%,時(shí)正電壓時(shí)間大于負(fù)電壓時(shí)間,電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn).
4) 我是初次接觸此類設(shè)計(jì),問(wèn)題膚淺,還請(qǐng)多多指教!
1) 若不連接電機(jī),IN為高電平,SD為PWM,測(cè)量出HO波形一直為高,LO一直為低.從原理上分析HO應(yīng)該和SD波形一樣,LO一直為低才對(duì).
2) 連接電機(jī)后,HO、LO波形正常,但組成全橋的另一片IR2104的HO波形應(yīng)該為低時(shí)卻又為高了,不知道為什么 ?
3) 當(dāng)PWM為50%以下時(shí),根本帶不動(dòng)電機(jī),從電機(jī)左右量波形發(fā)現(xiàn)電機(jī)電壓一會(huì)為正電壓,一會(huì)為負(fù)電壓,且正負(fù)電壓抵消導(dǎo)致電機(jī)無(wú)法運(yùn)轉(zhuǎn).當(dāng)PWM大于50%,時(shí)正電壓時(shí)間大于負(fù)電壓時(shí)間,電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn).
4) 我是初次接觸此類設(shè)計(jì),問(wèn)題膚淺,還請(qǐng)多多指教!
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@xkw1
1)C6/C7換成無(wú)極性的CBB或陶瓷電容2)R1/R2該成51歐,在R1/R2上分別并二極管,陽(yáng)極朝FET的柵極.3)T1的D到T2的S和T3的D到T4的S分別并CBB63V104電容(不許該位置).4)建議PWM最高到95%,如果非到100%,可以用輔助電源解決.6)強(qiáng)烈建議換FET成IRF9410/IRF7809/IRF7811等
請(qǐng)教:
R1/R2該成51歐,在R1/R2上分別并二極管,陽(yáng)極朝FET的柵極,這兩點(diǎn)是從那方面出發(fā)而改的,電路工作原理是什么?
R1/R2該成51歐,在R1/R2上分別并二極管,陽(yáng)極朝FET的柵極,這兩點(diǎn)是從那方面出發(fā)而改的,電路工作原理是什么?
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