IGBT(絕緣柵雙極晶體管)作為新型電力半導體場控自關斷器件,集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體,具有輸入阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電力變換中獲得極廣泛的應用.與此同時,各大半導體生產廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可*、低成本技術,主要采用1um以下制作工藝,研制開發(fā)取得一些新進展.
1、低功率IGBT
IGBT應用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域,為滿足家電行業(yè)的發(fā)展需求,摩托羅拉、ST半導體、三菱等公司推出低功率IGBT產品,實用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機、電磁灶、電子整流器、照相機等產品的應用.
2、U-IGBT
U(溝槽結構)--TGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內部形成溝槽式柵極.采用溝道結構后,可進一步縮小元胞尺寸,減少溝道電阻,提高電流密度,制造相同額定電流而芯片尺寸最少的產品.現有多家公司生產各種U—IGBT產品,適用低電壓驅動、表面貼裝的要求.
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