查一下電流電壓以及工作頻率,差不多就可以換

這兩款管子參數(shù)是比較接近,它們的不同是驅(qū)動(dòng)信號(hào)與工作頻率

參數(shù)差不多,但是電路要適當(dāng)微改,要不可能出現(xiàn)問(wèn)題!!
只是個(gè)人觀點(diǎn)

頻率夠就問(wèn)題不大.一般IGBT的頻率做的沒(méi)有MOS高

如果工作頻率在幾十KHZ以下應(yīng)該沒(méi)有多大問(wèn)題.若是在MHZ上就不行了

還要注意驅(qū)動(dòng)電壓的問(wèn)題,IGBT要有負(fù)壓的.

負(fù)壓只是其中一個(gè)問(wèn)題,而是IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓比MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓高些,MOS管的驅(qū)一般是12V,而IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓是15V,其它的只要頻率,電流等差不多的話就可以了!

說(shuō)得對(duì),IGBT正壓一般15v左右,不超過(guò)20v,負(fù)壓一般-5v

IGBT一般放在MOSFET后面由其驅(qū)動(dòng),可以放在MOSFET后面工作

MOSFET的驅(qū)動(dòng)是12v嗎,大多數(shù)不是5v就可以驅(qū)動(dòng)嗎

是不是我記錯(cuò)了,請(qǐng)賜教

現(xiàn)在MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓差異比較大,有比較先進(jìn)的2.5V的

原來(lái)的也有12.6V,19.1V的等等

對(duì)于不同的MOSFET我們要查查其DATASHEET

非常正確,加十分,還有一點(diǎn)壓降象可控硅導(dǎo)通時(shí)一樣

謝謝,我不是很懂可控硅特性

是不是導(dǎo)通瞬間壓降大,導(dǎo)通后壓降就小了啊

場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通時(shí)壓降=內(nèi)阻*電流,可控硅導(dǎo)通時(shí)無(wú)論電流大小壓降都在1V左右

1、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而晶體管的是電流控制元件.在只允許從信號(hào)源取較小電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,只允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用晶體管.

2、場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱(chēng)之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電.被稱(chēng)為雙極型器件.

3、有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比晶體管好.

4、場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用.

5、三極管導(dǎo)通電阻大,場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通電阻小,只有幾百毫歐姆.

最重要是f

這里講的是能否代換,講那么高深干嗎?我試驗(yàn)過(guò)IGBT在導(dǎo)通時(shí)不管電流大小都有0.4-1左右的壓降,

IGBT關(guān)斷時(shí)有拖尾電流,跑步機(jī)電機(jī)功率較小,電流也不太大,可以替換應(yīng)急.
我曾經(jīng)用相同的板子,相同的驅(qū)動(dòng)電路分別用MSFET和IGBT做電機(jī)驅(qū)動(dòng),性能差不多

學(xué)習(xí)了,說(shuō)的很全面

跑步機(jī)我沒(méi)接觸過(guò),可能發(fā)熱要大點(diǎn),IGBT比交適合用在電壓較高的場(chǎng)合,逆變器用IGBT效率低發(fā)熱大

拖尾電流影響開(kāi)關(guān)的快速性,功率小時(shí)電流較小,可以由MOSFET驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng),功率較大時(shí)就要考慮關(guān)斷時(shí)提供負(fù)幾伏的充電電壓,即使用專(zhuān)門(mén)的IGBT驅(qū)動(dòng)

建議樓主還是先看看這個(gè)管子的手冊(cè),電壓、電流、頻率等是否差不多,還有注意看一下驅(qū)動(dòng)電壓是否也在一個(gè)可以接受的替換范圍內(nèi)

哥們,將MOSFET替代IGBT請(qǐng)注意以下幾點(diǎn):
1.只要開(kāi)關(guān)頻率有幾十K,替代時(shí)頻率應(yīng)該不是大問(wèn)題.
2.關(guān)鍵元參數(shù):耐壓和最大電流.一般來(lái)說(shuō)IGBT能做到比MOSFET更大的功率,所以替代時(shí)應(yīng)特別注意MOSFET的最大電流是否和IGBT的接近或更大.
  從這兩個(gè)元件的規(guī)格上來(lái)看電流差不多,但耐壓相差較大,所以你要分析一下實(shí)際工作的耐壓是多少,最好不要超過(guò)400V(留個(gè)20%的安全余量)
3.這兩種元件的驅(qū)動(dòng)電阻也要注意,驅(qū)動(dòng)電阻不同會(huì)使得尖峰電壓不一樣,替代后最好用示波器測(cè)一下反峰電壓是否正常.

G40N150D,多少錢(qián)一只?
還有沒(méi)有更高耐壓的?

IGBT 的驅(qū)動(dòng)電壓比MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓還要高些?!
IGBT 驅(qū)動(dòng)要有負(fù)壓,MOSFET本身可不要負(fù)壓,但柵極電容要掃除吧?
三極管因有PN結(jié)擋道,導(dǎo)通電壓下不去,場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通電阻小,但負(fù)載加重就會(huì)變大.