如何實(shí)現(xiàn)極低壓降的正向?qū)ǚ聪蚪刂沟碾娐?

使用場合,充電芯片充電電壓輸入端,芯片參考設(shè)計(jì)上用了一個(gè)肖特基二極管
來防止電流反向.
但是充電電流大的時(shí)候,這個(gè)地方特別燙,有人建議換成Linear的理想二極管,
但是太貴了.

問,能不能用Mosfet簡單的實(shí)現(xiàn)一個(gè)正向?qū)ǚ聪蚪刂沟碾娐? 我對(duì)mosfet不熟..
謝謝~~

全部回復(fù)(6)

只看樓主

正序查看

倒序查看

yanglupu

LV.8

2008-06-26 23:00

你用很大電流的肖特基二極,其工作在小電流區(qū)間正向壓降相對(duì)較低可至0.1V左右.用PMOS管的話,本身在源漏極之間就有一個(gè)二極管,反向會(huì)倒通.

回復(fù)

lemys

LV.2

2008-06-28 16:36

@yanglupu

謝謝,我找找大電流肖特基二極管

回復(fù)

hjr7581

LV.1

2008-06-30 15:34

不知道你是否要得是二極管的特性,而壓降極低的電路.
建議參考鋰離子電池保護(hù)板的電路,使用2個(gè)MOSFET實(shí)現(xiàn)低電阻(毫歐姆級(jí))電子開關(guān)的功能,不過為了實(shí)現(xiàn)正向自動(dòng)導(dǎo)通,還需要外圍電路來控制這2個(gè)MOS

回復(fù)

yanglupu

LV.8

2008-06-30 23:51

@hjr7581

不知道你是否要得是二極管的特性,而壓降極低的電路.建議參考鋰離子電池保護(hù)板的電路,使用2個(gè)MOSFET實(shí)現(xiàn)低電阻(毫歐姆級(jí))電子開關(guān)的功能,不過為了實(shí)現(xiàn)正向自動(dòng)導(dǎo)通,還需要外圍電路來控制這2個(gè)MOS

你這個(gè)方法也可行.只是很復(fù)雜.

回復(fù)

lemys

LV.2

2008-08-26 11:33

@hjr7581

不知道你是否要得是二極管的特性,而壓降極低的電路.建議參考鋰離子電池保護(hù)板的電路,使用2個(gè)MOSFET實(shí)現(xiàn)低電阻(毫歐姆級(jí))電子開關(guān)的功能,不過為了實(shí)現(xiàn)正向自動(dòng)導(dǎo)通,還需要外圍電路來控制這2個(gè)MOS

有這個(gè)想法,請(qǐng)教如何搭外圍?

回復(fù)