性无码一区二区三区在线观看,少妇被爽到高潮在线观看,午夜精品一区二区三区,无码中文字幕人妻在线一区二区三区,无码精品国产一区二区三区免费

  • 回復(fù)
  • 收藏
  • 點(diǎn)贊
  • 分享
  • 發(fā)新帖

關(guān)于NMOSFET的測(cè)試問(wèn)題

最近在測(cè)試NMOSFET的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)一個(gè)問(wèn)題，求大神解答，具體問(wèn)題如下

       

      問(wèn)題一： 就是在測(cè)試MOS管的耐沖擊電流的是候，給個(gè)脈沖，然后用負(fù)載機(jī)帶電流去沖擊，脈沖分幾個(gè)擋位，比如10ms沖擊一次，就發(fā)現(xiàn)個(gè)問(wèn)題，在關(guān)斷的時(shí)候在DS之間會(huì)有很高的尖峰，沖擊電流越大，這個(gè)電壓越高，特別是超過(guò)100A的時(shí)候，超過(guò)MOS管的耐壓，繼續(xù)下去就會(huì)燒掉，在DS端加電容，反而沒(méi)有這個(gè)問(wèn)題 

       問(wèn)題二:在問(wèn)題一的基礎(chǔ)上DS間加電容，測(cè)試兩種差不多的MOS管，發(fā)現(xiàn)MOS里面芯片大的反而沖擊電流小，這是為什么，兩種級(jí)別差不多的MOS，里面的芯片DIE大的反而沖擊電流?。?，這是什么原因，耐沖擊電流與MOS管的DIE大小有關(guān)系嗎

全部回復(fù)(4)
正序查看
倒序查看
2018-01-19 10:47

問(wèn)題一：沖擊電流越大，MOSFET寄生電感產(chǎn)生的尖峰電壓越大。在DS間加上高壓小電容有利于吸收這個(gè)電壓尖峰。

問(wèn)題二：沒(méi)看明白你的意思。

0
回復(fù)
六月s
LV.2
3
2018-01-19 10:49
@小學(xué)渣
問(wèn)題一：沖擊電流越大，MOSFET寄生電感產(chǎn)生的尖峰電壓越大。在DS間加上高壓小電容有利于吸收這個(gè)電壓尖峰。問(wèn)題二：沒(méi)看明白你的意思。
就是將MOS管剪開(kāi)，里面的芯片有大有小，這個(gè)大小與沖擊電流有關(guān)嗎，大的沖擊電路要大？
0
回復(fù)
2018-01-19 10:54
@六月s
就是將MOS管剪開(kāi)，里面的芯片有大有小，這個(gè)大小與沖擊電流有關(guān)嗎，大的沖擊電路要大？
這個(gè)應(yīng)該與散熱有關(guān)。大塊的能承受相對(duì)大的沖擊電流所產(chǎn)生的熱量。
0
回復(fù)
六月s
LV.2
5
2018-01-19 11:24
@小學(xué)渣
這個(gè)應(yīng)該與散熱有關(guān)。大塊的能承受相對(duì)大的沖擊電流所產(chǎn)生的熱量。
但是大的沖擊電流小
0
回復(fù)
立
即
發(fā)
帖