全盤(pán)設(shè)計(jì)要是能再祥細(xì)些就好了，謝謝分享！

好的，盡力而為。

好貼，收藏

這就像一個(gè)一個(gè)蹺蹺板，一般占空比大了反射電壓比較大，原邊MOS電流應(yīng)力要求較小，電壓應(yīng)力要求較大，反之亦然?？紤]平衡性，性?xún)r(jià)比

一、輸入電容

輸入電路先近似等效為整流橋后接濾波電容和負(fù)載電阻，見(jiàn)下圖。

                                    圖2-1 輸入等效電路

電路的工作過(guò)程分為兩部分，1、整流橋?qū)〞r(shí)母線(xiàn)電壓Vbus等于整流后的輸入電壓，2、整流橋截止時(shí)變?yōu)?span>RC放電電路。

                            圖2-2 輸入電路的母線(xiàn)電壓波形構(gòu)成

接下來(lái)是要確認(rèn)T0和T1時(shí)刻，T0時(shí)刻為兩個(gè)曲線(xiàn)相切點(diǎn)T1時(shí)刻是兩個(gè)曲線(xiàn)的交點(diǎn)，然后就可以畫(huà)出母線(xiàn)電壓Vbus。

T0時(shí)刻可以用兩個(gè)for循環(huán)求解，這里借鑒資料中的公式（T0的精度影響比較?。?。在資料中多是將放電曲線(xiàn)近似為直線(xiàn)這會(huì)導(dǎo)致結(jié)果有些誤差。

                                                圖2-2 與資料中的線(xiàn)性放電曲線(xiàn)對(duì)比

再考慮整流橋的管壓降減去1.4V得到最終的結(jié)果，同Saber的仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比如下：

                                                 圖2-3 Sabe與Mathcad輸入波形對(duì)比

如上圖所示Mathcad的計(jì)算結(jié)果基本上同仿真的一樣（上圖輸入電容為200uH）。

我是想把公式都整理一邊然后看看這個(gè)蹺蹺板拌到什么位置最合適。

令人耳目一新啊，期待樓主佳作！

 謝謝鼓勵(lì)！

接下來(lái)要對(duì)電流進(jìn)行方程描述，首先去掉整流橋，電路變?yōu)橛山涣麟娭苯域?qū)動(dòng)的阻容并聯(lián)負(fù)載，此時(shí)的波形如下：

                                       圖2-4 阻容負(fù)載的電壓電流波形

負(fù)載上的電壓為輸入交流電壓，電流超前于電壓超前角跟T0有關(guān)（見(jiàn)上圖方程），這時(shí)再把整流橋加上去，電壓信號(hào)負(fù)的變正的對(duì)于方程描述就是取絕對(duì)值，電流取整流橋?qū)〞r(shí)段其它時(shí)段為零，重新生成的波形并同Saber對(duì)比如下：

                                                           圖2-5 輸入電流波形

如上圖所示仿真和計(jì)算的結(jié)果非常的接近說(shuō)明公式是準(zhǔn)確的，不過(guò)遺憾的是大多數(shù)反激的應(yīng)用都是恒功輸出而不是恒阻輸出的，所以一開(kāi)始的等效電路就是不準(zhǔn)確的，這個(gè)方程還需要再修正一下。

現(xiàn)在研究 的越來(lái)越細(xì)了，贊一個(gè)

修正方法是把負(fù)載電阻換成與時(shí)間有關(guān)的函數(shù)既R(t)=Vt(t)^2/Pin（恒功率），這時(shí)候方程變成了

    公式1-1

這個(gè)方程還不知道如何整理成單純的Vt(t)的函數(shù)，目前采用的是逐次逼近法。先假設(shè)R(t)為恒定值代入方程求出Vt(t)函數(shù)，將Vt(t)代入恒功率方程求得一個(gè)跟時(shí)間t有關(guān)的R1(t)，此R1(t)再次代入方程求出Vt2(t)，此Vt2(t)再代入恒功率方程求出R2(t)，R2(t)代入方程求Vt3(t)······如此類(lèi)推直到n次。

                                 圖2-6 逐次逼近法計(jì)算輸入電壓波形

上圖是逐次逼近法的計(jì)算結(jié)果，實(shí)際上這里還沒(méi)有掌握逐次逼近法的精髓在上述結(jié)果中只有第一次逼近結(jié)果接近仿真值。下圖是計(jì)算同仿真的對(duì)比：

                                     圖2-7 恒功模式下輸入電容的波形對(duì)比

試過(guò)恒功率50W-500W計(jì)算結(jié)果和仿真結(jié)果還都比較接近，如果能整理出公式1-1的方程則結(jié)果應(yīng)當(dāng)更加理想。

非常感謝版主分享的知識(shí)

有了電流方程后就可以計(jì)算出平均電流和有效電流從而進(jìn)行損耗估算，電解電容的ESR可以用損耗角表示也可以用50~80*10^-6這個(gè)系數(shù)來(lái)估算如下圖：

                             圖2-8 電解電容ESR與容量的關(guān)系

將之前的方程整理一下使輸入電容Cin為自變量（X軸）得到峰值電流和輸入電容的關(guān)系：

                                       圖2-9 輸入峰值電流和輸入電容的關(guān)系

這樣就可以估算出電解電容ESR和整流橋上的損耗：

                                 圖2-10 輸入電容、整流橋損耗與輸入電容容量的關(guān)系

上述數(shù)據(jù)的條件是輸入電壓峰值100V、功率50W、kc=65、二極管壓降0.7V。

下面是參考《精通開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)》估算的電容壽命：

                                               圖2-11 低性能電容壽命與容量、溫度的關(guān)系

                                               圖2-12 高性能電容壽命與容量、溫度的關(guān)系

至此初步完成了輸入電容的子模塊設(shè)計(jì)后續(xù)再進(jìn)行其它子模塊整理，當(dāng)完成所有子模塊時(shí)整套電源系統(tǒng)就構(gòu)建成功了。這個(gè)也是自我學(xué)習(xí)的一個(gè)過(guò)程，如果有分析不對(duì)的地方還望及時(shí)指正。

另外此輸入電容是按最壞情況設(shè)計(jì)的，考慮到±20%的容量誤差和容量下降20%既為失效實(shí)際選擇的電容是計(jì)算的1.56倍，可將此電容值代入方程來(lái)求解另一種情況下的極限值。

經(jīng)過(guò)高人指點(diǎn)公式1-1（恒功率輸出）整理之后的表達(dá)式為

    公式1-2

將此方程代入后計(jì)算的電流、電壓及波形同Saber仿真的基本一致。

占個(gè)座

占座兒，等更

電容恒功放電公式也可從下圖推出：

                                        圖3-1 電容恒功放電公式圖

輸入電容Mathcad文件已上傳方便大家參考，輸入電流電壓波形部分采用了微積分運(yùn)算結(jié)果較精確。后面的損耗分析、壽命估算由于微積分運(yùn)算速度較慢故采用了基波分析法。它們的峰值電流偏差如下：

                圖3-2 兩種方法峰值電流偏差對(duì)比

標(biāo)記學(xué)習(xí)下。感謝分享。

電容壽命方程中的I_R是個(gè)變量需要修正一下，參考一款電容

得到這款電容近似的I_R方程曲線(xiàn)，代入壽命估算方程重新繪制電容壽命曲線(xiàn)得：

什么時(shí)候整理一個(gè)完整文件，系統(tǒng)學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)，Mathcad文件沒(méi)找到

文件在一樓