假設(shè)驅(qū)動(dòng)IC輸出方波電壓幅值為U，MOS管柵源級(jí)間輸入電容為Cgs，則每周期柵極輸入電荷量q=U*Cgs。

如果驅(qū)動(dòng)信號(hào)頻率為f，則每秒鐘累計(jì)輸入到柵極的電荷量Q=f*q=f*U*Cgs，則驅(qū)動(dòng)電流I=Q/t=Q/1秒=f*U*Cgs。

以U=12V、f=50kHz、Cgs=1000pF為例，驅(qū)動(dòng)電流I=f*U*Cgs=0.0006A=0.6mA。當(dāng)然，這僅僅是理論值，驅(qū)動(dòng)IC輸出級(jí)輸出電流最好要比這個(gè)大若干倍。因?yàn)?，還要考慮驅(qū)動(dòng)IC的輸出級(jí)內(nèi)阻必須足夠小，否則Cgs充電時(shí)間常數(shù)太大會(huì)導(dǎo)致其開(kāi)關(guān)特性變差。

我用CMOS型的7555時(shí)基IC驅(qū)動(dòng)Cgs=1000pF的8N60管子，7555供電電壓15V，理論計(jì)算驅(qū)動(dòng)電流為0.9mA，實(shí)測(cè)情況是：不接8N60，7555工作電流為0.6mA，接上8N60后7555的工作電流正好是1.5mA，說(shuō)明理論計(jì)算非常符合。

可以看看MOS管芯片的資料，看看他的導(dǎo)通壓降是多少

電流的定義：流過(guò)導(dǎo)體橫截面的電荷量與所用時(shí)間的比值，數(shù)值上等于單位時(shí)間內(nèi)流過(guò)導(dǎo)體橫截面的電荷量。1安培=1庫(kù)倫/秒。

實(shí)際上是這樣計(jì)算的：一個(gè)方波周期內(nèi)輸入MOS管柵極的電荷量 q=U*Cgs，因此電流 I=q/T=q*f=f*U*Cgs，注意 T=1/f。

一般驅(qū)動(dòng)IC的輸出級(jí)都是圖騰柱式的，既可以向后級(jí)灌電流也可以吸電流。此時(shí)，只要在輸出級(jí)和MOS管柵極間加上一個(gè)小阻值電阻（10~100Ω）即可，據(jù)說(shuō)是為了抑制寄生振蕩，不加也行。這個(gè)電阻不要太大，否則柵源極輸入電容充電時(shí)，這個(gè)電阻會(huì)導(dǎo)致充電時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)管柵極驅(qū)動(dòng)波形上升沿不夠陡峭，開(kāi)關(guān)特性變差開(kāi)關(guān)損耗劇增（高頻情況下）。至于下拉電阻，在驅(qū)動(dòng)輸出級(jí)不受損、驅(qū)動(dòng)能力不受影響的情況下，越小越好。

如果驅(qū)動(dòng)級(jí)內(nèi)阻過(guò)大、輸出電流太小，應(yīng)該外接圖騰柱擴(kuò)流增強(qiáng)對(duì)MOS管的驅(qū)動(dòng)能力改善開(kāi)關(guān)特性。