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反激圖解法(二)

 

 反激設(shè)計一般先從反射電壓或最大占空比入手,這二者是相互關(guān)聯(lián)的都與匝比n有關(guān),如果直接從匝比n入手則更直觀(見下圖)。

反射電壓、占空比與咋比n的關(guān)系

                                             1-1 反射電壓、占空比與咋比n的關(guān)系

上圖中取n=14,反射電壓Vor=80V,占空比Dmax=0.45。


反激電學(xué)設(shè)計.rar

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jianyedin
LV.9
2
2018-03-14 09:03
講的很好,學(xué)習(xí)了
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2018-03-19 13:13

第二步一般是確定電感量或者工作模式。

                                       1-2 臨界功率

1-2分別是高壓輸入和低壓輸入時的臨界功率曲線,曲線之下是DCM模式曲線之上是CCM模式。這種寬輸入應(yīng)用通常是將低壓輸入設(shè)置為CCM模式高壓輸入設(shè)置為DCM模式,那么圖中電感的取值范圍在240uH-480uH之間。

為了精確表達工作模式引起電流紋波率r,定義如下:

                                         1-3 電流紋波率定義

r>2DCM模式,r=2:BCM模式,r<2CCM模式,電感量和r的關(guān)系如下:

                                           1-4 電感與紋波率關(guān)系

確定一個電感量就能得到對應(yīng)的電流紋波率(也可由紋波率推電感量),同圖1-2一樣電感取值范圍240uH-480uH之間。

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2018-03-19 15:35
@boy59
第二步一般是確定電感量或者工作模式。[圖片]                    圖1-2臨界功率圖1-2分別是高壓輸入和低壓輸入時的臨界功率曲線,曲線之下是DCM模式曲線之上是CCM模式。這種寬輸入應(yīng)用通常是將低壓輸入設(shè)置為CCM模式高壓輸入設(shè)置為DCM模式,那么圖中電感的取值范圍在240uH-480uH之間。為了精確表達工作模式引起電流紋波率r,定義如下:[圖片]                      圖1-3電流紋波率定義r>2:DCM模式,r=2:BCM模式,r

暫取電感Lm=400uH,算得Vin=100V、Pout=60W條件下的電流紋波率r=1.2、占空比Dmax=0.44,電流紋波率和占空比同輸出功率的關(guān)系如下:

                                         1-5 低壓時r、Don與輸出功率的關(guān)系

取電感Lm=400uH,算得Vin=300V、Pout=60W條件下的電流紋波率r=2.428、占空比Dmax=0.191,電流紋波率和占空比同輸出功率的關(guān)系如下:

                                    1-6 高壓時r、Don與輸出功率的關(guān)系

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2018-03-19 16:17
@boy59
暫取電感Lm=400uH,算得Vin=100V、Pout=60W條件下的電流紋波率r=1.2、占空比Dmax=0.44,電流紋波率和占空比同輸出功率的關(guān)系如下:[圖片]                      圖1-5低壓時r、Don與輸出功率的關(guān)系取電感Lm=400uH,算得Vin=300V、Pout=60W條件下的電流紋波率r=2.428、占空比Dmax=0.191,電流紋波率和占空比同輸出功率的關(guān)系如下:[圖片]                   圖1-6高壓時r、Don與輸出功率的關(guān)系

綜合上述條件可以繪制出輸入、輸出電流方程及波形:

                                          1-7 輸入、輸出電流方程及波形

                                       1-8 DCMBCM、CCM模式電流波形

有了電流波形方程可方便后續(xù)問題的計算。

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2018-03-21 14:21

第三步計算AP值選磁芯

                                      3-1 Ap值與電流紋波率r的關(guān)系

根據(jù)之前的條件輸入電壓Vin=100V、電感Lm=400uH、開關(guān)頻率fo=60Khz、輸出功率60W,計算出電流紋波率r=1.2。假設(shè)窗口系數(shù)Ku=0.4、Bm=0.2T Jm=400A/cm^2,算出最小Ap=0.707。

如圖3-1CCM模式越深Ap值越大(變壓器體積越大),《精通開關(guān)電源設(shè)計》的作者建議r0.4為最優(yōu)值。

1、因這里的Bm、Jm都是假設(shè)的所以得出的Ap值只能作為選型參考,后續(xù)還要進行反向驗算(損耗分析)。

2、實際磁芯Ap值不是連續(xù)的有的間隔會較大可能會造成設(shè)計上的“浪費”,這時可以通過修改開關(guān)頻率、電流紋波率等參數(shù)來重新修正設(shè)計。

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2018-03-22 11:07

第四步計算線圈匝數(shù)

根據(jù)第三步計算結(jié)果取Ap>0.707,這里選EE30參數(shù):Ap=0.7995、Ae=109cm^2、Aw=73.35cm^2,繪制出初級匝數(shù)選取曲線如下:

                                                4-1 初級匝數(shù)選取參考

4-1(a)分別是磁通密度Bm、電流密度Jm與初級匝數(shù)的關(guān)系曲線,在Bmax=0.2T、Jmax=400A/cm^2的條件下初級匝數(shù)取值范圍為45(圖(a)中陰影區(qū))。再參考一下圖(b)查看氣息范圍是否合理(一般是指氣息小于2mm及易于加工,如果不合理則需重新設(shè)計電感或選其它型號磁芯)。

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2018-03-22 11:51
@boy59
第四步計算線圈匝數(shù)根據(jù)第三步計算結(jié)果取Ap>0.707,這里選EE30參數(shù):Ap=0.7995、Ae=109cm^2、Aw=73.35cm^2,繪制出初級匝數(shù)選取曲線如下:[圖片]                         圖4-1初級匝數(shù)選取參考圖4-1(a)分別是磁通密度Bm、電流密度Jm與初級匝數(shù)的關(guān)系曲線,在Bmax=0.2T、Jmax=400A/cm^2的條件下初級匝數(shù)取值范圍為45

前面假設(shè)初次級匝比Nz=14,考慮到線圈只能取整數(shù)圈(或半圈)實際上取匝比Nz=14是不合理的,見下圖輸出匝數(shù)分別為23、4的匝比關(guān)系。

                                4-2 匝比與初級匝數(shù)

如圖4-2如果將匝比控制在14-16之間則有5個可選值,這里選np=48、ns=3Nz=16,重新修正參數(shù)得:

                                      4-3 匝比Nz=16時的參數(shù)


初級匝數(shù)np可調(diào)節(jié)銅損和鐵損比例np越大銅損比例越大,資料中多是按Bmax=0.2T來計算(這里np=44)貌似鐵損比例大一些效率更高?期望在損耗分析中能找出答案。


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2018-03-23 14:00
@boy59
前面假設(shè)初次級匝比Nz=14,考慮到線圈只能取整數(shù)圈(或半圈)實際上取匝比Nz=14是不合理的,見下圖輸出匝數(shù)分別為2、3、4的匝比關(guān)系。[圖片]                               圖4-2匝比與初級匝數(shù)如圖4-2如果將匝比控制在14-16之間則有5個可選值,這里選np=48、ns=3、Nz=16,重新修正參數(shù)得:[圖片]                    圖4-3匝比Nz=16時的參數(shù)初級匝數(shù)np可調(diào)節(jié)銅損和鐵損比例np越大銅損比例越大,資料中多是按Bmax=0.2T來計算(這里np=44)貌似鐵損比例大一些效率更高?期望在損耗分析中能找出答案。

Saber自帶的MCT設(shè)計工具做了下驗證:

                                            4-3-1 仿真與計算的磁通密度對比

                                                 4-3-2 繞組驗證

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2018-03-27 17:16
@boy59
用Saber自帶的MCT設(shè)計工具做了下驗證:[圖片]                       圖4-3-1仿真與計算的磁通密度對比[圖片]                          圖4-3-2繞組驗證
 文件已上傳(未完待續(xù))有意見或者建議的幫忙提出來。
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2018-03-30 15:27
@boy59
用Saber自帶的MCT設(shè)計工具做了下驗證:[圖片]                       圖4-3-1仿真與計算的磁通密度對比[圖片]                          圖4-3-2繞組驗證

上面氣隙的計算沒有考慮到磁通邊緣效應(yīng),Saber軟件的MCT是采用下面的公式進行邊緣磁通修正的:

由于開氣隙處邊緣磁通的影響磁芯的截面積Ae相當于變大了,整個磁芯的功率處理能力變強了,修正公式如下:

                                                4-4-3 邊緣磁通修正公式

如上圖初級Np的可選匝數(shù)范圍更寬了,初次假設(shè)的匝比Nz=14也可以選取。重新修正Nz=14,Np=42,Ns=3,開氣隙Lgk=0.637mm繪制出的磁通密度波形如下:

                                             4-4-4 磁通密度對比

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2018-04-04 14:21

五、輸出電容選?。?

                          5-1 輸入電容充放電示意圖

先假設(shè)電容中的ESR=0,當開關(guān)導(dǎo)通時變壓器儲能只有輸出電容向負載釋放能量電流方向如圖5-1(a),當開關(guān)截止時變壓器分別向輸出電容和負載釋放能量電流方向如圖5-1(b)

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wszdxp2004
LV.3
13
2018-04-23 15:29
@boy59
五、輸出電容選?。篬圖片]              圖5-1輸入電容充放電示意圖先假設(shè)電容中的ESR=0,當開關(guān)導(dǎo)通時變壓器儲能只有輸出電容向負載釋放能量電流方向如圖5-1(a),當開關(guān)截止時變壓器分別向輸出電容和負載釋放能量電流方向如圖5-1(b)。
牛人,學(xué)習(xí)了。。。
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