反激設(shè)計一般先從反射電壓或最大占空比入手,這二者是相互關(guān)聯(lián)的都與匝比n有關(guān),如果直接從匝比n入手則更直觀(見下圖)。
圖1-1 反射電壓、占空比與咋比n的關(guān)系
上圖中取n=14,反射電壓Vor=80V,占空比Dmax=0.45。
反激設(shè)計一般先從反射電壓或最大占空比入手,這二者是相互關(guān)聯(lián)的都與匝比n有關(guān),如果直接從匝比n入手則更直觀(見下圖)。
圖1-1 反射電壓、占空比與咋比n的關(guān)系
上圖中取n=14,反射電壓Vor=80V,占空比Dmax=0.45。
第二步一般是確定電感量或者工作模式。
圖1-2 臨界功率
圖1-2分別是高壓輸入和低壓輸入時的臨界功率曲線,曲線之下是DCM模式曲線之上是CCM模式。這種寬輸入應(yīng)用通常是將低壓輸入設(shè)置為CCM模式高壓輸入設(shè)置為DCM模式,那么圖中電感的取值范圍在240uH-480uH之間。
為了精確表達工作模式引起電流紋波率r,定義如下:
圖1-3 電流紋波率定義
r>2:DCM模式,r=2:BCM模式,r<2:CCM模式,電感量和r的關(guān)系如下:
圖1-4 電感與紋波率關(guān)系
確定一個電感量就能得到對應(yīng)的電流紋波率(也可由紋波率推電感量),同圖1-2一樣電感取值范圍240uH-480uH之間。
暫取電感Lm=400uH,算得Vin=100V、Pout=60W條件下的電流紋波率r=1.2、占空比Dmax=0.44,電流紋波率和占空比同輸出功率的關(guān)系如下:
圖1-5 低壓時r、Don與輸出功率的關(guān)系
取電感Lm=400uH,算得Vin=300V、Pout=60W條件下的電流紋波率r=2.428、占空比Dmax=0.191,電流紋波率和占空比同輸出功率的關(guān)系如下:
圖1-6 高壓時r、Don與輸出功率的關(guān)系
第三步計算AP值選磁芯
圖3-1 Ap值與電流紋波率r的關(guān)系
根據(jù)之前的條件輸入電壓Vin=100V、電感Lm=400uH、開關(guān)頻率fo=60Khz、輸出功率60W,計算出電流紋波率r=1.2。假設(shè)窗口系數(shù)Ku=0.4、Bm=0.2T 、Jm=400A/cm^2,算出最小Ap=0.707。
如圖3-1,CCM模式越深Ap值越大(變壓器體積越大),《精通開關(guān)電源設(shè)計》的作者建議r≈0.4為最優(yōu)值。
1、因這里的Bm、Jm都是假設(shè)的所以得出的Ap值只能作為選型參考,后續(xù)還要進行反向驗算(損耗分析)。
2、實際磁芯Ap值不是連續(xù)的有的間隔會較大可能會造成設(shè)計上的“浪費”,這時可以通過修改開關(guān)頻率、電流紋波率等參數(shù)來重新修正設(shè)計。
第四步計算線圈匝數(shù)
根據(jù)第三步計算結(jié)果取Ap>0.707,這里選EE30參數(shù):Ap=0.7995、Ae=109cm^2、Aw=73.35cm^2,繪制出初級匝數(shù)選取曲線如下:
圖4-1 初級匝數(shù)選取參考
圖4-1(a)分別是磁通密度Bm、電流密度Jm與初級匝數(shù)的關(guān)系曲線,在Bmax=0.2T、Jmax=400A/cm^2的條件下初級匝數(shù)取值范圍為45
前面假設(shè)初次級匝比Nz=14,考慮到線圈只能取整數(shù)圈(或半圈)實際上取匝比Nz=14是不合理的,見下圖輸出匝數(shù)分別為2、3、4的匝比關(guān)系。
圖4-2 匝比與初級匝數(shù)
如圖4-2如果將匝比控制在14-16之間則有5個可選值,這里選np=48、ns=3、Nz=16,重新修正參數(shù)得:
圖4-3 匝比Nz=16時的參數(shù)
初級匝數(shù)np可調(diào)節(jié)銅損和鐵損比例np越大銅損比例越大,資料中多是按Bmax=0.2T來計算(這里np=44)貌似鐵損比例大一些效率更高?期望在損耗分析中能找出答案。
上面氣隙的計算沒有考慮到磁通邊緣效應(yīng),Saber軟件的MCT是采用下面的公式進行邊緣磁通修正的:
由于開氣隙處邊緣磁通的影響磁芯的截面積Ae相當于變大了,整個磁芯的功率處理能力變強了,修正公式如下:
圖4-4-3 邊緣磁通修正公式
如上圖初級Np的可選匝數(shù)范圍更寬了,初次假設(shè)的匝比Nz=14也可以選取。重新修正Nz=14,Np=42,Ns=3,開氣隙Lgk=0.637mm繪制出的磁通密度波形如下:
圖4-4-4 磁通密度對比