1.一個是關(guān)于IR2110的數(shù)字地VSS要不要和功率地COM連接,我目前看到的網(wǎng)上電路圖和說法大多是前面有加光耦隔離的,兩個地就可以連接一起,但最好在電容負(fù)引腳連接;如果不加光耦隔離的,就不要連在一起,不然波形會有問題,這個接不接有什么區(qū)別和影響?
2.我現(xiàn)在開關(guān)頻率是120K,測試IR2110的LO和COM引腳輸出的信號毛刺比較多(只是IR2110輸出信號,還沒連MOSFET)有什么好的解決方法?
3.另外想問一個關(guān)于SPWM調(diào)制設(shè)置死區(qū)的問題,一般來說MOSFET要設(shè)置大于等于0.5US左右的死區(qū)時間,但是在SPWM調(diào)制時,占空比是變化的,而死區(qū)時間又必須要小于最小占空比時高電平的時間,那么此時達不到0.5us怎么辦?