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120+120W 單級PFC 單壓隔離電源板 抗浪涌2KV 遇到難題忘大神進來支支招兒吖！

應(yīng)用LZC811C的方案做了一個兩路隔離的PFC單級共用輸入和輸出的電源：參數(shù)如下：

Input:185-250VAC

Output:30-35VDC  3.45+3.45A  

PF:>0.96

EF>85%

以下是PCB應(yīng)用圖：

0101

無論怎樣：輸入打浪涌L→N（差模）無論怎么樣都過不了500V浪涌， 現(xiàn)在先要過2KV

0101

各位大神請進來支支招吖！ 救急  救急  救急?。。。?！

全部回復(fù)(17)
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yuyuyu5
LV.8
2
2018-06-08 09:27
建議多層pcb
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2018-06-08 09:27

還有一張輸入防護電路的清晰圖：

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2018-06-08 09:42
@yuyuyu5
建議多層pcb
PCB 已經(jīng)做了200片了，PCB是前一位工程LAY的！現(xiàn)在要想辦法整過2KV（實在不行退主求其次，也要過得了1.5KV這樣子）否則這200片也就廢了！我也是醉了??！
0
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2018-06-08 15:05
@越凌科技
還有一張輸入防護電路的清晰圖：[圖片]

單級PFC，由于橋堆后沒有大容量的電解電容。相對來說抗浪涌的能力會差很多，總結(jié)以往經(jīng)驗，可以從以下幾點入手：

1.在壓敏前串聯(lián)工字電感，進一步吸收浪涌能量，減輕壓敏負擔(dān)，到后級浪涌殘壓會更低；

2.MOSFET換成EAS（雪崩能量）更大的管子（一般平面MOS比COOLMOS大，電流大的管子比電流小的管子大），增加功率管的耐受性；

3.在橋堆后增加DRC組合搞浪涌回路，進一步抑制殘余電壓幅度。

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xiaojb11
LV.4
6
2018-06-08 17:22
@越凌科技
還有一張輸入防護電路的清晰圖：[圖片]
樓主，首先是打壞那些元器件？多數(shù)情況下是MOS打壞直接導(dǎo)致炸機，殘壓過高，由于無法改板選用耐壓更高的mos，樓主可以用示波器抓一下雷擊打進去瞬間mos的DS電壓看看是多少。如果MOS沒壞，只是前面的器件壞了那就好整了
1
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2018-06-08 20:15
@xiaojb11
樓主，首先是打壞那些元器件？多數(shù)情況下是MOS打壞直接導(dǎo)致炸機，殘壓過高，由于無法改板選用耐壓更高的mos，樓主可以用示波器抓一下雷擊打進去瞬間mos的DS電壓看看是多少。如果MOS沒壞，只是前面的器件壞了那就好整了

   你好！大神！ 每次打浪涌都是第二路的MOS IC  CS干掉 前面的一路正常！（當(dāng)?shù)诙反驂牧艘院?，我接著打浪涌，就變成第一路單獨打浪涌了，可以打?KV）但是兩路一起打 500V就掛了！我也是了很多方法！但是都沒有什么用：例如：

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2018-06-08 20:38
@峰谷浪子
單級PFC，由于橋堆后沒有大容量的電解電容。相對來說抗浪涌的能力會差很多，總結(jié)以往經(jīng)驗，可以從以下幾點入手：1.在壓敏前串聯(lián)工字電感，進一步吸收浪涌能量，減輕壓敏負擔(dān)，到后級浪涌殘壓會更低；2.MOSFET換成EAS（雪崩能量）更大的管子（一般平面MOS比COOLMOS大，電流大的管子比電流小的管子大），增加功率管的耐受性；3.在橋堆后增加DRC組合搞浪涌回路，進一步抑制殘余電壓幅度。
大神：你好！這種兩路并聯(lián)使用的架構(gòu)！我整了兩三天了！但是連500V都打不過！要是單獨一路去打浪涌的話：可以打5KV都過得了！很郁悶！  每次打浪涌都是第二路的MOS  IC  CS  炸掉了（詳情請看下帖）我也適當(dāng)?shù)淖隽朔雷o，但是還是沒有用！每次500V打不了多久第二路就死了！現(xiàn)在我想在第二路輸入（BCUK母線）哪里做一個RDC的吸收，但是參數(shù)不知道如何選?。〔恢?，您能指點一下嗎？感謝！我初步設(shè)計的結(jié)果是這樣子的！給你看一下，您也給指正一下！

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xiaojb11
LV.4
9
2018-06-09 08:43
@越凌科技
[圖片]  你好！大神！每次打浪涌都是第二路的MOSIC CS干掉前面的一路正常?。ó?dāng)?shù)诙反驂牧艘院?，我接著打浪涌，就變成第一路單獨打浪涌了，可以打?KV）但是兩路一起打500V就掛了！我也是了很多方法！但是都沒有什么用：例如：[圖片][圖片]
最好是抓一下兩個mos在打雷擊時的瞬間電壓，還有你可以試試單獨打第二路看看能打多少V。另外我看你PCB有地線，把元器件都加上地線也接上。我以前有一款產(chǎn)品也是，不接地線L-N打2KV打不過，接上地線后就可以打過2KV了，有Y電容到地可以引走部分電壓
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2018-06-09 19:16
@越凌科技
大神：你好！這種兩路并聯(lián)使用的架構(gòu)！我整了兩三天了！但是連500V都打不過！要是單獨一路去打浪涌的話：可以打5KV都過得了！很郁悶！ 每次打浪涌都是第二路的MOS IC CS 炸掉了（詳情請看下帖）我也適當(dāng)?shù)淖隽朔雷o，但是還是沒有用！每次500V打不了多久第二路就死了！現(xiàn)在我想在第二路輸入（BCUK母線）哪里做一個RDC的吸收，但是參數(shù)不知道如何選取！不知道，您能指點一下嗎？感謝！我初步設(shè)計的結(jié)果是這樣子的！給你看一下，您也給指正一下！[圖片][圖片]
MOS用的什么品牌和型號？建議先換MOS試試，免得整得太復(fù)雜。
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wsz大地
LV.1
11
2018-06-11 10:57
@越凌科技
[圖片]  你好！大神！每次打浪涌都是第二路的MOSIC CS干掉前面的一路正常?。ó?dāng)?shù)诙反驂牧艘院螅医又蚶擞?，就變成第一路單獨打浪涌了，可以打?KV）但是兩路一起打500V就掛了！我也是了很多方法！但是都沒有什么用：例如：[圖片][圖片]

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hunter4051
LV.5
12
2018-06-11 15:33
@wsz大地
[圖片]
資料貼出來。。。。
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2018-06-13 10:33
@峰谷浪子
MOS用的什么品牌和型號？建議先換MOS試試，免得整得太復(fù)雜。
MOS用的是福斯特的15N65  
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2018-06-13 10:53
@越凌科技
MOS用的是福斯特的15N65 
福斯特，Cllo MOS嗎，規(guī)格書中EAS多少？
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hunter4051
LV.5
15
2018-06-13 11:11
@越凌科技
[圖片]  你好！大神！每次打浪涌都是第二路的MOSIC CS干掉前面的一路正常?。ó?dāng)?shù)诙反驂牧艘院?，我接著打浪涌，就變成第一路單獨打浪涌了，可以打?KV）但是兩路一起打500V就掛了！我也是了很多方法！但是都沒有什么用：例如：[圖片][圖片]
第二路前面也增加壓敏
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Lyndonzhang
LV.1
16
2018-07-10 11:04
@越凌科技
MOS用的是福斯特的15N65 
福斯特的MOS。。。不多評論。。
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黃H2O
LV.2
17
2018-08-17 15:17
@峰谷浪子
單級PFC，由于橋堆后沒有大容量的電解電容。相對來說抗浪涌的能力會差很多，總結(jié)以往經(jīng)驗，可以從以下幾點入手：1.在壓敏前串聯(lián)工字電感，進一步吸收浪涌能量，減輕壓敏負擔(dān)，到后級浪涌殘壓會更低；2.MOSFET換成EAS（雪崩能量）更大的管子（一般平面MOS比COOLMOS大，電流大的管子比電流小的管子大），增加功率管的耐受性；3.在橋堆后增加DRC組合搞浪涌回路，進一步抑制殘余電壓幅度。

直接橋后加大一點的壓敏試試呢?

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2018-12-19 08:47
@hunter4051
第二路前面也增加壓敏
已經(jīng)批產(chǎn)了幾百套了，4KV浪涌  PASS了！  為一遺憾的是！溫度比較高！
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