本次設(shè)計(jì)采用的是TI的方案，使用LM5117這IC來進(jìn)行設(shè)計(jì)制作；

數(shù)據(jù)手冊(cè)來一份：LM5117_datasheet.pdf

首先在TI官網(wǎng)的設(shè)計(jì)工具進(jìn)行仿真設(shè)計(jì)：

就是這個(gè)網(wǎng)頁版的設(shè)計(jì)工具了，但是它只針對(duì)自家的IC；

該工具可以提供相關(guān)原理圖，PCB布局，BOM表等。

進(jìn)行多種規(guī)格仿真，這樣能夠得到相關(guān)參數(shù)的變化，有利于自己調(diào)機(jī)：

這是輸入13-50V ，輸出10V10A的仿真參數(shù)。

這是輸入13-50V ，輸出10V12A的仿真參數(shù)。

這是輸入24-60V ，輸出19V10A的仿真參數(shù)。

今天翻了一下抽屜，原來的驗(yàn)證樣機(jī)還在，

只是電感和MOS已經(jīng)被改過了，不是視頻中的模樣了。

PCB采用雙面板設(shè)計(jì)制作的，輸出部分采用無電解方式。

輸入采用了四個(gè)鋁電解，其MOS設(shè)計(jì)是貼背面的，為了方便調(diào)試，先

焊接在正面了；IC集中布局在一角落。

電感的安裝方式應(yīng)該是臥式的，為了方便調(diào)試，先直接立著焊接；

輸出接口采用雙層的USB口，調(diào)試階段直接用導(dǎo)線連接負(fù)載。

這是第一版的原理圖；

基本上是參考仿真畫的；

PCB如上圖所示，大小為：45*78MM；

PCB頂層及其絲??；

初步設(shè)計(jì)采用塑料外殼，內(nèi)置散熱片的方式；

外形如下圖所示，目前驗(yàn)證的PCB稍微有點(diǎn)偏大。

這是打樣的第一版；

在原來手工版本上的布局有一些變化；

由于輸入半徑錯(cuò)誤，導(dǎo)致四角挖空變成兩倍大了

下一版進(jìn)行優(yōu)化。

焊接好的成品；

這個(gè)是整理好了，準(zhǔn)備放入外殼里面的成品了；

再焊接調(diào)試前，有拍過視頻；

測(cè)試視頻3（點(diǎn)擊即可）

控制部分細(xì)節(jié)照片；

主控是LM5117，帶同步整流的；

輸入濾波電容在原來基礎(chǔ)上有減少。

電感采用鐵硅鋁27MM的磁環(huán)（導(dǎo)磁率60），1.2的漆包線兩根并繞；

電感量在20UH左右。

輸出接口采用雙層USB口；

總設(shè)計(jì)3個(gè)雙口，一共6個(gè)U口可用。

調(diào)試階段，直接采用導(dǎo)線連接。

背面，直接采用TO-220封裝的MOS貼裝；

每個(gè)USB口下面都有分2壓電阻，主要是為了適用蘋果的設(shè)備。

說明：

A:示波器一通道--測(cè)量SR BUCK電路中的下管MOS的VGS波形；

B:示波器二通道--測(cè)量SR BUCK電路中的下管MOS的VDS波形；

C:示波器三通道--測(cè)量SR BUCK電路中的上管MOS的VGS波形；

D:示波器四通道--測(cè)量SR BUCK電路中的上管MOS的VDS波形；

(上管采用隔離探頭測(cè)試)

其測(cè)試接線如上圖。

測(cè)試先從空載開始吧：

這是輸入10V的情況下，輸出5.2V的空載波形；

其波形對(duì)應(yīng)如樓上探頭說明所示；

這是輸入12V的情況下，輸出5.2V的空載波形；

其波形對(duì)應(yīng)如樓上探頭說明所示；

這是輸入24V的情況下，輸出5.2V的空載波形；

其波形對(duì)應(yīng)如樓上探頭說明所示；

這是輸入36V的情況下，輸出5.2V的空載波形；

其波形對(duì)應(yīng)如樓上探頭說明所示；

這是輸入48V的情況下，輸出5.2V的空載波形；

其波形對(duì)應(yīng)如樓上探頭說明所示；

接下來是帶載20A測(cè)試：

這是輸入10V的情況下，輸出5.2V的滿載20A測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)；

其波形如下所示：

這是輸入12V的情況下，輸出5.2V的滿載20A測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)；

其波形如下所示：

這是輸入24V的情況下，輸出5.2V的滿載20A測(cè)試現(xiàn)場(chǎng)；

其波形如下所示：