這個(gè)必須要贊一下

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參數(shù)沒(méi)有做說(shuō)明，只是試著去看些

用一個(gè)極點(diǎn)，一個(gè)零點(diǎn)IP1Z 的 TYPE II 去補(bǔ)償 雙極點(diǎn)s^2的控制輸出，補(bǔ)償?shù)脑鲆嬷斜囟ㄓ衧^2的關(guān)系

你的上面沒(méi)有這種關(guān)系

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說(shuō)說(shuō)我對(duì)環(huán)路補(bǔ)償?shù)睦斫獍?

環(huán)路了補(bǔ)償跟所有的放大器補(bǔ)償是一樣，目的只有一個(gè)是放大器穩(wěn)定

工程計(jì)算的方法通常是以BODE圖去做研究的

通過(guò)傳遞函數(shù)是去找出函數(shù)變化發(fā)生轉(zhuǎn)折的點(diǎn)(叫拐點(diǎn)可能跟函數(shù)的里面的拐點(diǎn)不一樣的意義，

函數(shù)的拐點(diǎn)是凹凸性發(fā)生改變的點(diǎn))，這個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)就是零點(diǎn)和極點(diǎn)

而不是通過(guò)去解傳遞函數(shù)的方程的方法

這樣所有的計(jì)算就相當(dāng)于做加減乘除法了，環(huán)路其實(shí)很簡(jiǎn)單的

一個(gè)極點(diǎn)相當(dāng)于一個(gè)RC積分器

相位偏移 θ = - arctan( ω / ωp ) ,    ωp為極點(diǎn)頻率

增益是G = -20 lg ( ω / ωp)  

同樣零點(diǎn)相當(dāng)于一個(gè)RC微分器

尋著這個(gè)思路，上面的所有計(jì)算都是很容易的

在以-1斜率的低頻率段，通過(guò)提高低頻段的增益，就相當(dāng)于提高了相位的邊界 PM

這個(gè)增益補(bǔ)償完了，再反過(guò)來(lái)可以驗(yàn)證下就可以了，就像磁芯飽和的計(jì)算一樣的。

計(jì)算不是環(huán)路的補(bǔ)償?shù)碾y點(diǎn)，難點(diǎn)是因?yàn)樵谘a(bǔ)償環(huán)路有很多分布參數(shù)的影響，造成相移

這個(gè)很難控制，所以才有上面提高相位的邊界PM值。

其實(shí)環(huán)路補(bǔ)償是很簡(jiǎn)單，真的是很簡(jiǎn)單，特別是TYPE III型補(bǔ)償更簡(jiǎn)單，

增加了電路零件，而補(bǔ)償變得更容易了。

先不考慮分布參數(shù)的影響，就上面附件中的例子兄臺(tái)給講講TYPE III零、極點(diǎn)的設(shè)置方法？（期望的相位余量60度、10Hz處增益70dB、穿越頻率20kHz，不出現(xiàn)條件穩(wěn)定）

在BODE圖上把第一個(gè)零點(diǎn)設(shè)置成fz1 = 0.5 * Flc , 

 第二零點(diǎn) fz2 = Flc , 輸出的雙極點(diǎn)Flc

第一極點(diǎn)fp1 = Fesr ,  Fesr 輸出的零點(diǎn)

第二極點(diǎn)fp2 = 0.5 *Fsw 

TYPE III型補(bǔ)償要簡(jiǎn)單些，就像你上面說(shuō)的，零點(diǎn)和極點(diǎn)相互抵消

這樣變得更容易了

能講解一下具體怎么設(shè)置？參數(shù)如何調(diào)整？如果沒(méi)有單獨(dú)的電容可以視為0嗎？就是少一個(gè)極點(diǎn)。還有反激的參數(shù)是一樣的計(jì)算？

按這種方法設(shè)置后的總開(kāi)環(huán)bode圖如下：

將穿越頻率設(shè)置成預(yù)期的20kHz，10Hz處增益60.619dB，相位余量64.772度，低頻增益和相位余量都沒(méi)有達(dá)到預(yù)期值。（如果將相位余量設(shè)置為60度，穿越頻率就不是20kHz了）

如果期望在20kHz穿越頻率處的相位余量是50度，采用這種方法得到的結(jié)果依然是64.772度，這種方法跟K-factor法相似雖然設(shè)置相對(duì)簡(jiǎn)單但結(jié)果只能是固定的一種（無(wú)法得到最優(yōu)參數(shù)）。

低頻增益和相位余量都沒(méi)有達(dá)到預(yù)期值

這個(gè)低頻的增益，可以調(diào)整第一、二個(gè)零點(diǎn)的增益

也就是EA反饋電阻R2/R1的比值

通過(guò)補(bǔ)償后，BODE圖應(yīng)該是閉環(huán)的增益BODE，相位BODE圖

Gc(s) = Go(s)  / [  1 + Go(s) * F(s) ]

Go(s) 開(kāi)環(huán)增益，Gc(s) 閉環(huán)增益, F(s) 環(huán)路補(bǔ)償

調(diào)零點(diǎn)增益（我的理解是調(diào)原極點(diǎn)）可以改變低頻增益同時(shí)穿越頻率也會(huì)跟著改變，如果期望二者都達(dá)到預(yù)期值還需重新設(shè)置零點(diǎn)、極點(diǎn)的位置。

環(huán)路補(bǔ)償中的參數(shù)一般都是改一個(gè)而關(guān)聯(lián)影響好幾個(gè)所以在設(shè)置上會(huì)有些麻煩，如果采用試湊法在bode圖上移動(dòng)零、極點(diǎn)也能得出差不多的結(jié)果不過(guò)需要一點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)和了解一些規(guī)律。

一樓附件中的方法就是普通解方程的方法，將所有的變量關(guān)聯(lián)起來(lái)（消元）最終只剩下少量幾個(gè)未知量，上述設(shè)計(jì)方法中是以極點(diǎn)頻率fp為待設(shè)變量的。

按此方法描述的曲線如上圖，所有的曲線在穿越頻率20kHz處的相位余量都是60度跟預(yù)期設(shè)置的值一樣，這里只須選擇一個(gè)合適的極點(diǎn)fp的值就可以了。比如上圖中選極點(diǎn)fp=45kHz左右比較合適。

另這個(gè)補(bǔ)償后的圖是開(kāi)環(huán)bode圖既Go(s)。

環(huán)路補(bǔ)償以前聽(tīng)過(guò)，但是不知道具體怎么回事，正好學(xué)習(xí)一下

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這個(gè)是什么軟件畫(huà)的圖呢x 感覺(jué)看起來(lái)好棒 比matlab的好看點(diǎn)

是Mathcad軟件

上面說(shuō)的用閉環(huán)是不正確的

一般用Go(s) * F(s)去判斷閉環(huán)函數(shù)的穩(wěn)定性 ，這里可以說(shuō)Go(s) * F(s)是Gc(s)的特征函數(shù)

Go(s) * F(s)的模值大于1，且其在0dB時(shí)的相位Φ0與-180度差值大于45

下面的圖是向量式

3Q 老夫去弄一個(gè)

謝謝分享！

頂一下

非常好的資料，感謝分享！

感謝

樓主能不能講講恒流源這樣的環(huán)路如何補(bǔ)償

補(bǔ)償方法是一樣的，在常規(guī)應(yīng)用中采用TypeⅠ ~Type Ⅲ補(bǔ)償器基本都可以勝任并且是向下兼容的。

恒流源首先要獲得以電流作為反饋信號(hào)的小信號(hào)模型然后就可以采用貼中的方法進(jìn)行參數(shù)配置了。

感謝你的回復(fù)。我的半橋輸出，用分流器檢測(cè)負(fù)載電流，10mR的電阻，電流10A時(shí)電壓為100mV，利用這個(gè)作為電流反饋信號(hào)。

我用simplis仿真，得出來(lái)的開(kāi)環(huán)曲線是以-40DB下降的。但是我做的實(shí)際電路中，卻是以-20DB下降。怎么會(huì)差異這么大？

仿真建模時(shí)要加入寄生參數(shù)，比如電解的ESR、電感的R、導(dǎo)線電感等才能接近真實(shí)電路，實(shí)際電路中這些寄生參數(shù)并不容易測(cè)量所以通常是用環(huán)路掃描儀（或網(wǎng)分）獲得的bode圖。

仿真時(shí)寄生參數(shù)都有添加的。實(shí)際電路的bode圖是儀器掃出來(lái)，兩者相差距大。

電壓環(huán)路沒(méi)有問(wèn)題，仿真和實(shí)際基本一致。

我把siplims文件傳上來(lái)，你這邊有時(shí)間幫我看看嗎?

沒(méi)用過(guò)這個(gè)軟件，檢查一下環(huán)路器件有沒(méi)有飽和的或者是工作在非線性區(qū)的，比如光耦的參數(shù)配置等等，恒流、恒壓靜態(tài)工作點(diǎn)會(huì)有區(qū)別，其它好像沒(méi)什么區(qū)別。

感謝大咖技術(shù)分享