在一些仿真軟件比如PSIM中，我們可以直接選用一些開(kāi)關(guān)器件，但是這樣的開(kāi)關(guān)器件在初始狀態(tài)下是理想的，是沒(méi)有損耗以及通斷延時(shí)的。

我現(xiàn)在希望通過(guò)仿真去獲得GaN開(kāi)關(guān)器件與MOSFET開(kāi)關(guān)器件的損耗對(duì)比，我可以在一些廠家中獲得GaN以及MOSFET的參數(shù)，但是這些參數(shù)應(yīng)該怎樣在PSIM或者LT SPICE中得到應(yīng)用從而使我們的仿真具有現(xiàn)實(shí)意義呢？

以及哪些區(qū)別會(huì)具有實(shí)際的意義？比如功率損耗以及什么其他的區(qū)別呢？