關(guān)于面試遇到的一些問題請教
這些問題的確不好回答,感覺有點(diǎn)刁鉆,鉆牛角尖。 俺也做了十幾年DC/DC電源了,也不能全部回答出來。試著回一下,你看對不對。
1, 內(nèi)環(huán)是一個中間過程環(huán),受外環(huán)調(diào)制。最終被穩(wěn)住的物理量是外環(huán)決定。一般電源都是穩(wěn)壓源,所以要穩(wěn)住電壓這個物理量,故電壓環(huán)為外環(huán)。
2, 通常是電壓環(huán)去控制電流環(huán)的基準(zhǔn)。電流環(huán)帶寬比電壓環(huán)快很多。為什么這樣?我認(rèn)為還是因為電流環(huán)是被調(diào)制的,調(diào)制的通常比被調(diào)制的帶寬要窄。就如通信的載波和基帶一樣。
3,峰值電流控制控制的是每個周期的電流峰值,平均值控制則控制的是平均值。峰值電流控制是逐周期控制,速度更快,因此也更容易被干擾。
5,我想應(yīng)該是輸入用直流電源更合理。因為,環(huán)路帶寬很低,測試信號頻率可能包含工頻或者離工頻不太遠(yuǎn)。輸入加入工頻,就會干擾測試結(jié)果。
6, 這個我覺得題目有問題。應(yīng)該和驅(qū)動電路本身和PCB設(shè)計有關(guān)吧。我不覺得必然會超。必然會超,我認(rèn)為是設(shè)計有問題。果真如此,還怎么保證可靠性?
7, 雪崩擊穿后, Vds必然會出現(xiàn)一段平坦,因為擊穿后就是一個穩(wěn)壓二極管,電壓會被鉗住,正弦振蕩被破壞。所以,看是否有這樣一段平坦電壓,就可以確認(rèn)是否擊穿。
8,并非buck一定設(shè)成全橋頻率的兩倍。 從避免拍頻的角度來講,除非是嚴(yán)格的2倍,否則更應(yīng)該避免2倍。不是嚴(yán)格2倍就會出現(xiàn)拍頻。
謝謝兄臺的回復(fù),關(guān)于你的回答我還有幾個疑問,望指教。
2、電流環(huán)帶寬比電壓環(huán)帶寬快很多,那么工程設(shè)計中有沒有一個具體的量化范圍,比如2倍或者3倍?峰值電流控制和平均電流控制電流環(huán)帶寬是否又不一樣?
6、我當(dāng)初也是你這樣回答的,但面試官說驅(qū)動電路和PCB設(shè)計的再好都是會有的,他說這是由拓?fù)錄Q定的,他的意思應(yīng)該是要在拓?fù)渖霞邮裁创胧﹣斫鉀Q這個問題。
7、雪崩擊穿判斷按你這個方法應(yīng)該是對的,但是具體要怎么測量雪崩能量呢?
8、我們實(shí)際做這種兩級拓?fù)浯_實(shí)是兩倍的關(guān)系,我做過兩個這種項目,一個是BUCK+開環(huán)全橋,一個是BUCK+開環(huán)LLC。
2, 這種量化是模糊的,沒有絕對的界限,這個我也沒去研究過。 如果類比通信里的載波和基波來考慮,就必須至少2倍以上。我感覺最好是5倍以上吧,反正相差越遠(yuǎn),越好調(diào)試。當(dāng)然快環(huán)的上限也是不可能不受限制的。
峰值電流控制其實(shí)是用比較器控制實(shí)現(xiàn),而不是運(yùn)放,速度自然很快, 平均值控制則和電壓環(huán)一樣用運(yùn)放加補(bǔ)償來實(shí)現(xiàn),速度當(dāng)然慢了許多。
6,我還是保留我的意見。驅(qū)動信號高低會受拓?fù)浜艽笥绊懀挥沈?qū)動電路本身決定?沒聽過,也沒見過。我只知道驅(qū)動信號會受受米勒效應(yīng)影響,但也只是一點(diǎn)影響,不能被決定。
7. 雪崩能量測量,我覺得很難測得準(zhǔn)的。因為,做開關(guān)電源,通常mosfet很少被擊穿,即使發(fā)生,其能量也非常小。 理論上,測試就是測出這一小段平坦區(qū)的電流電壓Vds和Ids, 將兩者進(jìn)行定積分運(yùn)算即可,示波器應(yīng)該有積分功能。但是,電流探頭需要足夠的帶寬才行。擊穿時間可能就幾個納秒或十來個納秒, 其對應(yīng)帶寬肯定是幾百M(fèi)Hz以上。
8. 是的,如果是嚴(yán)格2倍,是不會產(chǎn)生拍頻的。如果兩級是同一控制芯片,當(dāng)然可以實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格2倍。 如果兩級是兩個芯片分別控制, 那就很難實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格2倍。 其次,也不是說有拍頻就一定出問題,只要在允許范圍內(nèi),就不是什么事了。