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◆RM6312D是一種離線式開關(guān)電源管理芯片,內(nèi)置高壓MOSFET及電流模式PWM+PFM控制器,滿足六級能效標(biāo)準(zhǔn)。
◆RM6312D采用低電流啟動模式,最低工作電流可過到600uA,減少待機(jī)損耗。芯片內(nèi)置多種工作模式,在輕載情況下,芯片進(jìn)入 Burst mode 模式,消除變壓器的音頻噪音,提高轉(zhuǎn)換效率;在待機(jī)模式下,電路進(jìn)入打嗝模式,有效降低電路的待機(jī)功耗。內(nèi)部集成斜坡補(bǔ)償模塊,在 90V-264V 輸入時有效的補(bǔ)償輸出功率,保證輸出功率的恒定。
◆芯片內(nèi)部集成多種異常狀態(tài)保護(hù)功能,包括欠壓鎖定,過壓保護(hù),過載保護(hù),CS過流和懸空保護(hù),過溫保護(hù)功能。在電路發(fā)生異常時,芯片進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)并自動重啟檢測,直至異常解除為止,輸出正常。
◆RM6312D采用DIP-8封裝。
一,方案原理圖