MOS管失效6大原因之柵電壓失效分析
柵電壓失效的原因及措施?
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柵極電壓失效
柵極的異常高壓來源主要有以下3種原因:
1:在生產(chǎn)、運(yùn)輸、裝配過程中的靜電。
2:由器件及電路寄生參數(shù)在電源系統(tǒng)工作時(shí)產(chǎn)生的高壓諧振。
3:在高壓沖擊時(shí),高電壓通過Ggd傳輸?shù)綎艠O(在雷擊測(cè)試時(shí),這種原因?qū)е碌氖л^為常見)。
至于PCB污染等級(jí)、電氣間隙及其它高壓擊穿IC后進(jìn)入柵極等現(xiàn)象就不做過多解釋。
柵極電壓失效的預(yù)防措施:
柵源間的過電壓保護(hù):如果柵源間的阻抗過高,則漏源間電壓的突變會(huì)通過極間電容耦合到柵極而產(chǎn)生相當(dāng)高的UGS電壓過沖,這一電壓會(huì)引起柵極氧化層永久性損壞,如果是正方向的UGS瞬態(tài)電壓還會(huì)導(dǎo)致器件的誤導(dǎo)通。為此要適當(dāng)降低柵極驅(qū)動(dòng)電路的阻抗,在柵源之間并接阻尼電阻或并接穩(wěn)壓值約20V的穩(wěn)壓管。特別要注意防止柵極開路工作。其次是漏極間的過電壓防護(hù)。如果電路中有電感性負(fù)載,則當(dāng)器件關(guān)斷時(shí),漏極電流的突變(di/dt)會(huì)產(chǎn)生比電源電壓高的多的漏極電壓過沖,導(dǎo)致器件損壞。應(yīng)采取穩(wěn)壓管箝位,RC箝位或RC抑制電路等保護(hù)措施。
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