MOS管參數(shù)CIss對(duì)死區(qū)的影響
MOS管CIss越大,在相同驅(qū)動(dòng)電阻條件下,MOS的開通關(guān)斷時(shí)間會(huì)越大。所以在同一個(gè)方案上,換不同CIss的MOS管后,一定要注意死區(qū)時(shí)間。死區(qū)太短,上下橋管子有可能同時(shí)工作在線性區(qū),這樣,上下橋的MOS就等效成電阻,相當(dāng)于VCC到VSS之間串接兩個(gè)電阻,mos會(huì)發(fā)熱嚴(yán)重,在這種情況下,死區(qū)繼續(xù)減小,就會(huì)直通。所以,把CIss小的換成CIss大的mos管時(shí),要把死區(qū)改大一些。