gfs是在MOSFET中得增益。它可以表達(dá)為以下等式和用柵源偏置電壓的變化量表示漏極電流的變化量。    

gfs = [ΔIds / ΔVgs]Vds

Vds應(yīng)該被設(shè)定以使器件工作在飽和區(qū)。Vgs應(yīng)該被供電以使Ids變?yōu)樽畲箢~定電流的二分之一。gfs的變化取決于溝道的寬度/長度,和柵極氧化層的厚度。如圖15所示，在提供Vgs（th）后，gfs隨著漏極電流增加而動態(tài)增加，在漏極電流到達(dá)一個特定點(diǎn)（在較高的漏電流值）后它變?yōu)橐粋€恒定值。如果gfs足夠高，可以從低柵極驅(qū)動電壓獲得高的電流處理能力，也可能獲得一個高的頻率響應(yīng)。

溫度特性：

由于流動性的減小，gfs隨著溫度的增加而降低。從下等式我們可以知道gfs隨溫度改變而改變，這個等式與Rds（on）和溫度關(guān)系的等式類似。    gfs(T) = gfs(25°C) （T/300）e–2.3       

 T：絕對溫度值