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MOSFET的熱特性

器件的功勞損失轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃亢驮黾咏Y(jié)溫度。這降低器件特性和減小器件壽命。通過從芯片節(jié)點放熱對降低節(jié)點溫度是非常重要的。熱阻抗(Zθjc(t))就是用來監(jiān)測上述情況。熱特性術(shù)語解釋如下:Tj(結(jié)溫度)

Tc(外殼溫度):在內(nèi)置半導(dǎo)體芯片的封裝上一個點的溫度。

Ts(散熱器溫度)Ta(環(huán)境溫度):使用期間環(huán)境的環(huán)境溫度。

Rθjc(結(jié)-外殼熱阻)Rθcs(外殼-散熱器熱阻)

Rθsa(散熱器-環(huán)境熱阻)

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圖1

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圖2

如圖1所示,芯片節(jié)點產(chǎn)生的熱量超過80%在¨方向散發(fā),大約20%在| ? ?方向散發(fā)。熱量散發(fā)的路徑和電流移動的路徑相同,用熱阻代替后以圖2表示。這只對于在直流使用時是真實的。大多數(shù)MOSFETs用在具有固定占空比的開關(guān)狀態(tài)下。因此,熱容應(yīng)該和熱阻一并考慮。從芯片節(jié)點到環(huán)境的熱阻是Rθja(結(jié)-環(huán)境熱阻),等效電路可以用以下等式表示。    Rθja = Rθjc + Rθcs + Rθsa

1. Rθjc(結(jié)-外殼熱阻)   Rθjc是從芯片結(jié)到封裝外殼的內(nèi)部熱阻。一旦die的尺寸定下來,這個純封裝的熱阻就只由封裝設(shè)計和引腳   框架材料決定。Rθjc可以再Tc = 25[℃]條件下測量且可以用以下等式表達。    Rθjc = (TJ – TC)/Pd[℃/W]   Tc = 25[℃]意思是貼裝在無限散熱器上。   無限散熱器:封裝溫度等于環(huán)境溫度的情況。這個散熱器意味著Tc = Ta。

2. Rθcs(外殼-散熱器熱阻)   這是從封裝外殼到散熱器的熱阻。由于封裝和散熱器的安裝方式不同,該值會變化。

3. Rθsa(散熱器-環(huán)境熱阻)   這是從散熱器到環(huán)境的熱阻,這是由散熱器的設(shè)計決定的。

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Mr_劉
LV.3
2
2018-12-31 23:15

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