請此間高手多多指正啊!

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常見的問題,諧振導(dǎo)致.充電電流大的時(shí)候電流連續(xù),充到后來是不連續(xù)模式,導(dǎo)致LC諧振,此問題不大,沒有必要解決,

謝謝ycyy的指點(diǎn)啊!那就是說這種情況不需要理會(huì)嘍!總擔(dān)心有什么隱患呢,會(huì)不會(huì)損壞開關(guān)管?

請問ycyy,我打算把這個(gè)電路改成軟開關(guān)模式,可否推薦幾款常用的軟開關(guān)控制芯片呢?

這個(gè)電路的設(shè)計(jì)有沒有問題呢?有沒有更好的電路可以實(shí)現(xiàn)低壓大電流(10A)對蓄電池充電呢?本來這個(gè)充電電路是用PMOS做的,那時(shí)就不需要高壓驅(qū)動(dòng)芯片,但為了降低大電流時(shí)開關(guān)管的導(dǎo)通損耗,所以采用了低導(dǎo)通電阻的NMOS,但現(xiàn)在又發(fā)現(xiàn)在100多KHZ頻率下,NMOS的開關(guān)損耗也很可觀,可能無法通過單管實(shí)現(xiàn)10A充電電流.是否除了采用軟開關(guān)技術(shù)外就無其它方案?謝謝!

進(jìn)入斷續(xù)

感謝關(guān)注!可否對我上述問題作出一些詳論?

基本上不會(huì)對管子造成損壞
我做28000W的電源都這樣的波形沒關(guān)系

沒關(guān)系~正常

candid大俠有何高見呢?不知道可否瀏覽過此帖?

可否詳細(xì)點(diǎn),具體是哪個(gè)L和C諧振呢?圖中有振蕩的波形是NMOS的DS之間波形.

能詳細(xì)解釋一下嗎?具體是哪個(gè)L和C諧振呢?波形圖中有振蕩的地方是NMOS的DS之間波形啊!

可否解釋詳細(xì)一點(diǎn)啊!具體是哪個(gè)L和C諧振呢?有振蕩的波形可是NMOS的DS之間波形啊!

大俠的不是.
buck非同步整流電路在輕載時(shí)電感電流不連續(xù),所以會(huì)出現(xiàn)這個(gè)振蕩,這是正常情況,沒必要解決.如是同步整流便沒有這個(gè)振蕩.

也就是說,是續(xù)流管的反向恢復(fù)需要時(shí)間從而導(dǎo)致了振蕩的產(chǎn)生,對吧?那在電感電流連續(xù)時(shí)是否因?yàn)榉聪蚧謴?fù)時(shí)間縮短而避免了振蕩呢?

電路所用NMOS的導(dǎo)通電阻為14毫歐,在充電電流達(dá)到3A時(shí),開關(guān)管(不加任何散熱措施的情況下)已經(jīng)有些燙手了,是否在開關(guān)頻率100KHZ時(shí)開關(guān)損耗已如此可觀?如何計(jì)算開關(guān)損耗呢?打算將充電電流做得更大些,5A,甚至10A,是否只能采用軟開關(guān)模式?

具體是哪個(gè)L和C諧振呢?圖中有振蕩的波形是NMOS的DS之間波形.

你確定mos的溫度僅僅由其自身發(fā)熱造成?在較大輸出電流時(shí)二極管是損耗嚴(yán)重器件,也許是它把mos烤了^_^.這個(gè)燙手很感性的說法,但并不說明這個(gè)溫度到低有多高,40~60度都燙手.
20A的我也沒有用過什么軟開關(guān),關(guān)鍵是選好的mos(Rdson約幾毫歐),最重要的是用同步整流buck電路(把二極管換成mos),其次是芯片的驅(qū)動(dòng)能力要大些,再次輸出電感DCR小寫.
mos損耗的計(jì)算網(wǎng)上都有,但各有各的說法,計(jì)算結(jié)果也有差異.

錯(cuò)了,一般肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間是數(shù)個(gè)nS,你看你這個(gè)振蕩時(shí)間何止幾個(gè)納秒!!形成振蕩都是由于能量在存能元件中來回轉(zhuǎn)移引起的,這里輸出電感和一些寄生電容就是存能元件.

另外,反向恢復(fù)時(shí)間內(nèi)由于還有泄放途徑,反而不會(huì)形成振蕩.

對開關(guān)管來說,不會(huì)損壞,如果你擔(dān)心,那可從電壓電流損耗以及DV/DT等角度來看問題,結(jié)論是不會(huì)損壞

鑒于你這種應(yīng)用情況的話,buck最簡單,但感覺你設(shè)計(jì)前期沒有詳細(xì)規(guī)劃,比如充電器的話,你的紋波要求情況,功率的計(jì)算等等,這些確定后,你的頻率要先給個(gè)初值回推演算,真的需要這么高的頻率嗎?在目前的情況下,開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗比正常嗎?這個(gè)情況下電感的損耗是多少,銅損鐵損是多少,其比值正常嗎,是否不利于散熱?這個(gè)頻段你的EMI搞的定嗎?都需要考慮和仔細(xì)推算.

所有的情況考慮清楚了,基本上可以得到預(yù)期的結(jié)果,但感覺如果你這樣下來的話,時(shí)間拉的比較長,因此這些東西都是以前經(jīng)驗(yàn)積累的結(jié)果,熟練的話前期的時(shí)間精力投入就比較少.但無論如何,你都要做這個(gè)前期的工作.

鑒于這個(gè)情況,你可以先去演算下你的管子的損耗情況(因?yàn)槟阏f很燙嘛,損耗究竟是多少,什么散熱條件,自然冷卻還是強(qiáng)制風(fēng)冷,散熱片熱容等等,)如果開關(guān)損耗很高的話,可以降低你的頻率(再回過頭檢查你的電感是否合適),或者通過改驅(qū)動(dòng)電阻.

軟開關(guān)是一個(gè)相對來說很寬的范圍,如果感興趣,你可以根據(jù)你的管子電壓電流等級,選擇合適的來做,比如準(zhǔn)諧振/有源鉗位等(這兩種中前一中可能比較適合你).最后要核算的是成本問題,如果沒有成本問題基本上沒啥可說的.

基于這類的問題,以后可同下分析:
1觀察諧振頻率,
2查找線路中的諧振回路
3基于其中多條或某條回路中寄生參數(shù)進(jìn)行演算,大致看是否為一個(gè)數(shù)量級,比如開關(guān)管寄生電容等,或其他輔助電容,電感先檢查主電感是否參與諧振,再看其他電流互感器之類的東西,最后再考慮線路電感
4根據(jù)自己的推測,將回路變成單向的,看是否還有此現(xiàn)象
5給出結(jié)論

都在潛水嗎?大蝦們

問題定性(就是不是問題的問題)大家都說的比較明了^_^,你還有什么問題啊?你一定要知道具體是哪個(gè)L和C諧振?L就是輸出電感和電路里寄生的電感,C就是寄生電容(主要就是二極管結(jié)間電容)

感謝您的耐心解答、指導(dǎo)!確實(shí)這個(gè)電路前期工作我沒做足.選擇比較高的開關(guān)頻率主要是因?yàn)槌潆娖髂K尺寸限制,為了縮小電感尺寸,所以才考慮100多K的頻率.管子散熱只能通過自然冷卻(充電器模塊厚度有限),而且最終模塊是要灌膠密封的,所以才考慮到采用軟開關(guān)模式.我按照大蝦指點(diǎn),再補(bǔ)補(bǔ)前期工作吧,也仔細(xì)演算一下.準(zhǔn)諧振的控制芯片好像比較少啊,只看到飛兆半導(dǎo)體有幾款,是否大部分軟開關(guān)變換器都用SMPS數(shù)字控制器實(shí)現(xiàn)呢?

通用!實(shí)用!應(yīng)該遵守!

主要是二極管D2、還是二極管D3的寄生電容,還是開關(guān)管的寄生電容呢?

明白了.短接D2后,振蕩確實(shí)依然存在.3XU!

這個(gè)問題不直接回答你,可以告訴你:把D2短接后振蕩依然存在;但是呢,要是認(rèn)為由于D3引起的話,你也不可能去掉或短路D3,對吧.什么意思呢?就是這個(gè)振蕩是非同步buck電路固有的,不管怎么優(yōu)化電路都無法消除,也沒必要消除,這個(gè)振蕩幅值不大于Vin,不可能損壞電路里的器件.如果一定要消除,倒可以建議你試一試在D3兩端并聯(lián)一個(gè)電阻給出一個(gè)泄放途徑(這個(gè)方法沒驗(yàn)證過),這個(gè)電阻不能太小否則會(huì)影響你電路的功能或效率,這個(gè)電阻的耗散功率要大(Vin*Vin/R),1k/1W的電阻試試.