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請教關(guān)于氙準分子燈電源的問題

接到任務(wù)需要設(shè)計一個氙準分子燈的電源.要求輸出電壓是正負方波,峰峰值5kV左右,方波占空比為50%,電壓從最小值(-2.5kV)上升到最大值(+2.5kV)的時間要求在500ns以內(nèi).電流較小,只有2-3個安培.
   現(xiàn)在主要的困惑是,如果電路拓撲采用橋式結(jié)構(gòu),那么在500ns這么短的電壓上升時間內(nèi)(也就是開關(guān)器件轉(zhuǎn)換時間),如何避免橋臂上下開關(guān)管直通?如果直通,怎么樣在短時間內(nèi)使保護動作?畢竟開關(guān)器件,如MOSFET,本身就有幾百納秒的關(guān)斷延時和一百納秒左右的開通延時,這樣一來剩下的死區(qū)時間就很少了,留給保護動作的時間極其短.
   望各位不吝賜教,大家共同進步.
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wang2559
LV.1
2
2008-07-19 13:44
問題很難.
不知是否有耐壓 2.5kV 以上的 MOSFET.
不知工作的頻率多少.
功率好像還很大,2.5kV * 3A = 7.5kW.
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protoss1
LV.1
3
2008-07-27 15:44
你可能要考慮使用氫閘流管,MOSFET沒有這么高的耐壓.用IGBT可以考慮串聯(lián).把你要控制的參數(shù)寫詳細些.如頻率等...
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fdmark
LV.1
4
2008-08-05 17:35
樓主有做出來沒,大家一起學(xué)習,學(xué)習阿!
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bloon
LV.4
5
2010-02-21 01:57
@wang2559
問題很難.不知是否有耐壓2.5kV以上的MOSFET.不知工作的頻率多少.功率好像還很大,2.5kV*3A=7.5kW.
要求那么高電壓的大電流MOS還沒開發(fā)出來!
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