18W  六級(jí)能效快充電源主要特性：1 、輸入電壓范圍 90V AC ~264V AC2 、輸出 5V DC /3.0A 、9V DC /2.0A 、12V DC /1.5A3 、輸出最大紋波 90mV  以內(nèi)4 、輸出電壓步進(jìn)±200mV5 、具有輸出過(guò)流保護(hù)、短路保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)等功能6 、符合“DOE&COC”6  級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)7 、通過(guò) EN55022 ClassB 的 的 EMI  測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)8 、通過(guò) EFT 4KV

 劉云 18603037844微信同號(hào)

一、概述是一顆電流模式 PWM：   

     控制芯片，內(nèi)置 650V 高壓功率 MOSFET，應(yīng)用于功率在 18W 以內(nèi)的方案。 在 PWM 模式下工作于固定開(kāi)關(guān)頻率，這個(gè)頻率是由內(nèi)部精確設(shè)定。在空載或者輕載時(shí)，工作頻率由 IC 內(nèi)部調(diào)整。芯片可以工作在綠色模式，以此來(lái)減小輕載時(shí)的損耗，提高整機(jī)的工作效率。 在啟動(dòng)和工作時(shí)只需要很小的電流，可以在啟動(dòng)電路中使用一個(gè)很大的電阻，以此來(lái)進(jìn)一步減小待機(jī)時(shí)的功耗。芯片內(nèi)置有斜坡補(bǔ)償電路，當(dāng)電路工作于大占空比時(shí)，避免次諧波振蕩的發(fā)生，改善系統(tǒng)的穩(wěn)定性。內(nèi)置有前沿消隱時(shí)（Leading-edge blanking time），消除緩沖網(wǎng)絡(luò)中的二極管反向恢復(fù)電流對(duì)電路的影響。 采用了抖頻技術(shù)，能夠有效改善系統(tǒng)的 EMI 性能。系統(tǒng)的跳頻頻率設(shè)置在音頻(22KHz)以上，在工作時(shí)可以避免系統(tǒng)產(chǎn)生噪音。 內(nèi)置多種保護(hù)，包括逐周期限流保護(hù)（OCP），過(guò)載保護(hù)（OLP），過(guò)壓保護(hù)（VDD OVP），VDD 過(guò)壓箝位，欠壓保護(hù)（UVLO），過(guò)溫保護(hù)（OTP）等，通過(guò)內(nèi)部的圖騰柱驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)可以更好的改善系統(tǒng)的 EMI 特性和開(kāi)關(guān)的軟啟動(dòng)控制。

 二、特點(diǎn)全電壓范圍（90Vac-265Vac）輸入時(shí)待機(jī)功耗小于 100mW內(nèi)置 650V 高壓功率管4ms 軟啟動(dòng)用來(lái)減少 MOSFET 上 Vds 的應(yīng)力抖頻功能，改善 EMI 性能跳頻模式，改善輕載效率，減小待機(jī)功耗無(wú)噪聲工作固定 65KHz 開(kāi)關(guān)頻率內(nèi)置同步斜坡補(bǔ)償?shù)蛦?dòng)電流，低工作電流內(nèi)置前沿消隱(LEB)功能過(guò)載保護(hù)（OLP），逐周期限流保護(hù)（OCP）VDD 過(guò)壓保護(hù)（VDD OVP），欠壓保護(hù)（UVLO），VDD 電壓箝位過(guò)溫保護(hù)（OTP）SOP8 無(wú)鉛封裝