小弟近期設(shè)計(jì)了一款恒壓橫流充電模塊,成品出來(lái)后帶載能力差,帶載1A輸出電壓即被拉低1V,請(qǐng)教各位前輩是哪里出的問(wèn)題。
附件PDF為原理圖,輸入dc36V,輸出29.4V,橫流階段最大電流15A.拓?fù)錇榻祲和桨霕??,F(xiàn)在問(wèn)題是帶載能力問(wèn)題,橫流正常。請(qǐng)各位前輩不吝賜教。
這是高端mos GS波形
小弟近期設(shè)計(jì)了一款恒壓橫流充電模塊,成品出來(lái)后帶載能力差,帶載1A輸出電壓即被拉低1V,請(qǐng)教各位前輩是哪里出的問(wèn)題。
附件PDF為原理圖,輸入dc36V,輸出29.4V,橫流階段最大電流15A.拓?fù)錇榻祲和桨霕??,F(xiàn)在問(wèn)題是帶載能力問(wèn)題,橫流正常。請(qǐng)各位前輩不吝賜教。
這是高端mos GS波形
我嘗試更換不同型號(hào)的MOS管 輸出被拉低的幅度居然不一樣
還有更換MOS管G極的限流電阻也會(huì)造成同樣的結(jié)果 限流電阻過(guò)小也會(huì)發(fā)生死區(qū)移位造成了上下管同時(shí)導(dǎo)通的情況,是不是半橋驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)能力不足?