1 磁心得損耗是查比損耗的曲線.
2 僅從MOSFET的安全考慮,是沒有問題的.從結(jié)點到體表
  面只有幾度的溫差.

在設(shè)計時你是怎樣根據(jù)曲線來估算損耗的

1.從磁芯材料查到開關(guān)頻率對應(yīng)的單位體積損耗,再乘以磁芯體積就得到了.
2.mosfet的規(guī)格里面有一項Thermal Resistance(junction to case),把該mosfet的損耗乘以這個值得到一個溫度,這個溫度就是結(jié)溫和表面(金屬部分)的溫差了.

能否上傳常用磁芯材料的比損耗曲線,小弟在此先謝了.

請問曲線圖里面有100mT、150mT、200mT等幾條曲線,這是什么意思?

你測試時環(huán)境溫度是多少?
若是50度,還勉強(qiáng)可以.

是指工作的最大磁通密度.

表面溫度與管心溫度之差,要看管子散熱條件,散熱條件越好,表面溫度與管心溫度之差越大.
如果在環(huán)境25度時,管子表面溫度105度的話,不管散熱條件好壞,都不行.

表面與管芯的溫差與相應(yīng)的熱阻及芯片的功耗有關(guān).
與芯片到環(huán)境的熱阻無關(guān).

打個比喻來說明表面溫度與管心溫度之差的問題,把管子的表面和管心看成是一根銅棒的兩頭,一頭泡在水里,另一頭用火燒,會如何?
.

熱阻的有一項是針對Juction to case,說的是從核心到表面的,是Mosfet內(nèi)部材料和結(jié)構(gòu)決定的,是不會因為環(huán)境的變化而變化的.這個是mosfet固有的特性.

第9帖說的對.整個熱系統(tǒng)的熱阻是Junction to case (jc) 加 Case to ambient (ca), 不同的環(huán)境,ca 就有變化,總的熱阻就不一樣,管芯散發(fā)到環(huán)境的熱量就不一樣,它的溫度也就不一樣.

但你測量的是Case的溫度.

是的,固定功率下,芯與殼的溫差也是固定的.