我最近在調試一款用光耦反饋的全橋dcdc電源，做負載階躍時，發(fā)現(xiàn)常溫時，躍變幅值約280mV，而高溫85度時，躍變幅值增加到400mV。我想降低高溫時，負載躍變幅值到350mV。我用100度熱風*吹正常工作的dcdc電源上的器件，發(fā)現(xiàn)當吹到光耦時，負載躍變值增加到400mV，吹其他器件沒有多大變化。因此，推測是高溫時，光耦的CTR下降，從而導致系統(tǒng)的增益下降，進而負載躍變幅值增大。我不知道我的推測對不對？如果是這個原因，那么我該調節(jié)哪里參數來提供光耦在高溫下的CTR呢？比如更換更高的CTR的光耦，提高IF值，還是增大影響以系統(tǒng)增益的其他電阻阻值？煩請高手點播。