死區(qū)時間加大點試試

已經(jīng)嘗試過了，跟死區(qū)時間關(guān)系不大，之前死區(qū)已經(jīng)加到很大的比例了，依然存在這個問題；而且不只我一個人，只要是半橋，沒實現(xiàn)軟開關(guān)，我們這邊的板子都有這個問題；實現(xiàn)軟開關(guān)的基本上沒這個問題；

關(guān)鍵現(xiàn)在的拓撲實現(xiàn)不了軟開關(guān)；

你在MOS的G和S極各套一個磁珠試試看，或者只在G極套，看看效果。

我的也是與死區(qū)時間有關(guān)加大占空比和增大提高開關(guān)頻率就直通，沒試過負壓看看

負壓不能解決這個問題，現(xiàn)在通過給變壓器加了點氣隙，解決了GS振蕩的問題，但DS振蕩仍然存在，損耗仍然很大，開關(guān)管很燙，下一步有什么思路嗎？

GS波形：

DS波形

我估計你是在大電流的時候開通和關(guān)斷MOS,才會出現(xiàn)振鈴嚴重，我建議你把諧振電流和電壓波形也測一下，看看他們的相位

有諧振電容的情況下，必須要軟開關(guān)，不然無法工作，不然就是處在炸機的邊緣。

如果沒有條件做軟開關(guān)，就取消諧振電容，做硬開關(guān)半橋。但是硬開關(guān)半橋容易產(chǎn)生偏磁問題。

實在不行，增加諧振電容，容量加大一倍或更高，把諧振特征頻率降低，也是解決辦法。