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關(guān)于死區(qū)的一點(diǎn)疑問

半橋電路中，死區(qū)是通過延時(shí)讓上管慢點(diǎn)開通，下管也是如此，從而得到死區(qū)。我現(xiàn)在做個(gè)開環(huán)的雙向DCDC， 半橋BUCK-BOOST拓?fù)?，開環(huán)不應(yīng)該給定占空比嗎，我現(xiàn)在給定了占空比后，經(jīng)過死區(qū)后，延時(shí)導(dǎo)通，那么此時(shí)占空比不就發(fā)生了改變了嗎？我實(shí)測也是如此，那么現(xiàn)在要得到正確的占空比，是在輸入端重新給定占空比嗎？還有我死區(qū)選的10us是不是偏大了，煩請各位解惑.謝謝！
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jlh213
LV.6
2
2019-04-24 09:26
閉環(huán)的話：輸入電壓變了，占空比也會相應(yīng)的跟著變化，死區(qū)是給的不小，一半在1uS左右吧。
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