NCP1397做2000W的半橋LLC,老是燒M0S管和驅(qū)動芯片
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@chenyankun
一般我以前調(diào)試llc的時候,mos管損壞經(jīng)常也會把驅(qū)動芯片損壞!初步判斷是mos管損壞導(dǎo)致驅(qū)動芯片損壞,你的mos管損壞是怎樣的?是炸開還是只是短路,如果是炸開,而且是上下管一起炸開,很有可能就是直通了,直通可能是沒有死區(qū)或者跑到容性區(qū)了。損壞的時候是在動態(tài)還是穩(wěn)態(tài)?有沒有可能是熱壞的?你給的信息太少,只能給你分析幾種情況
你好,我最近在做一個項目,前級PFC,后級是三電平LLC,連調(diào)時,輕載經(jīng)常炸管,目前仍然沒有找到原因,還請大師們幫忙分析一下怎么回事
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@jyw666
你好,我最近在做一個項目,前級PFC,后級是三電平LLC,連調(diào)時,輕載經(jīng)常炸管,目前仍然沒有找到原因,還請大師們幫忙分析一下怎么回事
你這樣發(fā)帖,我覺得就算大神都回答不了!首先你沒說是前級MOS管還是LLC的MOS管,我猜的是LLC的MOS管。你沒有聯(lián)調(diào)的時候有沒有出現(xiàn)過炸機(jī)?應(yīng)該開環(huán)你測試過,沒有問題吧?LLC輕載就炸機(jī)有可能是死區(qū)。前段時間我調(diào)試PFC的時候也出現(xiàn)過炸機(jī)的時候,是干擾原因,地線被干擾了,加了Y電容就OK了。我只能根據(jù)你給出的信息給些小建議。
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@chenyankun
一般我以前調(diào)試llc的時候,mos管損壞經(jīng)常也會把驅(qū)動芯片損壞!初步判斷是mos管損壞導(dǎo)致驅(qū)動芯片損壞,你的mos管損壞是怎樣的?是炸開還是只是短路,如果是炸開,而且是上下管一起炸開,很有可能就是直通了,直通可能是沒有死區(qū)或者跑到容性區(qū)了。損壞的時候是在動態(tài)還是穩(wěn)態(tài)?有沒有可能是熱壞的?你給的信息太少,只能給你分析幾種情況
PFC這邊用的是維也納拓?fù)?,雖然調(diào)試過程花了很長時間,但是沒有出現(xiàn)過炸管的現(xiàn)象,LLC這邊用的是開環(huán)控制,輕載運行幾分鐘就容易炸管,到現(xiàn)在一直沒找到原因,雖然我不是項目負(fù)責(zé)人,但是我我也很著急,希望在這里找到答案,早點把這個項目結(jié)了。
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@chenyankun
一般我以前調(diào)試llc的時候,mos管損壞經(jīng)常也會把驅(qū)動芯片損壞!初步判斷是mos管損壞導(dǎo)致驅(qū)動芯片損壞,你的mos管損壞是怎樣的?是炸開還是只是短路,如果是炸開,而且是上下管一起炸開,很有可能就是直通了,直通可能是沒有死區(qū)或者跑到容性區(qū)了。損壞的時候是在動態(tài)還是穩(wěn)態(tài)?有沒有可能是熱壞的?你給的信息太少,只能給你分析幾種情況
但是瞬間帶載和空載時都沒有出現(xiàn)炸管,炸管都是在運行過程中,莫名其妙的壞了,多數(shù)情況都是內(nèi)管被擊穿了,而且在穩(wěn)定運行時未發(fā)現(xiàn)DS有大電壓,一直也抓不到炸管那一瞬間ds的波形
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@chenyankun
一般我以前調(diào)試llc的時候,mos管損壞經(jīng)常也會把驅(qū)動芯片損壞!初步判斷是mos管損壞導(dǎo)致驅(qū)動芯片損壞,你的mos管損壞是怎樣的?是炸開還是只是短路,如果是炸開,而且是上下管一起炸開,很有可能就是直通了,直通可能是沒有死區(qū)或者跑到容性區(qū)了。損壞的時候是在動態(tài)還是穩(wěn)態(tài)?有沒有可能是熱壞的?你給的信息太少,只能給你分析幾種情況
還有一個現(xiàn)象我們將BuS調(diào)至600V以下怎么切載帶載都不會壞,650V就容易出現(xiàn)炸管,所以就800V就更危險了
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@xue007
按說三電平的功率變換應(yīng)該功率管的電壓是輸入電壓的一半,但是根據(jù)你描述的現(xiàn)象。一定是功率管電壓和輸入電壓一樣了,你的功率管耐壓650,所以輸入到650必?zé)茏?。就是說你的電路接錯了
你這是三電平的LLC,之前沒有搞過這個原理的,原理上給不了建議!但是看你跟另外一個高手的聊天的內(nèi)容,我覺得死區(qū)時間還是夠的,開關(guān)頻率在90K問題還是不大,600V以下測試的波形都沒有異常?一到650V就有危險了,電流波形也看了嗎?沒壞之前所有的波形都沒有異常,包括驅(qū)動還是DS波形,我覺得你重點看下DS波形,而且650V的時候已經(jīng)實現(xiàn)軟開關(guān)了嗎?
另外我問下你PFC用的VIENNA,用的是什么控制算法?
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@chenyankun
一般我以前調(diào)試llc的時候,mos管損壞經(jīng)常也會把驅(qū)動芯片損壞!初步判斷是mos管損壞導(dǎo)致驅(qū)動芯片損壞,你的mos管損壞是怎樣的?是炸開還是只是短路,如果是炸開,而且是上下管一起炸開,很有可能就是直通了,直通可能是沒有死區(qū)或者跑到容性區(qū)了。損壞的時候是在動態(tài)還是穩(wěn)態(tài)?有沒有可能是熱壞的?你給的信息太少,只能給你分析幾種情況
600V一下,怎么弄也不會出現(xiàn)炸管,超過600V,650V就容易炸管,驅(qū)動和DS波形都測過了,在沒壞之前都是正常,每個管子基本承受一半多一點的電壓,現(xiàn)在緩起用的是外管占空比不斷變大的控制策略,這周的結(jié)論是可能是緩起對驅(qū)動造成了影響,然后將頻率點改到諧振點再試試,PFC這邊的控制策略是和uc3845一樣的控制思想,電壓外環(huán),電流內(nèi)環(huán)
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