全橋電磁加熱 IGBT突起
全橋電磁加熱 電感儲能不夠 出現(xiàn)突起導(dǎo)致二極管反向直通，突起升高的過程為吸收電容充電，時間太短了 ，電流大了之后，出現(xiàn)直通出現(xiàn)IGBT直接失效，需要是突起時間延長很多倍，機器才能正常工作，才不出現(xiàn)下管二極管續(xù)流的時候，開通上管的直通現(xiàn)象 ，各位是如何解決的呢 下圖為下管單側(cè)CE波形
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@xiashengcheng
沒看懂你這句：需要是突起時間延長很多倍，機器才能正常工作。
波形為下橋臂D、S電壓波形，下橋臂D、S電壓凸起由零到頂點的過程，主回路電流ip逐漸減小到下降為零，充電到上橋臂二極管導(dǎo)通后，上橋臂DS鉗位到零，在D、S電壓凸起由頂點到零的過程，電流剛好反向最大，下橋臂二極管導(dǎo)通，下橋臂D、S電壓箝位為零，當(dāng)這是開通上橋臂的時候，D、S電壓為最大，并且為與下橋臂(二極管有反向電流)直通，嚴(yán)重的時候會炸管，所以開通上橋臂的時間應(yīng)該選擇在凸起由零到頂點的過程，最佳應(yīng)該就是在頂點開通上橋臂了。但是不知道怎么增大這個過程避免反向直通啊
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@shiyijianqingxin
波形為下橋臂D、S電壓波形，下橋臂D、S電壓凸起由零到頂點的過程，主回路電流ip逐漸減小到下降為零，充電到上橋臂二極管導(dǎo)通后，上橋臂DS鉗位到零，在D、S電壓凸起由頂點到零的過程，電流剛好反向最大，下橋臂二極管導(dǎo)通，下橋臂D、S電壓箝位為零，當(dāng)這是開通上橋臂的時候，D、S電壓為最大，并且為與下橋臂(二極管有反向電流)直通，嚴(yán)重的時候會炸管，所以開通上橋臂的時間應(yīng)該選擇在凸起由零到頂點的過程，最佳應(yīng)該就是在頂點開通上橋臂了。但是不知道怎么增大這個過程避免反向直通啊
電感儲能不夠，你就減小頻率，加大電壓試試啊
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@shiyijianqingxin
波形為下橋臂D、S電壓波形，下橋臂D、S電壓凸起由零到頂點的過程，主回路電流ip逐漸減小到下降為零，充電到上橋臂二極管導(dǎo)通后，上橋臂DS鉗位到零，在D、S電壓凸起由頂點到零的過程，電流剛好反向最大，下橋臂二極管導(dǎo)通，下橋臂D、S電壓箝位為零，當(dāng)這是開通上橋臂的時候，D、S電壓為最大，并且為與下橋臂(二極管有反向電流)直通，嚴(yán)重的時候會炸管，所以開通上橋臂的時間應(yīng)該選擇在凸起由零到頂點的過程，最佳應(yīng)該就是在頂點開通上橋臂了。但是不知道怎么增大這個過程避免反向直通啊
學(xué)費沒交夠
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