最近得到一個(gè)220V 70W的HID電子鎮(zhèn)流器,采用3級(jí)結(jié)構(gòu),覺得設(shè)計(jì)很有特色,交流一下.
做工和指標(biāo)都不錯(cuò).
其中,前兩級(jí)場效應(yīng)管采用IRF840,后級(jí)場效應(yīng)管采用IRF740.
單片機(jī)控制,保護(hù)電路是我看到過最全的了.
低壓保護(hù),輸出短路、高溫保護(hù),燈老化檢測等等.
第二級(jí)也用L6561D控制,高端BUCK.
為了IRF740耐壓400V,特地控制第二級(jí)buck直流不超過320V.
HID電子鎮(zhèn)流器設(shè)計(jì)
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@wdwd
有人要我再設(shè)計(jì)一個(gè)HID-EB,要低成本,高可靠性,小體積.還要安裝方便.說說容易,做做難.各位幫我參謀參謀.我們來個(gè)網(wǎng)上設(shè)計(jì)如何?70W的HID電子鎮(zhèn)流器,采用3級(jí)結(jié)構(gòu),APFC用L6562+IRF840,BUCK用L6561+IRF840(待定),全橋用IRF740+IRS2453(待定),先不用單片機(jī)了.
如果采用我們的UBA2032TS,我想我可以給到你一個(gè)非常好的價(jià)格!
TEL:0755-83014048 13138859336 吳
TEL:0755-83014048 13138859336 吳
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@冷暖人生
這個(gè)方案不錯(cuò)

APFC電路應(yīng)該都差不多的,但是,Boost電感線圈參數(shù)都不一樣;
L6561/L6562的datasheet中85V-265Vac80W用0.7mH/E25x13x7core7x6.5=45mm2,
0.8mH/ETD29x16x10core=7.5x10=75mm2,
Philips的70WHID-EB用0.6mH/E16x16x8core8x4=32mm2,
也有0.9mH/E26x20x7core6.5x7=45mm2,
1mH/E28x28x11core7x11=77mm2(太浪費(fèi)了),
1.5mH/E25x25x7core=6.5x7=45mm2;
1.關(guān)于電感量
燈屬于固定負(fù)載,TM模式APFC電感量越大開關(guān)頻率越低,所以1.5mH的MOS管溫升很低,220Vac->300Vdc->400Vdc 輸入電流80W/220V=0.364A, 峰值0.51A, TM模式電感峰值1.02A, Ton=1.5mHx1.02A/308V=5us, Toff=5usx308V/(400V-308V)=16.74us, T=21.7us->頻率46KHz;
0.6mH->115KHz,0.8mH->86KHz.....
輸入交流電壓TM模式Ton基本不變,Toff在變小,上面的計(jì)算頻率則是下限;
開關(guān)頻率低MOS管開關(guān)損失量小,溫升就小了,阻性損失峰值0.85ohmx(1.02A)^2=0.884W,Ton平均值=0.884W/3=0.295W,考慮占空比約0.14W,IRF840空氣散熱(62.5-1.0)C/Wx0.14W=8.6度,溫升再高的部分都是開關(guān)損失引起的;
2.關(guān)于電感尺寸
與工作頻率越高尺寸越小,這里我們不是最求輸出功率越大,而是損耗最小;
電流I是固定的,B=LxI/(NxA)=(NxIxl0)/A,Pt=KxlxAxf^axBm^b,a=1.5-1.7,b=2-2.7
1)N不變,L不變,磁芯截面積A大的好(厚型),磁損耗是按體積算的(A不變,矮型磁路短,體積小);
2)同樣的帶隙磁芯,線圈匝數(shù)N多,L平方上升,損耗增大;(注:管子損耗變小)
3)L不變,匝數(shù)N增加墊隙增加,損耗減少;
有效原則是:在小體積條件下增大A, 墊隙盡量大.
1mH//E25x20x11core/E22x20x10core是一個(gè)選擇.
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@wdwd
[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/68/1484571218614839.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">APFC電路應(yīng)該都差不多的,但是,Boost電感線圈參數(shù)都不一樣;L6561/L6562的datasheet中85V-265Vac80W用0.7mH/E25x13x7core7x6.5=45mm2,0.8mH/ETD29x16x10core=7.5x10=75mm2,Philips的70WHID-EB用0.6mH/E16x16x8core8x4=32mm2,也有0.9mH/E26x20x7core6.5x7=45mm2,1mH/E28x28x11core7x11=77mm2(太浪費(fèi)了),1.5mH/E25x25x7core=6.5x7=45mm2;1.關(guān)于電感量燈屬于固定負(fù)載,TM模式APFC電感量越大開關(guān)頻率越低,所以1.5mH的MOS管溫升很低,220Vac->300Vdc->400Vdc輸入電流80W/220V=0.364A,峰值0.51A,TM模式電感峰值1.02A,Ton=1.5mHx1.02A/308V=5us,Toff=5usx308V/(400V-308V)=16.74us,T=21.7us->頻率46KHz;0.6mH->115KHz,0.8mH->86KHz.....輸入交流電壓TM模式Ton基本不變,Toff在變小,上面的計(jì)算頻率則是下限;開關(guān)頻率低MOS管開關(guān)損失量小,溫升就小了,阻性損失峰值0.85ohmx(1.02A)^2=0.884W,Ton平均值=0.884W/3=0.295W,考慮占空比約0.14W,IRF840空氣散熱(62.5-1.0)C/Wx0.14W=8.6度,溫升再高的部分都是開關(guān)損失引起的;2.關(guān)于電感尺寸與工作頻率越高尺寸越小,這里我們不是最求輸出功率越大,而是損耗最小;電流I是固定的,B=LxI/(NxA)=(NxIxl0)/A,Pt=KxlxAxf^axBm^b,a=1.5-1.7,b=2-2.71)N不變,L不變,磁芯截面積A大的好(厚型),磁損耗是按體積算的(A不變,矮型磁路短,體積小);2)同樣的帶隙磁芯,線圈匝數(shù)N多,L平方上升,損耗增大;(注:管子損耗變小)3)L不變,匝數(shù)N增加墊隙增加,損耗減少;有效原則是:在小體積條件下增大A,墊隙盡量大.1mH//E25x20x11core/E22x20x10core是一個(gè)選擇.
保護(hù)電路全,含反接保護(hù)不,意思就是把輸入、輸出接反保護(hù).好像很少有,但是確實(shí)是個(gè)大問題.
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@thj_8568
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要是認(rèn)為不錯(cuò)大點(diǎn)線路和線路板全放出來讓大家學(xué)啊!》》》》》》》》》》》》》》》
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/2226011220865787.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

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@john_chenyi
要是認(rèn)為不錯(cuò)大點(diǎn)線路和線路板全放出來讓大家學(xué)啊!》》》》》》》》》》》》》》》[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/2226011220865787.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">

用的是IRS2453.
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@wdwd
[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/1484571221851065.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">用的是IRS2453.
wdwd 兄,能不能給我分析一下原理圖里面的U2,U3是什么芯片,謝意 2802701221883162.pdf
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@wdwd
[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/69/1484571221851065.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">用的是IRS2453.
現(xiàn)在損耗近10W,目標(biāo)優(yōu)化到9W.
電感線圈直流電阻有點(diǎn)大了,
加上磁損,Bs可能也有點(diǎn)高,
特別BUCK電感有點(diǎn)燙.
電感線圈直流電阻有點(diǎn)大了,
加上磁損,Bs可能也有點(diǎn)高,
特別BUCK電感有點(diǎn)燙.
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專業(yè)HID專用元器件元器件 供應(yīng)節(jié)能燈整流器元件
HFD5N50S(新品)替代仙童FQD5N50C產(chǎn)品性能高,價(jià)格低,絕對優(yōu)勢產(chǎn)品
HID專用元器件元器件:
IC系列:LM2902DR LM2904DR UC2843 UC3843 SA555DT SE555D NE555 HEP4013UB HEP4069UB CD4013BM CD4069BM MC34063 TL494I UBA2032…….....等
功率MOSFET: FQD5N50C HFD5N50S FQPF5N60C HFP50N06 HFD2N60 STP75NF75 FDD6612A IRFZ44NPBF IRF3710PBF IRF840PBF IRF830PBF IRF3205PBF IRF1010EPBF IRF540NPBF HFA08TB60PBF IRF3205PBF IRFR3709ZTRPBF...........等
快恢復(fù)二極管:MUR460 RHRD660 RHRD860 MUR860...........等
網(wǎng)絡(luò)工具:QQ:394653103 貿(mào)易通:thj8568 郵箱:thj_8568@163.COM 聯(lián)系人:譚生13715000769 傳真:0755-61392557 歡迎來電.........................
祝福大家國慶快樂....................................
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@thj_8568
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試試這兩個(gè)型號(hào)吧
1,MOS管 FDP3652 61A 100V
2,快恢復(fù)管 HFA08TB60 8A 600V
有需求可以聯(lián)系我,可以提供樣板
郵箱:weikesheng@126.com
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