MOSFET的G S間對高電壓特別敏感,加上一個(gè)電阻可以讓靜電之類迅速放掉,防止損壞.

這個(gè)電阻用于調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)波形上升速率,如果不加得話,驅(qū)動(dòng)波形上升過陡會(huì)產(chǎn)生EMI.

那大小怎么選擇呢

你看波形,調(diào)電阻啊

要是是GS之間的電阻的話,我覺得第2帖說的很有道理,怕有一些虛的感應(yīng)電壓擊穿MOSFET,但是這個(gè)一直都沒有搞清楚,還希望高手指點(diǎn)!如果你說的是串在驅(qū)動(dòng)電路里的Rg的話,主要是看Qg了,因?yàn)镼g=I*Tr,I=U/Rg,所以這個(gè)電阻的大小就決定了上升時(shí)間的大小,一般選取都在10歐姆左右!不過還是要看選的管子的Qg值去定了!

1限流,2防止由于layout導(dǎo)致的諧振ring back,discharge的話一般會(huì)在gs間接個(gè)10kohm電阻,用來放電和保證初始狀態(tài)Vgate=0,不會(huì)出現(xiàn)floating誤導(dǎo)通的情況.
Rg一般選0ohm,2.2ohm,太大會(huì)對驅(qū)動(dòng)能力造成影響.
個(gè)人愚見,僅供參考

謝謝,很好,一般在MOS的G極接一電容到地,電容應(yīng)該多大?

gate端接一電容到地?
sorry,我比較孤陋寡聞...目前為止碰見的buck電路不管是control mosfet還是syn mosfet都沒有這種結(jié)法...
期待其他大蝦解答...

是D,呵呵,打錯(cuò)了,不好意思,

你說的是d端?control mosfet的d端吧?
那是buck cap啊,Vin因?yàn)樗渤殡娏魈?需要大電容補(bǔ)充能量的啊.不然電壓會(huì)掉的比較大,具體大小和數(shù)量要看具體參數(shù)的,一般都是幾百uf居多的吧

D對地加電容,有些ZVS線路里面好像會(huì)加,構(gòu)成軟開關(guān)條件.
沒有特殊手段的話,這種并在Drain上的電容只會(huì)構(gòu)成Lose.
0.5*u*U*C*f的關(guān)系