電路如上圖，采用國(guó)產(chǎn)的2113芯片驅(qū)動(dòng)英飛凌600V/50A的IGBT構(gòu)成的三相全橋，驅(qū)動(dòng)電阻R1-1，R2-1為10歐姆，母線電壓310V，PWM頻率20kHz，加上驅(qū)動(dòng)信號(hào)就炸管子。把驅(qū)動(dòng)電阻換成100歐姆，也只正常工作了幾秒鐘，然后繼續(xù)炸。

但把驅(qū)動(dòng)芯片換成進(jìn)口IR2110，就完全沒(méi)問(wèn)題，產(chǎn)品連續(xù)工作半分鐘，負(fù)載電阻燙得焊錫都熔化了都沒(méi)問(wèn)題。國(guó)產(chǎn)芯片驅(qū)動(dòng)在母線電壓比較低的時(shí)候，比如150V左右都沒(méi)問(wèn)題，但母線電壓一升高到200V以上，就不行了，開(kāi)始炸管子。

從器件指標(biāo)上看主要參數(shù)都差不多，驅(qū)動(dòng)電流國(guó)產(chǎn)的芯片還優(yōu)于進(jìn)口芯片。

另外，進(jìn)口IR2113里有dVs/dt這個(gè)指標(biāo)，我用的這顆國(guó)產(chǎn)芯片沒(méi)有提供這個(gè)指標(biāo)。是因?yàn)檫@個(gè)指標(biāo)的差異導(dǎo)致的嗎？這個(gè)指標(biāo)是什么意思？